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강유전체를 이용한 광센서 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2022004946
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 강유전체를 이용한 광센서로, 기판; 싱기 기판 상에 적층된 제1형 반도체; 및 상기 제1형 반도체와 접촉하여 이종접합 구조를 형성하는 제2형 반도체를 포함하며, 상기 제1형 또는 제2형 반도체 중 적어도 어느 하나는 강유전체인 것을 특징으로하는 강유전체를 이용한 광센서가 제공된다.
Int. CL H01L 31/109 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC H01L 31/109(2013.01) H01L 31/18(2013.01)
출원번호/일자 1020200142477 (2020.10.29)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0057331 (2022.05.09) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.10.29)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최성율 대전광역시 유성구
2 진혁준 대전광역시 유성구
3 이강준 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 다해 대한민국 서울시 서초구 서운로**, ***호(서초동, 중앙로얄오피스텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2020.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2020-1155129-88
2 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2021.11.15 수리 (Accepted) 1-1-2021-1311191-59
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2022.02.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
강유전체를 이용한 광센서로, 기판; 싱기 기판 상에 적층된 제1형 반도체; 및 상기 제1형 반도체와 접촉하여 이종접합 구조를 형성하는 제2형 반도체를 포함하며, 상기 제1형 또는 제2형 반도체 중 적어도 어느 하나는 강유전체인 것을 특징으로하는 강유전체를 이용한 광센서
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1형 반도체와 상기 제2형 반도체는 수직 증착되며, 상기 제1형 반도체와 제2형 반도체는 이차원 반도체 물질인 것을 특징으로 하는 강유전체를 이용한 광센서
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1형은 p형이고 제2형은 n형 이며, 상기 제2형 반도체는 강유전체 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 강유전체를 이용한 광센서
4 4
제1항에 있어서, 상기 강유전체를 이용한 광센서는, 상기 제1형 반도체와 전기적 연통하는 제1 전극과, 상기 제2 형 반도체와 전기적 연통하는 제2 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체를 이용한 광센서
5 5
제3항에 있어서, 상기 p-형 이차원 반도체 물질로 ３ＬWSe2 또는 WSe2 보다 적은 밴드갭을 갖는 이차원 물질이며, 상기 n형 이차원 강유전체 반도체 물질로는 α-In2Se3인 것을 특징으로 하는 강유전체를 이용한 광센서
6 6
제 1항에 있어서, 상기 광선서에 대한 바이어스 인가 방향에 따라 상기 광센서의 광반응도는 달라지며, 이것은 강유전체가 아닌 반도체에서의 캐리어 분극 방향에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는 강유전체를 이용한 광센서
7 7
기판상에 제1형 반도체를 적층하는 단계; 상기 제1형 반도체 상에 상기 제1형 반도체와 접촉하여 이종접합 구조를 형성하는 제2형 반도체를 적층하는 단계; 상기 제1형 반도체의 양 측면에 상기 제1형 반도체와 전기적으로 연통하는 제1 전극을 패터닝하는 단계; 및 상기 제2형 반도체 상에 접촉하는 제2 전극을 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체를 이용한 광센서 제조방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 제1형 반도체와 상기 제2형 반도체는 수직 증착되며, 상기 제1형 반도체와 제2형 반도체는 이차원 반도체 물질인 것을 특징으로 하는 강유전체를 이용한 강유전체를 이용한 광센서 제조방법
9 9
제 8항에 있어서, 상기 제1형은 p형이고 제2형은 n형 이며, 상기 제2형 반도체는 강유전체 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 강유전체를 이용한 광센서 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국과학기술원 개인기초연구(과기정통부)(R＆D) 이차원 소재의 플라즈몬 공명 및 밴드갭 제어를 통한 고감도, 초고속, 광대역 광센싱 원천기술 연구
2 과학기술정보통신부 한국과학기술원 미래소재디스커버리지원(R＆D) 레이저-소재 상호작용 기반 디스플레이 핵심소재 개발