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유기 광전변환물질을 포함하는 탄뎀형 태양전지
- 기술번호 : KST2015113895
- 담당센터 :
- 전화번호 :
| 요약 | 본 발명의 태양 전지는 투광성을 지닌 기판부의 양측에 위치하는 제1 광전변환유닛과 제2 광전변환유닛을 포함하며, 상기 제1 광전변환유닛은 투광성을 지닌 제1 전극부, 투광성을 지닌 제2 전극부, 및 상기 제1 전극부와 상기 제2 전극부 사이에 위치하는 제1 광전변환층을 포함하고, 제2 광전변환유닛은 투광성을 지닌 제3 전극부, 제4 전극부 및 상기 제1 전극부와 상기 제2 전극부 사이에 위치하는 제2 광전변환층을 포함한다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 51/42 (2006.01) |
| CPC | H01L 51/4253(2013.01) H01L 51/4253(2013.01) H01L 51/4253(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020100015204 (2010.02.19) |
| 출원인 | 한국철강 주식회사, 한국과학기술원 |
| 등록번호/일자 | 10-1113007-0000 (2012.01.31) |
| 공개번호/일자 | 10-2011-0095630 (2011.08.25) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20120313) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2010.02.19) |
| 심사청구항수 | 35 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국철강 주식회사 | 대한민국 | 경상남도 창원시 성산구 |
| 2 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 유승협 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 2 | 서명수 | 대한민국 | 경기 용인시 |
| 3 | 한동근 | 대한민국 | 대구 수성구 |
| 4 | 임수연 | 대한민국 | 인천 남동구 |
| 5 | 이수현 | 대한민국 | 경남 마산 |
| 6 | 김호연 | 대한민국 | 서울 송파구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김성호 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국철강 주식회사 | 경상남도 창원시 성산구 | |
| 2 | 한국과학기술원 | 대전광역시 유성구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2010.02.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0110803-86 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2010.08.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2010-5148637-13 |
| 3 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2011.03.11 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 4 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2011.04.19 | 수리 (Accepted) | 9-1-2011-0036678-37 |
| 5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2011.06.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0322882-14 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2011.08.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0629682-10 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2011.08.16 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0629681-64 |
| 8 | 등록결정서 Decision to grant |
2011.10.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0636174-38 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 투광성을 지닌 기판부의 양측에 위치하는 제1 광전변환유닛과 제2 광전변환유닛을 포함하며,상기 제1 광전변환유닛은,홀 또는 전자 중 하나를 제1 전극에 전달하는 제1 버퍼층을 포함하며 투광성을 지닌 제1 전극부, 상기 제1 버퍼층 상에 형성되는 제1 광전변환층, 홀 또는 전자 중 하나를 전달하며 상기 제1 광전변환층 상에 형성되는 제2 버퍼층을 포함하며 투광성을 지닌 제2 전극부를 포함하고, 상기 제2 광전변환유닛은,홀 또는 전자 중 하나를 제3 전극에 전달하는 제3 버퍼층을 포함하며 투광성을 지닌 제3 전극부, 상기 제3 버퍼층 상에 형성되는 제2 광전변환층, 홀 또는 전자 중 하나를 전달하며 상기 제2 광전변환층 상에 형성되는 제4 버퍼층을 포함하는 제4 전극부를 포함하는 태양 전지 |
