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기판;상기 기판 상에 이격되어 형성되는 제1 및 제2 도전층;상기 제1 및 제2 도전층 상에 소정의 간격으로 이격되고, 전기적으로 플로팅(floating)되는 흡수체; 및상기 흡수체를 지지하고, 상기 간격을 조절하는 구동부를 포함하고,상기 구동부는 바이머티리얼(bimaterial) 부재를 포함하며, 상기 구동부의 일단은 제1 구동 부재와 상기 제1 구동 부재보다 열팽창 계수가 작고 비전도성을 갖는 제2 구동 부재가 접합되어 상기 흡수체에 연결되고, 상기 구동부의 타단은 상기 제2 구동 부재가 상기 제1 구동 부재보다 길게 연장되어 상기 기판에 연결되는 것을 특징으로 하는 트렌스듀서(transducer)
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제1항에 있어서,상기 흡수체는 도전성 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 트렌스듀서
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제1항에 있어서,상기 제1 및 제2 도전층을 전기적으로 연결하는 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 트렌스듀서
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제3항에 있어서,상기 제1 및 제2 도전층에 전압이 공급될 때, 상기 제1 도전층은 상기 흡수체와 제1 커패시터를 이루고, 상기 제2 도전층은 상기 흡수체와 제2 커패시터를 이루며, 상기 회로는 상기 제1 및 제2 커패시터의 합성 커패시턴스를 측정하는 것을 특징으로 하는 트렌스듀서
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삭제
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삭제
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삭제
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8
제1항에 있어서,상기 구동부는 두개의 바이머티리얼 부재를 각각 상기 흡수체의 한변 또는 두변에 대응하게 배치한 구조인 것을 특징으로 하는 트렌스듀서
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9
기판;상기 기판 상에 이격되어 형성된 제1 및 제2 도전층;상기 제1 및 제2 도전층 상에 소정의 간격으로 이격되고, 전기적으로 플로팅된 적외선 흡수체; 및상기 적외선 흡수체를 지지하고, 상기 간격을 조절하는 구동부를 포함하고,상기 구동부는 바이머티리얼(bimaterial) 부재를 포함하며, 상기 구동부의 일단은 제1 구동 부재와 상기 제1 구동 부재보다 열팽창 계수가 작고 비전도성을 갖는 제2 구동 부재가 접합되어 상기 흡수체에 연결되고, 상기 구동부의 타단은 상기 제2 구동 부재가 상기 제1 구동 부재보다 길게 연장되어 상기 기판에 연결되는 것을 특징으로 하는 적외선 디텍터
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제9항에 있어서,상기 제1 및 제2 도전층을 전기적으로 연결하는 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 적외선 디텍터
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제9항에 있어서,상기 흡수체는 도전성 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 적외선 디텍터
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기판;상기 기판 상에 이격되어 형성된 제1 및 제2 도전층;상기 제1 및 제2 도전층 상에 소정의 간격으로 이격된 플레이트;상기 플레이트 하면에 상기 제1 및 제2 도전층과 대향되도록 형성되고, 전기적으로 플로팅되는 제3 도전층; 및상기 제3 도전층을 지지하고, 상기 간격을 조절하는 구동부를 포함하는 가변 커패시터
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14
제13항에 있어서,상기 제1 및 제2 도전층을 전기적으로 연결하는 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가변 커패시터
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제13항에 있어서,상기 구동부는 바이머티리얼 부재 및 열발생 저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 가변 커패시터
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제13항에 있어서,상기 구동부는 상기 플레이트를 지지하는 탄성체; 및상기 기판과 상기 플레이트에 각각 형성된 구동 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 가변 커패시터
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기판 상에 제1 및 제2 도전층을 이격시켜 형성하는 단계;상기 제1 및 제2 도전층 상에 희생층을 형성하고, 상기 희생층에 에치 홀을 패터닝하는 단계;상기 희생층 상에 도전성 물질을 포함하는 흡수체를 형성하는 단계;상기 희생층 상에 제1 구동 부재를 형성하고, 상기 제1 구동 부재보다 열팽창 계수가 작은 제2 구동 부재를 상기 제1 구동 부재와 상기 에치 홀 상에 형성하는 단계; 및상기 희생층을 제거하는 단계를 포함하는 트렌스듀서의 제조 방법
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제17항에 있어서,상기 제1 및 제2 도전층을 전기적으로 연결하여 커패시턴스를 측정하는 회로를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 트렌스듀서의 제조 방법
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