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열을 감지할 수 있는 하나 이상의 열 감지체층(10); 및귀금속을 포함하고 상기 열 감지체층(10)의 상부 또는 하부에 적층되어 있는 하나 이상의 열 흡수층(20);을 포함하되, 상기 열 흡수층(20)은 두께가 2 내지 50 nm이며, 상기 열 흡수층(20)으로 입사하는 적외선 에너지를 열로 변환하는 적외선 흡수체
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제 1항에 있어서, 상기 열 흡수층(20) 중의 적어도 하나의 열 흡수층(20)에 포함되어 있는 귀금속이 나노미터 크기의 입자 또는 클러스터 형태로 제공되어 있는 것을 특징으로 하는 적외선 흡수체
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제 3항에 있어서, 상기 귀금속이 금(Au), 은(Ag) 및 백금(Pt)으로 구성된 군으로부터 단독으로 또는 조합적으로 선택되는 것을 특징으로 하는 적외선 흡수체
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제 3항에 있어서, 상기 귀금속이 은(Ag) 인 것을 특징으로 하는 적외선 흡수체
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제 1항에 있어서, 상기 열 흡수층(20) 중의 적어도 하나의 열 흡수층(20)에 포함되어 있는 귀금속이 막(film) 형태로 제공되어 있는 것을 특징으로 하는 적외선 흡수체
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제 6항에 있어서, 상기 귀금속이 금(Au), 은(Ag) 및 백금(Pt)으로 구성된 군으로부터 단독으로 또는 조합적으로 선택되는 것을 특징으로 하는 적외선 흡수체
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제 6항에 있어서, 상기 귀금속이 은(Ag) 인 것을 특징으로 하는 적외선 흡수체
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제 1항, 제3항 내지 제 8항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 열 감지체층(10) 중의 어느 하나 이상의 열 감지체층(10)의 하부에 적층되어 있는 Ge 계열, Si 계열 또는 이들 계열의 혼합 계열 지지 기판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 적외선 흡수체
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제 9항에 있어서, 상기 열 흡수층(20) 중의 어느 하나 이상의 열 흡수층(20) 상에 적층되어 있는 패시베이션층(30)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 적외선 흡수체
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제 10항에 있어서, 상기 패시베이션층(30)의 두께가 2 내지 1000 nm 인 것을 특징으로 하는 적외선 흡수체
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제 10항에 있어서, 상기 열 감지체층(10)이 비정질 실리콘 또는 바나듐 옥사이드(V2O3)를 포함하여 열 전기적 에너지 변환이 가능한 열 흡수체 중에서 선택되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 적외선 흡수체
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제 1항, 제3항 내지 제 8항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 열 흡수층(20) 중의 어느 하나 이상의 열 흡수층(20) 상에 적층되어 있는 패시베이션층(30)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 적외선 흡수체
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제 13항에 있어서, 상기 패시베이션층(30)의 두께가 2 내지 1000 nm 인 것을 특징으로 하는 적외선 흡수체
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제 14항에 있어서, 상기 열 감지체층(10)이 비정질 실리콘 또는 바나듐 옥사이드(V2O3)를 포함하여 열 전기적 에너지 변환이 가능한 열 흡수체 중에서 선택되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 적외선 흡수체
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제 1항에 따른 적외선 흡수체를 포함하는 적외선 검출기
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