| 2 |
2 투광성을 지닌 기판부의,양측에 위치하는 복수의 제1 광전변환유닛들과 복수의 제2 광전변환유닛들을 포함하며,상기 제1 광전변환유닛들은,홀 또는 전자 중 하나를 제1 전극에 전달하는 제1 버퍼층을 포함하고 투광성을 지니며 서로 분리된 제1 전극부들, 상기 제1 버퍼층 상에 형성되는 서로 분리된 제1 광전변환층, 홀 또는 전자 중 하나를 전달하며 상기 제1 광전변환층 상에 형성되는 제2 버퍼층을 포함하며 투광성을 지니고 서로 분리된 제2 전극부들을 포함하고,상기 제2 광전변환유닛들은,홀 또는 전자 중 하나를 제3 전극에 전달하는 제3 버퍼층을 포함하고 투광성을 지니며 서로 분리된 제3 전극부들, 상기 제3 버퍼층 상에 형성되는 서로 분리된 제2 광전변환층, 홀 또는 전자 중 하나를 전달하며 상기 제2 광전변환층 상에 형성되는 제4 버퍼층을 포함하며 서로 분리된 제4 전극부들을 포함하는 태양 전지 |
| 3 |
3 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 기판부는 하나의 기판으로 이루어지거나, 제1 기판 및 제2 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지 |
| 4 |
4 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 기판부는 제1 기판 및 제2 기판을 포함하며,상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판을 결합시키는 투광성 결합부가 위치하는 것을 특징으로 하는 태양 전지 |
| 5 |
5 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 기판부는 폴리머로 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양 전지 |
| 6 |
6 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 기판부가 제1 기판 및 제2 기판을 포함하며,상기 제1 기판 또는 상기 제2 기판 중 하나는 폴리머로 이루어지고 다른 하나는 유리로 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양 전지 |
| 7 |
7 제1항 또는 제2항에 있어서,빛이 상기 제1 광전변환유닛으로 입사되어 상기 제2 광전변환유닛에 도달하며,상기 제3 전극부가 상기 기판부에 인접하고 상기 제4 전극부는 투광성을 지니지 않는 것을 특징으로 하는 태양 전지 |
| 8 |
8 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제1 광전변환층 및 상기 제2 광전변환층 중 적어도 하나는 유기 광전변환물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지 |
| 9 |
9 제1항 또는 제2항에 있어서,빛이 상기 제2 전극부를 통하여 입사되며,상기 제1 광전변환층은 상기 제2 광전변환층에 비하여 제1 흡광대역의 빛을 크게 흡수하고 제2 광전변환층은 상기 제1 광전변환층에 비하여 제2 흡광대역의 빛을 크게 흡수하며,제1 흡광대역과 제2 흡광대역의 빛에 대한 상기 제2 전극부의 투과도는 상기 제1 전극부, 상기 제3 전극부, 상기 제4 전극부 또는 상기 기판부 중 적어도 하나의 투과도 보다 높은 것을 특징으로 하는 태양 전지 |
| 10 |
10 제9항에 있어서,상기 제3 전극부는 상기 기판부에 인접하며,상기 제2 흡광대역의 빛에 대한 상기 제3 전극부의 투과도는 상기 제4 전극부의 투과도보다 높은 것을 특징으로 하는 태양 전지 |
| 11 |
11 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제1 광전변환유닛 및 상기 제2 광전변환유닛 중 하나의 애노드와 다른 하나의 캐소드가 연결되거나,상기 제1 광전변환유닛 및 상기 제2 광전변환유닛의 애노드들이 서로 연결되고 상기 제1 광전변환유닛 및 상기 제2 광전변환유닛의 캐소드들이 서로 연결되는 것을 특징으로 하는 태양 전지 |
| 12 |
12 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제1 광전변환유닛 및 상기 제2 광전변환유닛 중 적어도 하나의광전변환층은 유기 광전변환물질을 포함하며,상기 유기 광전변환물질을 포함하는 광전변환유닛의 전극부는 캐리어를 전달하는 버퍼층과, 상기 버퍼층과 접촉하는 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지 |
| 13 |
