기술이전플랫폼 Tech-Bridge-이전대상기술

맞춤기술찾기

홈으로 가기

맞춤기술찾기

이전대상기술

프린트하기

이전대상기술

광 검출 소자 및 그 제조방법

기술번호 : KST2015114809
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

상담신청 PDF 받기

상세정보
공개전문
공고전문
등록사항
통합행정정보
기술정보
과제정보
관련기술
심판사항

서지정보
인명정보
행정처리
청구항
지정국
패밀리정보
국가R&D 연구정보

이전 슬라이드 보기 다음 슬라이드 보기

요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 고집적화가 용이하면서 복잡한 주변 소자에 의한 신호 감쇠를 줄이는 동시에 각 화소 간 다이나믹 접근(dynamic access)을 달성하고, 또한, 균일도를 개선시켜 고정패턴잡음을 해결하는 한편, 극 저조도에서도 이미지(image)를 포착할 수 있는 고감도 광 검출 소자 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것으로서, 이를 위해 본 발명은 소스 및 드레인과, 상기 소스 및 드레인 사이에 형성된 채널층과, 상기 채널층과 접하도록 형성된 광 흡수층을 포함하는 광 검출 소자를 제공한다.CCD, CIS, 광 검출 소자, 광 흡수층, 양자 막대, 나노선,
Int. CL	H01L 31/10 (2006.01)
CPC	H01L 31/10(2013.01) H01L 31/10(2013.01) H01L 31/10(2013.01) H01L 31/10(2013.01)
출원번호/일자	1020080014435 (2008.02.18)
출원인	한국과학기술원
등록번호/일자	10-1406911-0000 (2014.06.05)
공개번호/일자	10-2009-0075592 (2009.07.08) 문서열기
공고번호/일자	(20140616) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보	대한민국 \| 1020080001072 \| 2008.01.04
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2013.01.24)
심사청구항수	23

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한국과학기술원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	최현환	대한민국	대전광역시 유성구
2	원용협	대한민국	대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	유미특허법인	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로 *, 서림빌딩 층 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한국과학기술원		대전광역시 유성구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2008.02.18	수리 (Accepted)	1-1-2008-0118857-68
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.07.06	수리 (Accepted)	4-1-2009-5132002-09
3	[출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment	2009.07.07	수리 (Accepted)	1-1-2009-0414119-92
4	[출원인변경]권리관계변경신고서 [Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status	2009.08.11	수리 (Accepted)	1-1-2009-5030812-57
5	보정요구서 Request for Amendment	2009.08.14	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2009-0058345-35
6	[출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment	2009.08.28	수리 (Accepted)	1-1-2009-5033678-49
7	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)	2013.01.24	수리 (Accepted)	1-1-2013-0071635-66
8	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2013.01.24	수리 (Accepted)	1-1-2013-0071636-12
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2013.02.01	수리 (Accepted)	4-1-2013-5019983-17
10	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2013.12.05	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
11	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2014.01.10	수리 (Accepted)	9-1-2014-0003523-11
12	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2014.03.18	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0190473-50
13	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2014.05.16	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2014-0462659-56
14	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2014.05.16	수리 (Accepted)	1-1-2014-0462658-11
15	등록결정서 Decision to grant	2014.05.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0370952-96
16	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2014-5157993-01
17	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2014-5158129-58
18	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2014-5157968-69
19	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.04.24	수리 (Accepted)	4-1-2019-5081392-49
20	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.05.15	수리 (Accepted)	4-1-2020-5108396-12
21	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.06.12	수리 (Accepted)	4-1-2020-5131486-63

