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수직 트랜지스터의 자기 정렬 컨택 형성방법 및 컨택홀을 포함하는 수직 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015113263
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 수직 트랜지스터의 자기 정렬 컨택 형성방법 및 컨택홀을 포함하는 수직 트랜지스터에 관한 것으로, 기판, 소스층, 채널층, 드레인층, 산화막, 및 실리콘층을 순차적으로 적층하여 필러를 형성하고, 산화막을 도포한 후 필러의 상부에 실리콘층이 드러나도록 하여, 외부로 노출된 실리콘층을 제거함으로써 컨택홀을 형성한다. 본 발명에 의하면, 추가의 포토 마스크 없이 정확하게 자기 정렬된 컨택 홀을 형성할 수 있으며, 형성된 컨택 홀에 컨택 금속을 삽입하고 금속 배선을 형성하여 수직 트랜지스터를 제작함에 따라 정렬 오류(misalign)에 따른 패턴 시프트 (patteren shift) 현상을 제거하는 효과를 가져온다. 컨택 홀, 실리콘층, 자기 정렬, 수직 트랜지스터
Int. CL H01L 21/28 (2006.01) H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/66666(2013.01) H01L 29/66666(2013.01)
출원번호/일자 1020080111676 (2008.11.11)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1056060-0000 (2011.08.04)
공개번호/일자 10-2010-0052814 (2010.05.20) 문서열기
공고번호/일자 (20110811) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.11.11)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송명호 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.11.11 수리 (Accepted) 1-1-2008-0779600-12
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.10.19 수리 (Accepted) 9-1-2010-0065449-23
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.10.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0470706-45
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.12.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0798152-18
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.12.03 수리 (Accepted) 1-1-2010-0798150-16
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.05.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0249472-62
8 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2011.06.08 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2011-0020921-51
9 등록결정서
Decision to grant		 2011.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0416595-42
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판의 상부에 소스층, 채널층, 드레인층, 산화막, 및 실리콘층을 순차적으로 적층하는 단계; 상기 소스층의 일부가 드러나도록 식각하여 필러를 형성하는 단계; 상기 단계에서 형성된 필러 및 상기 소스층의 상부에 열 산화막을 적층한 후, 상기 열 산화막이 도포된 필러의 측면에 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 열 산화막 및 게이트 전극의 상부에 PMD 막을 형성하고, 상기 실리콘층이 드러나도록 상기 PMD 막을 식각하는 단계; 및 상기 PMD 막 대비 실리콘의 선택비가 높은 건식식각법을 사용하여 실리콘층을 제거하여 컨택홀을 형성하는 단계; 를 포함하는 수직 트랜지스터의 자기 정렬 컨택 형성방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 산화막 및 실리콘층의 증착은, 화상기상증착 방법 또는 열산화 방법을 통해 증착하는 것을 특징으로 하는 수직 트랜지스터의 자기 정렬 컨택 형성방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 필러를 형성하는 단계는 감광막 패턴과 건식 식각법을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 수직 트랜지스터의 자기 정렬 컨택 형성방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 열산화막이 도포된 필러의 측면에 게이트 전극을 형성하는 단계는, 상기 열 산화막의 상부에 게이트 전극을 형성하고, 건식식각법을 사용하여 상기 필러의 상부가 노출되는 단계까지 에치백 공정을 통해 평탄화하는 것을 특징으로 하는 수직 트랜지스터의 자기 정렬 컨택 형성방법
5 5
제 4항에 있어서, 상기 필러의 상부가 노출되는 단계는, 상기 필러의 드레인층이 노출되는 단계인 것을 특징으로 하는 수직 트랜지스터의 자기 정렬 컨택 형성방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 PMD 막은 산화막 또는 질화막인 것을 특징으로 하는 수직 트랜지스터의 자기 정렬 컨택 형성방법
7 7
삭제
8 8
제 1항에 있어서, 상기 컨택홀을 형성하는 단계 후, 홀에 금속 배리어 막과 금속을 증착하고 평탄화하여 컨택 금속을 형성하는 단계; 및 상기 컨택 금속의 상부에 금속 배선을 형성하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 트랜지스터의 자기 정렬 컨택 형성방법
9 9
제 8항에 있어서, 상기 컨택금속을 형성하는 금속은 텅스텐, 알루미늄, 및 구리 중 선택되는 하나의 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 수직 트랜지스터의 자기 정렬 컨택 형성방법
10 10
제 8항에 있어서, 상기 금속 배선을 형성하는 단계는, 상기 PMD 막 및 컨택 금속의 상부에 금속막을 증착한 후, 감광막 패턴과 건식 식각법을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 수직 트랜지스터의 자기 정렬 컨택 형성방법
11 11
삭제
12 12
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.