13 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제1 광전변환층은 상기 제2 광전변환층에 비하여 제1 흡광대역의 빛을 크게 흡수하고 제2 광전변환층은 상기 제1 광전변환층에 비하여 제2 흡광대역의 빛을 크게 흡수하는 것을 특징으로 하는 태양 전지 |
| 14 |
14 제13항에 있어서,상기 제1 흡광대역의 빛은 350 nm 이상 700 nm 이하의 파장을 지니고, 상기 제2 흡광대역의 빛은 700 nm 보다 크고 1100 nm 이하의 파장을 지니는 것을 특징으로 하는 태양 전지 |
| 15 |
15 제13항에 있어서,상기 제1 흡광대역의 파장이 상기 제2 흡광대역의 파장보다 작을 경우 상기 제1 광전변환층은 P3HT와 PCBM를 포함하고,상기 제1 흡광대역의 파장이 상기 제2 흡광대역의 파장보다 작을 경우 상기 제1 광전변환층은 PCBM과 폴리카바졸 유도체를 포함하거나 PCBM과 PCPDTBT를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지 |
| 16 |
16 제2항에 있어서,인접한 상기 제1 광전변환유닛들 중 하나의 제1 광전변환유닛의 제1 전극부는 다른 하나의 제1 광전변환유닛의 제2 전극부와 연결되고, 인접한 상기 제2 광전변환유닛들 중 하나의 제2 광전변환유닛의 제3 전극부는 다른 하나의 제2 광전변환유닛의 제4 전극부와 연결되며,상기 제1 광전변환유닛들을 포함하는 제1 그룹과, 상기 제2 광전변환유닛들을 포함하는 제2 그룹은 서로 직렬 또는 병렬로 연결되는 것을 특징으로 하는 태양 전지 |
| 17 |
17 제2항에 있어서,인접한 상기 제1 광전변환유닛들 중 하나의 제1 광전변환유닛의 제1 전극부 및 제2 전극부는 다른 하나의 제1 광전변환유닛의 제1 전극부 및 제2 전극부와 각각 연결되고, 인접한 상기 제2 광전변환유닛들 중 하나의 제2 광전변환유닛의 제3 전극부 및 제4전극부는 다른 하나의 제2 광전변환유닛의 제3전극부 및 제4 전극부와 연결되며,상기 제1 광전변환유닛들을 포함하는 제1 그룹과, 상기 제2 광전변환유닛들을 포함하는 제2 그룹은 서로 직렬 또는 병렬로 연결되는 것을 특징으로 하는 태양 전지 |
| 18 |
18 제4항에 있어서,상기 제1 기판 및 상기 투광성 결합부의 굴절률의 차이와 상기 제2 기판 및 상기 투광성 결합부의 굴절률의 차이 각각은 0 이상 0 |
| 19 |
19 투광성을 지닌 기판부의 일측에 투광성을 지닌 제1 전극이 형성된 기판부가 준비되는 단계;상기 제1 전극 상에 홀 또는 전자 중 하나를 제1 전극에 전달하는 제1 버퍼층이 형성되는 단계;상기 제1 버퍼층 상에 유기 광전변환물질을 포함하는 제1 광전변환층이 형성되는 단계;홀 또는 전자 중 다른 하나를 전달하는 제2 버퍼층이 상기 제1 광전변환층 상에 형성되는 단계;상기 제2 버퍼층 상에 투광성을 지닌 제2 전극이 형성되는 단계;상기 기판부의 타측에 형성되며 투광성을 지닌 제3 전극 상에 홀 또는 전자 중 하나를 상기 제3 전극에 전달하는 제3 버퍼층이 형성되는 단계;상기 제3 버퍼층 상에 유기 광전변환물질을 포함하는 제2 광전변환층이 형성되는 단계;홀 또는 전자 중 다른 하나를 전달하는 제4 버퍼층이 상기 제2 광전변환층 상에 형성되는 단계; 및 상기 제4 버퍼층 상에 제4 전극이 형성되는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법 |
| 20 |
20 투광성을 지닌 기판부의 일측에 투광성을 지니며 서로 분리된 제1 전극들이 형성된 기판부가 준비되는 단계;상기 제1 전극 상에 홀 또는 전자 중 하나를 상기 제1 전극에 전달하는 제1 버퍼층이 형성되는 단계;복수의 제1 광전변환층들이 서로 분리되도록 상기 각각의 제1 버퍼층 상에 유기 광전변환물질을 포함하는 상기 제1 광전변환층이 형성되는 단계;홀 또는 전자 중 다른 하나를 전달하는 제2 버퍼층이 상기 각각의 제1 광전변환층 상에 형성되는 단계;상기 각각의 제2 버퍼층 상에 투광성을 지닌 제2 전극이 형성되는 단계;상기 기판부의 타측에 형성되며 서로 분리되고 투광성을 지닌 제3 전극들 상에 홀 또는 전자 중 하나를 상기 제3 전극에 전달하는 제3 버퍼층들이 형성되는 단계;제2 광전변환층들이 서로 분리되도록 상기 제3 버퍼층들 상에 유기 광전변환물질을 포함하는 상기 제2 광전변환층들이 형성되는 단계;홀 또는 전자 중 다른 하나를 전달하는 제4 버퍼층이 상기 제2 광전변환층 상에 형성되는 단계; 및 상기 제4 버퍼층 상에 제4 전극이 형성되는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법 |
| 21 |
21 제19항 또는 제20항에 있어서,상기 기판부가 하나의 기판으로 이루어지고, 상기 기판의 일측에 상기 제1 전극이 형성되고, 상기 기판의 타측에 상기 제3 전극이 형성되는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법 |
| 22 |
