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복합 계층 구조를 갖는 가스 감지막, 이를 포함하는 가스센서 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015114840
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 가스 감지막, 이를 포함하는 가스센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 자기 조립된 금속산화물 나노입자를 포함하는 금속산화물 나노입자 응집체 층; 및 상기 응집체 층 위에 적층되어 있는 금속산화물 나노와이어 층을 포함하고, 상기 금속산화물 나노와이어는 상기 금속산화물 나노입자 응집체 또는 상기 응집체 층과 서로 연결되어 있는 가스 감지막, 이를 포함하는 가스센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL G01N 27/12 (2006.01)
CPC G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01)
출원번호/일자 1020120034974 (2012.04.04)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1362481-0000 (2014.02.05)
공개번호/일자 10-2013-0112531 (2013.10.14) 문서열기
공고번호/일자 (20140212) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.04.04)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김일두 대한민국 서울 동작구
2 진미진 대한민국 서울 강북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아주 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2012-0270422-71
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.04.25 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.06.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0047063-06
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.06.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0438413-36
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.07.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0669941-36
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-0669935-62
8 등록결정서
Decision to grant		 2013.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0828051-04
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
자기 조립된 금속산화물 나노입자를 포함하는 금속산화물 나노입자 응집체 층; 및상기 응집체 층 위에 적층되어 있는 금속산화물 나노와이어 층을 포함하고,상기 금속산화물 나노와이어는 상기 금속산화물 나노입자 응집체 또는 상기 응집체 층과 서로 연결되어 있는 가스 감지막
2 2
제1항에 있어서, 상기 금속산화물 나노와이어가 상기 금속산화물 나노입자 응집체를 중심으로 하여 방사형으로 뻗어있거나 또는 상기 응집체와 상기 나노와이어가 결합된 결과물 표면에 또 다른 상기 나노와이어가 연결된 형태의 네트워크 구조인 가스 감지막
3 3
제1항에 있어서, 상기 응집체 층과 상기 나노와이어 층 중 하나 이상은 다공성인 가스 감지막
4 4
제1항에 있어서, 상기 응집체 층의 금속산화물과 상기 나노와이어 층의 금속산화물은 동종 또는 이종인 가스 감지막
5 5
제1항에 있어서, 상기 응집체 층의 금속산화물과 상기 나노와이어 층의 금속산화물은 아연, 주석, 텅스텐, 철, 니켈, 티타늄, 구리 또는 인듐의 산화물, 이들의 복합 산화물, 또는 이들의 혼합물인 가스 감지막
6 6
제1항에 있어서, 상기 금속산화물은 ZnO, SnO2, WO3, Fe2O3, Fe3O4, NiO, TiO2, CuO, In2O3, Zn2SnO4 중에서 선택된 적어도 어느 하나인 가스 감지막
7 7
제1항에 있어서, 상기 응집체의 직경은 100 ㎚ - 3000 ㎚인 가스 감지막
8 8
제1항에 있어서, 상기 나노와이어의 종횡비는 5-10000인 가스 감지막
9 9
제1항에 있어서, 상기 나노와이어는 평균직경이 5 nm - 300 nm이고, 길이가 50 nm - 50 ㎛인 가스 감지막
10 10
제1항에 있어서, 상기 응집체를 구성하는 금속산화물 나노입자의 직경은 10 nm - 100 nm인 가스 감지막
11 11
저항 측정용 센서 전극이 형성된 센서 기판; 및상기 센서 기판 위에 형성된 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 가스 감지막을 포함하는 가스센서
12 12
(a)센서 전극이 형성된 기판 위에 금속산화물 나노입자가 자기 조립된 응집체를 형성하는 단계; 및(b)상기 응집체 표면에 금속산화물 나노와이어를 성장시키는 단계를 포함하는 가스센서 제조 방법
13 13
제12항에 있어서, 상기 금속산화물 나노입자가 자기 조립된 응집체를 형성하는 단계는 금속산화물 나노입자의 함유량이 1wt% - 10wt%인 금속산화물 나노입자 분산 용액을 상기 기판 위에 정전기적 분무하는 단계를 포함하는 가스센서 제조 방법
14 14
제12항에 있어서, 상기 금속산화물 나노와이어를 성장시키는 단계는 습식 졸겔 (sol-gel) 반응에 의해 형성된 금속산화물 나노로드를 상기 응집체 위에 코팅하는 단계를 포함하는 가스센서 제조 방법
15 15
제12항에 있어서, 상기 금속산화물은 ZnO, SnO2, WO3, Fe2O3, Fe3O4, NiO, TiO2, CuO, In2O3, Zn2SnO4 중에서 선택된 적어도 어느 하나인 가스센서 제조 방법
16 16
제12항에 있어서, 상기 제조 방법은 300 oC - 500 oC에서 열 처리하는 단계를 더 포함하는 가스센서 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.