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적층형 태양전지 및 상기 태양전지의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015114462
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전도성 기판 상에 p+ 층, 단결정 실리콘층, 비정질 실리콘층 및 투명 전도성 산화층이 순서대로 적층된 적층형 태양전지에 있어서, 상기 단결정 실리콘층의 두께가 1 ~ 100 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 적층형 태양전지에 관한 것이다. 또한 본 발명은 전도성 기판 상에 단결정 실리콘층과 비정질 실리콘층이 형성된 적층형 태양전지 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 단결정 실리콘 기판의 양면에 p+ 층을 형성하는 단계, 상기 단결정 실리콘 기판의 소정의 깊이에 수소 이온을 주입하여 비정질 실리콘층을 형성하는 단계, 상기 p+ 층 상부면에 전도성 기판을 형성하는 단계, 상기 단결정 실리콘 기판을 수소 이온을 주입한 위치에서 절단하는 단계 및 상기 비정질 실리콘층 상부면에 투명 전도성 산화물층을 형성하는 단계를 포함하는, 전도성 기판 상에 단결정 실리콘층과 비정질 실리콘층이 형성된 적층형 태양전지를 제조하는 방법에 관한 것이다. 단결정 실리콘, 비정질 실리콘, 수소 이온, 태양전지
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/0747(2013.01) H01L 31/0747(2013.01) H01L 31/0747(2013.01) H01L 31/0747(2013.01)
출원번호/일자 1020080135620 (2008.12.29)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0967903-0000 (2010.06.28)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20100706) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.29)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안병태 대한민국 대전광역시 유성구
2 박규찬 대한민국 경기도 평택시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0899095-35
2 등록결정서
Decision to grant		 2010.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0131593-65
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1
전도성 기판 상에 p+ 층, 단결정 실리콘층, 비정질 실리콘층 및 투명 전도성 산화층이 순서대로 적층된 적층형 태양전지에 있어서, 상기 단결정 실리콘층의 두께는 1 ~ 100 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 적층형 태양전지
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 전도성 기판은 금속판이거나, 그래파이트 또는 투명전극이 도포된 유리판인 것을 특징으로 하는 적층형 태양전지
3 3
전도성 기판 상에 단결정 실리콘층과 비정질 실리콘층이 형성된 적층형 태양전지 제조방법에 있어서, 단결정 실리콘 기판의 양면에 p+ 층을 형성하는 단계; 상기 단결정 실리콘 기판의 소정의 깊이에 수소 이온을 주입하여 비정질 실리콘층을 형성하는 단계; 상기 p+ 층 상부면에 전도성 기판을 형성하는 단계; 상기 단결정 실리콘 기판을 수소 이온을 주입한 위치에서 절단하는 단계; 및 상기 비정질 실리콘층 상부면에 투명 전도성 산화물층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 기판 상에 단결정 실리콘층과 비정질 실리콘층이 형성된 적층형 태양전지 제조방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 전도성 기판은 전도성 접착제 또는 다이렉트 본딩(direct bonding)에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 전도성 기판 상에 단결정 실리콘층과 비정질 실리콘층이 형성된 적층형 태양전지 제조방법
5 5
제 3 항에 있어서, 상기 전도성 기판은 금속판이거나, 그래파이트 또는 투명전극이 도포된 유리판인 것을 특징으로 하는 전도성 기판 상에 단결정 실리콘층과 비정질 실리콘층이 형성된 적층형 태양전지 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.