22 제19항 또는 제20항에 있어서,상기 기판부가 제1 기판 및 제2 기판을 포함하고, 상기 제1 기판의 일측에 상기 제1 전극이 형성되고, 상기 제2 기판의 타측에 상기 제3 전극이 형성되며,상기 제1 기판의 타측 및 상기 제2 기판의 일측은 투광성 결합부에 의하여 결합되는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법 |
| 23 |
23 제22항에 있어서,상기 제4 전극이 형성된 후 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판이 상기 투광성 결합부에 의하여 결합되는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법 |
| 24 |
24 제19항 또는 제20항에 있어서,상기 기판부는 폴리머로 이루어진 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법 |
| 25 |
25 제24항에 있어서,상기 기판부가 제1 기판 및 제2 기판을 포함하며,상기 제1 기판 또는 상기 제2 기판 중 하나는 폴리머로 이루어지고 다른 하나는 유리로 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법 |
| 26 |
26 제19항 또는 제20항에 있어서,상기 제3 전극부가 상기 기판부에 인접하고 상기 제4 전극부는 투광성을 지니지 않는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법 |
| 27 |
27 제19항 또는 제20항에 있어서,빛이 상기 제2 전극부를 통하여 입사되며,상기 제1 광전변환층은 상기 제2 광전변환층에 비하여 제1 흡광대역의 빛을 크게 흡수하고 제2 광전변환층은 상기 제1 광전변환층에 비하여 제2 흡광대역의 빛을 크게 흡수하며,제1 흡광대역과 제2 흡광대역의 빛에 대한 상기 제2 전극부의 투과도는 상기 제1 전극부, 상기 제3 전극부, 상기 제4 전극부 또는 상기 기판부 중 적어도 하나의 투과도 보다 높은 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법 |
| 28 |
28 제27항에 있어서,상기 제3 전극부는 상기 기판부에 인접하며,상기 제2 흡광대역의 빛에 대한 상기 제3 전극부의 투과도는 상기 제4 전극부의 투과도보다 높은 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법 |
| 29 |
29 제19항 또는 제20항에 있어서,상기 제1 광전변환층은 상기 제2 광전변환층에 비하여 제1 흡광대역의 빛을 크게 흡수하고 제2 광전변환층은 상기 제1 광전변환층에 비하여 제2 흡광대역의 빛을 크게 흡수하는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법 |
| 30 |
30 제29항에 있어서,상기 제1 흡광대역의 빛은 350 nm 이상 700 nm 이하의 파장을 지니고, 상기 제2 흡광대역의 빛은 700 nm 보다 크고 1100 nm 이하의 파장을 지니는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법 |
| 31 |
31 제29항에 있어서,상기 제1 흡광대역이 상기 제2 흡광대역보다 클 경우 상기 제1 광전변환층은 P3HT와 PCBM를 포함하고,상기 제1 흡광대역이 상기 제2 흡광대역보다 작을 경우 상기 제1 광전변환층은 PCBM과 폴리카바졸 유도체를 포함하거나 PCBM과 PCPDTBT를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법 |
| 32 |
32 제20항에 있어서,제1 광전변환유닛은 상기 제1 전극 및 상기 제1 버퍼층으로 이루어진 제1 전극부, 상기 제1 광전변환층, 상기 제2 버퍼층 및 상기 제2 전극으로 이루어진 제2 전극부를 포함하고,제2 광전변환유닛은 상기 제3 전극 및 상기 제3 버퍼층으로 이루어진제3 전극부, 상기 제2 광전변환층, 상기 제4 버퍼층 및 상기 제4 전극으로 이루어진 제4 전극부를 포함하며,인접한 제1 광전변환유닛들 중 하나의 제1 광전변환유닛의 제1 전극부는 다른 하나의 제1 광전변환유닛의 제2 전극부와 연결되고, 인접한 제2 광전변환유닛들 중 하나의 제2 광전변환유닛의 제3 전극부는 다른 하나의 제2 광전변환유닛의 제4 전극부와 연결되며,상기 제1 광전변환유닛들을 포함하는 제1 그룹과, 상기 제2 광전변환유닛들을 포함하는 제2 그룹은 서로 직렬 또는 병렬로 연결되는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법 |
| 33 |
33 제20항에 있어서,제1 광전변환유닛은 상기 제1 전극 및 상기 제1 버퍼층으로 이루어진 제1 전극부, 상기 제1 광전변환층, 상기 제2 버퍼층 및 상기 제2 전극으로 이루어진 제2 전극부를 포함하고,제2 광전변환유닛은 상기 제3 전극 및 상기 제3 버퍼층으로 이루어진제3 전극부, 상기 제2 광전변환층, 상기 제4 버퍼층 및 상기 제4 전극으로 이루어진 제4 전극부를 포함하며,인접한 제1 광전변환유닛들 중 하나의 제1 광전변환유닛의 제1 전극부 및 제2 전극부는 다른 하나의 제1 광전변환유닛의 제1 전극부 및 제2 전극부와 각각 연결되고, 인접한 제2 광전변환유닛들 중 하나의 제2 광전변환유닛의 제3 전극부 및 제4전극부는 다른 하나의 제2 광전변환유닛의 제3전극부 및 제4 전극부와 연결되며,상기 제1 광전변환유닛들을 포함하는 제1 그룹과, 상기 제2 광전변환유닛들을 포함하는 제2 그룹은 서로 직렬 또는 병렬로 연결되는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법 |