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 소스 및 드레인;상기 소스 및 드레인 사이에 형성된 채널층; 상기 채널층과 접하도록 형성된 광 흡수층; 및적어도 일부가 상기 광 흡수층에 매립되도록 형성된 제어전극을 포함하는 광 검출 소자
2	2 삭제
3	3 삭제
4	4 제 1 항에 있어서, 상기 광 흡수층은 상기 제어전극에 의해 이분할된 광 검출 소자
5	5 제 1 항에 있어서, 상기 광 흡수층은 상기 채널층과 나란한 방향으로 바(bar) 형태로 형성된 광 검출 소자
6	6 제 1 항에 있어서, 상기 광 흡수층은 상기 채널층과 나란한 방향으로 서로 분할된 복수 개의 섬(island) 형태로 형성된 광 검출 소자
7	7 제 1 항에 있어서, 상기 광 흡수층은 하나의 반도체 물질로 형성되거나, 복수 개의 반도체 물질이 적층된 다층 구조로 형성된 광 검출 소자
8	8 제 1 항에 있어서, 상기 광 흡수층은 상기 제어전극과 접촉되는 부위가 다른 부위에 비해 더 높은 농도로 도핑된 광 검출 소자
9	9 제 1 항에 있어서, 상기 광 흡수층을 둘러싸도록 형성된 전하 이탈 방지층을 더 포함하는 광 검출 소자
10	10 제 9 항에 있어서, 상기 전하 이탈 방지층은 절연막으로 형성된 광 검출 소자
11	11 제 1 항에 있어서, 상기 광 흡수층은 상기 채널층을 덮도록 형성된 광 검출 소자
12	12 제 11 항에 있어서, 상기 채널층을 둘러싸도록 형성된 전하 이탈 방지층을 더 포함하는 광 검출 소자
13	13 제 1 항에 있어서, 상기 광 흡수층은 반도체 물질로 형성된 광 검출 소자
14	14 제 13 항에 있어서, 상기 제어전극은 금속물질로 형성된 광 검출 소자
15	15 제 1 항에 있어서, 상기 광 흡수층은 상기 채널층과 서로 다른 밴드 갭 에너지를 갖는 물질로 형성된 광 검출 소자
16	16 소스 및 드레인;상기 소스 및 드레인 사이에 형성된 복수 개의 채널층;상기 채널층 사이에 형성된 복수 개의 광 흡수층;상기 광 흡수층 상부에 형성되거나 또는 적어도 일부가 상기 광 흡수층 내부에 매립되도록 형성된 복수 개의 제어전극;상기 복수 개의 제어전극과 공통으로 연결된 게이트 라인;상기 소스와 연결된 소스 라인; 및상기 드레인과 연결된 드레인 라인을 포함하는 광 검출 소자
17	17 제 16 항에 있어서, 상기 광 흡수층은 상기 채널층과 나란한 방향으로 바 형태로 형성된 광 검출 소자
18	18 제 16 항에 있어서, 상기 광 흡수층은 상기 채널층과 나란한 방향으로 복수 개로 분할된 섬 형태로 형성된 광 검출 소자
19	19 제 16 항에 있어서, 상기 광 흡수층을 둘러싸도록 형성된 전하 이탈 방지층을 더 포함하는 광 검출 소자
20	20 기판을 국부적으로 식각하여 채널층과 소스 및 드레인이 형성될 반도체층 패턴을 형성하는 단계;상기 반도체층 패턴의 양측벽에 전하 이탈 방지층을 형성하는 단계;상기 전하 이탈 방지층 사이가 매립되도록 광 흡수층을 형성하는 단계; 및상기 소스 및 드레인이 형성될 반도체층 패턴에 이온을 주입하여 소스 및 드레인을 형성하는 단계를 포함하는 광 검출 소자의 제조방법
21	21 제 20 항에 있어서, 상기 소스 및 드레인을 형성하는 단계 후, 상기 광 흡수층 상부에 제어전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 광 검출 소자의 제조방법
22	22 제 20 항에 있어서, 상기 소스 및 드레인을 형성하는 단계 후, 상기 광 흡수층에 적어도 일부가 매립되도록 제어전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 광 검출 소자의 제조방법
23	23 제 20 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판은 SOI(Silicon On Insulator) 기판 또는 벌크(bulk) 기판인 광 검출 소자의 제조방법
24	24 제 20 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광 흡수층은 반도체 물질로 형성하는 광 검출 소자의 제조방법
25	25 제 24 항에 있어서, 상기 제어전극은 금속물질로 형성하는 광 검출 소자의 제조방법

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-1406911-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20080218 출원 번호 : 1020080014435 공고 연월일 : 20140616 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20140529 청구범위의 항수 : 23 유별 : H01L 31/10 발명의 명칭 : 광 검출 소자 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20180606

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 한국과학기술원 대전광역시 유성구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	471,000 원	2014년 06월 05일	납입
제 4 년분	금 액	382,200 원	2017년 05월 30일	납입

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2008.02.18	수리 (Accepted)	1-1-2008-0118857-68
2	출원인정보변경(경정)신고서	2009.07.06	수리 (Accepted)	4-1-2009-5132002-09
3	[출원서등 보정]보정서	2009.07.07	수리 (Accepted)	1-1-2009-0414119-92
4	[출원인변경]권리관계변경신고서	2009.08.11	수리 (Accepted)	1-1-2009-5030812-57
5	보정요구서	2009.08.14	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2009-0058345-35
6	[출원서등 보정]보정서	2009.08.28	수리 (Accepted)	1-1-2009-5033678-49
7	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2013.01.24	수리 (Accepted)	1-1-2013-0071635-66
8	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2013.01.24	수리 (Accepted)	1-1-2013-0071636-12
9	출원인정보변경(경정)신고서	2013.02.01	수리 (Accepted)	4-1-2013-5019983-17
10	선행기술조사의뢰서	2013.12.05	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
11	선행기술조사보고서	2014.01.10	수리 (Accepted)	9-1-2014-0003523-11
12	의견제출통지서	2014.03.18	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0190473-50
13	[명세서등 보정]보정서	2014.05.16	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2014-0462659-56
14	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2014.05.16	수리 (Accepted)	1-1-2014-0462658-11
15	등록결정서	2014.05.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0370952-96
16	출원인정보변경(경정)신고서	2014.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2014-5157993-01
17	출원인정보변경(경정)신고서	2014.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2014-5158129-58
18	출원인정보변경(경정)신고서	2014.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2014-5157968-69
19	출원인정보변경(경정)신고서	2019.04.24	수리 (Accepted)	4-1-2019-5081392-49
20	출원인정보변경(경정)신고서	2020.05.15	수리 (Accepted)	4-1-2020-5108396-12
21	출원인정보변경(경정)신고서	2020.06.12	수리 (Accepted)	4-1-2020-5131486-63

