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박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015114266
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 박막 트랜지스터의 제조 방법은 화학 기상 증착법(CVD)을 이통해 기판 상에 24nm 내지 44nm의 두께로 금속 산화물 박막을 성막하여 금속 산화물 활성층을 형성하는 단계를 포함한다.따라서, 본 발명에 의하면 금속 산화물 박막을 화학 기상 증착법(CVD)으로 제작함으로써 공정을 단순화시킬 수 있고, 생산성 향상은 물론 생산 비용을 절감시킬 수 있다. 또한, 화학 기상 증착법(CVD)을 통해 금속 산화물 박막의 두께를 최적화 할 수 있고, 이로 인해 박막 트랜지스터의 동작 특성을 향상시킬 수 있다.금속 산화물 박막, 금속 산화물 활성층, 박막 트랜지스터
Int. CL H01L 21/205 (2006.01.01) H01L 29/786 (2006.01.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020080090367 (2008.09.12)
출원인 한국과학기술원, 주성엔지니어링(주)
등록번호/일자 10-1535546-0000 (2015.07.03)
공개번호/일자 10-2010-0031330 (2010.03.22) 문서열기
공고번호/일자 (20150709) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.09.05)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주성엔지니어링(주) 대한민국 경기도 광주시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박재우 대한민국 대전광역시 유성구
2 김철환 대한민국 경기도 안양시 동안구
3 이형섭 대한민국 경기도 수원시 영통구
4 권영호 대한민국 경기도 용인시 처인구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남승희 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주성엔지니어링(주) 대한민국 경기도 광주시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.09.12 수리 (Accepted) 1-1-2008-0648533-12
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.10.12 수리 (Accepted) 4-1-2009-5195249-78
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5148963-82
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.15 수리 (Accepted) 4-1-2013-5098149-30
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.09.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0813519-72
7 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2013.09.05 수리 (Accepted) 1-1-2013-0813520-18
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.11.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0781106-15
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-0048064-35
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.01.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0048063-90
14 등록결정서
Decision to grant		 2015.04.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0235032-63
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2019-5143725-93
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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기판 상에 24nm 이상, 44nm 이하의 두께로 Zn계 물질로 이루어진 금속 산화물 박막을 성막하여 금속 산화물 활성층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 금속 산화물 박막은 다이에틸아연(DIETHYLZINC; DEZ) 및 다이메틸아연(Dimethylzinc; DMZ) 중 어느 하나의 전구체와 반응가스를 동시에 공급하는 유기 금속 화학 증착법(MOCVD)으로 형성하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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3 3
삭제
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청구항 1에 있어서,상기 금속 산화물 박막을 형성하는데 있어서, 상기 기판의 온도를 150℃ 내지 200℃로 하고,공정 압력을 0
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기판 상에 형성된 게이트 전극;상기 게이트 전극을 포함하는 상기 기판 전면에 형성된 게이트 절연막;상기 게이트 전극의 상측의 상기 게이트 절연막 상에 24nm 이상, 44nm 이하의 두께로 Zn계 물질로 이루어진 금속 산화물 박막을 성막하여 형성된 Zn계 금속 산화물 활성층;적어도 상기 금속 산화물 활성층 상에 형성된 소스 및 드레인 전극을 포함하고,상기 금속 산화물 박막은 다이에틸아연(DIETHYLZINC; DEZ) 및 다이메틸아연(Dimethylzinc; DMZ) 중 어느 하나와 반응가스를 동시에 공급하는 유기 금속 화학 증착법(MOCVD)으로 형성된 박막 트랜지스터
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청구항 5에 있어서,상기 금속 산화물 활성층은 ZnO 박막으로 형성되는 박막 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.