| 34 |
34 제23항에 있어서,상기 제1 기판 및 상기 투광성 결합부의 굴절률의 차이와 상기 제2 기판 및 상기 투광성 결합부의 굴절률의 차이 각각은 0 이상 0 |
| 35 |
35 제21항에 있어서,상기 기판부의 타측에 형성되는 상기 제2 광전변환층의 유기 광전변환물질의 열처리 온도는 상기 기판부의 일측에 형성된 제1 광전변환층의 유기 광전변환물질의 열처리 온도와 같거나 낮은 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1113007-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20100219 출원 번호 : 1020100015204 공고 연월일 : 20120313 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20111031 청구범위의 항수 : 35 유별 : H01L 51/42 발명의 명칭 : 유기 광전변환물질을 포함하는 탄뎀형 태양전지 존속기간(예정)만료일 : 20160201 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국과학기술원 대전광역시 유성구... |
| 1 |
(권리자) 한국철강 주식회사 경상남도 창원시 성산구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 1,410,000 원 | 2012년 02월 01일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 810,000 원 | 2014년 12월 31일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2010.02.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0110803-86 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2010.08.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2010-5148637-13 |
| 3 | 선행기술조사의뢰서 | 2011.03.11 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 4 | 선행기술조사보고서 | 2011.04.19 | 수리 (Accepted) | 9-1-2011-0036678-37 |
| 5 | 의견제출통지서 | 2011.06.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0322882-14 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2011.08.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0629682-10 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 | 2011.08.16 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0629681-64 |
| 8 | 등록결정서 | 2011.10.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0636174-38 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345194420 |
|---|---|
| 세부과제번호 | N01120012 |
| 연구과제명 | 나노유기 태양광발전을 통한 차세대 태양광 발전사업의 개발 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 교육과학기술부 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2012 |
| 연구기간 | 200902~201401 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | ET(환경기술) |
| 과제고유번호 | 1345136689 |
|---|---|
| 세부과제번호 | N01090034 |
| 연구과제명 | 나노 유기 태양전지 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 교육과학기술부 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2010 |
| 연구기간 | 200902~201401 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | ET(환경기술) |
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