중요키워드

이전대상기술 뷰 페이지 관련기술 표
[KST2021004183][한국과학기술원]	다공성 양극 산화 알미늄 기반 적외선 방사체 소자	새창보기
[KST2014046604][한국과학기술원]	광 소자 및 그 제작 방법	새창보기
[KST2015114079][한국과학기술원]	배면 입사 구조를 갖는 실리콘 광전자증배관, 그 제조방법 및 이를 이용한 방사선 검출기	새창보기
[KST2019024315][한국과학기술원]	수평형 실리콘 광증배소자 및 그 제조방법	새창보기
[KST2019019058][한국과학기술원]	이종 광 집적회로 및 이의 제조 방법	새창보기
[KST2021010593][한국과학기술원]	실리콘 광증배소자 동작전압 탐색 시스템	새창보기
[KST2020016879][한국과학기술원]	광증배소자 및 그 제조방법	새창보기
[KST2014065454][한국과학기술원]	높은 응답도를 갖는 볼로 미터 구조	새창보기
[KST2015112674][한국과학기술원]	３차원 광전자집게 시스템 및 이를 이용한 미세유체 구동방법	새창보기
[KST2015116308][한국과학기술원]	평면형 애벌랜치 포토다이오드 및 그 제조방법	새창보기
[KST2017011100][한국과학기술원]	실리콘 광증배 소자(Silicon photomultiplier device)	새창보기
[KST2022004946][한국과학기술원]	강유전체를 이용한 광센서 및 그 제조방법	새창보기
[KST2022005342][한국과학기술원]	광 위상 배열 수신기 및 그 제조 방법	새창보기
[KST2015111617][한국과학기술원]	매립형쇼트키전극을이용한고속수광소자	새창보기
[KST2015116187][한국과학기술원]	애벌랜치 포토다이오드 및 그 제조방법	새창보기
[KST2014047059][한국과학기술원]	상보적 나노 구조 광전도체, 이를 포함한 광인버터 및 이들의 제조 방법	새창보기
[KST2022023729][한국과학기술원]	포토다이오드 및 그 제조 방법	새창보기
[KST2015114929][한국과학기술원]	광전 다중 칩 모듈 제조 방법	새창보기
[KST2015119465][한국과학기술원]	실리콘 광전자증배관의 트렌치 가드링 형성방법 및 이를 이용하여 제조된 실리콘 광전자증배관	새창보기
[KST2022009096][한국과학기술원]	빛에 반응하는 뉴런 소자를 구현하는 트랜지스터	새창보기
[KST2015111584][한국과학기술원]	다중양자우물수직입사적외선탐지소자및그의제조방법	새창보기
[KST2015112539][한국과학기술원]	트렌스듀서와 이를 이용한 응용 소자 및 그 제조 방법	새창보기
[KST2015116133][한국과학기술원]	평면형 애벌랜치 포토다이오드 제조방법	새창보기
[KST2017010938][한국과학기술원]	이면 조사형 실리콘 광전자 증배센서 및 그 제조방법(Backside illumination-typed silicon photomultiplier and method of fabricating the same)	새창보기
[KST2017010939][한국과학기술원]	크로스톡 방지 구조를 가지는 실리콘 광전자 증배센서(Silicon photomultiplier having ree crosstalk structure)	새창보기
[KST2022003417][한국과학기술원]	임의 배열된 금속 나노입자를 이용한 실리콘 광검출기 및 그 제작방법	새창보기

의뢰할 수요기술을 선택합니다

담당자명, 주소, 이메일, 연락처, 내용, 파일선택의 정보를 제공하는 도입희망기술 뷰 페이지 의뢰하기 입력표입니다.
담당자명		활동구분※필수입력항목
이메일		연락처	- -
내용
파일선택	파일선택

기술이전 상담신청 드립니다.
기업명
신청자 성명		직책
연락처	- -
이메일	@
상담희망전담센터	※ 사업장(본점) 소재지가 속한 지역의 기술혁신센터를 지정해주세요.