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플라즈마 식각장치 및 식각방법

  • 기술번호 : KST2015112488
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플라즈마 식각장치 및 식각방법에 관한 것이다.이러한 본 발명은 웨이퍼를 식각하는 공정이 수행되는 챔버와, SF6와 O2로 이루어진 가스를 O2의 유량이 SF6의 유량의 0.8배 이상 1.4배 이하가 되도록 조절하여 챔버 내부로 주입하기 위한 가스주입수단과, 가스를 플라즈마화하기 위한 RF전력이 인가되는 상부전극수단 및 상기 플라즈마를 상기 웨이퍼쪽으로 유도하기 위한 바이어스 전압이 인가되는 하부전극수단을 포함한다.이러한 본 발명에 따르면, 웨이퍼 표면조도를 향상시키는 등의 효과가 있다.플라즈마, 챔버, 가스주입수단, 상부전극수단, 하부전극수단
Int. CL H01L 21/3065 (2006.01)
CPC H01L 21/67069(2013.01) H01L 21/67069(2013.01) H01L 21/67069(2013.01)
출원번호/일자 1020060043044 (2006.05.12)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0746910-0000 (2007.08.01)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070807) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.05.12)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영수 대한민국 대전광역시 유성구
2 유중재 대한민국 대전광역시 유성구
3 오재섭 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.05.12 수리 (Accepted) 1-1-2006-0333985-67
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.03.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.04.11 수리 (Accepted) 9-1-2007-0019386-39
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.04.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0214055-00
5 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 2007.04.25 수리 (Accepted) 1-1-2007-0313878-56
6 의견서
Written Opinion		 2007.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2007-0445302-98
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.06.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0445328-74
8 등록결정서
Decision to grant		 2007.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0419293-56
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
웨이퍼를 식각하는 공정이 수행되는 챔버;SF6와 O2로 이루어진 가스를 상기 O2의 유량이 상기 SF6의 유량의 0
2 2
제1 항에 있어서상기 웨이퍼는 실리콘 또는 폴리실리콘인 플라즈마 식각장치
3 3
제1 항에 있어서,상기 챔버 내부의 압력은 15 mT 이상 90 mT 이하인 플라즈마 식각장치
4 4
제1 항에 있어서,상기 RF전력은 1000 W 이상 3000 W 이하이고,상기 바이어스 전압은 200 V 이상 600 V 이하인 플라즈마 식각장치
5 5
제1 항에 있어서,상기 SF6의 유량은 50 sccm 이상 400 sccm 이하이고,상기 O2의 유량은 50 sccm 이상 300 sccm 이하인 플라즈마 식각장치
6 6
제1 항에 있어서,상기 RF전력은 유도결합플라즈마(ICP) 방식으로 공급되는 플라즈마 식각장치
7 7
챔버 내부의 하부전극상에 포토 레지스트 패턴이 형성된 웨이퍼를 로딩하는 단계;SF6와 O2로 이루어진 가스를 상기 O2의 유량이 상기 SF6의 유량의 0
8 8
삭제
9 9
제7 항에 있어서상기 웨이퍼는 실리콘 또는 폴리실리콘인 플라즈마 식각방법
10 10
제7 항에 있어서,상기 챔버 내부의 압력은 15 mT 이상 90 mT 이하인 플라즈마 식각방법
11 11
제7 항에 있어서,상기 RF전력은 1000 W 이상 3000 W 이하이고,상기 바이어스 전압은 200 V 이상 600 V 이하인 플라즈마 식각방법
12 12
제7 항에 있어서,상기 SF6의 유량은 50 sccm 이상 400 sccm 이하이고,상기 O2의 유량은 50 sccm 이상 300 sccm 이하인 플라즈마 식각방법
13 13
제7 항에 있어서,상기 RF전력은 유도결합플라즈마(ICP) 방식으로 공급되는 플라즈마 식각방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.