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반도체 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015113049
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체 소자는 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 형성된 적어도 하나의 메탈절연층(Pre-Metal-Dielectric, 또는 Inter-Metal-Dielectric); 상기 반도체 기판 및 상기 메탈절연층에 형성된 회로부; 상기 회로부를 외부의 전기적 신호와 연결되도록 상기 메탈절연층 상에 형성된 금속층; 상기 금속층과 접촉하는 제1 외부전극 및 상기 반도체 기판의 하면 상에 형성된 제2 외부전극; 상기 메탈절연층 및 상기 금속층 상에 형성되고, 상기 제1 외부전극이 소정의 영역에서 노출되도록 형성된 패시베이션층; 및 상기 제1 외부전극 및 상기 제2 외부전극이 연결되도록 상기 금속층, 상기 메탈절연층 및 상기 반도체 기판을 관통하여 형성된 관통전극을 포함한다. 외부전극, SiP, 관통전극
Int. CL H01L 21/28 (2006.01)
CPC H01L 21/76877(2013.01) H01L 21/76877(2013.01) H01L 21/76877(2013.01)
출원번호/일자 1020080049831 (2008.05.28)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1040533-0000 (2011.06.03)
공개번호/일자 10-2009-0123659 (2009.12.02) 문서열기
공고번호/일자 (20110616) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.05.28)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김정우 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2008-0383103-11
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0384076-33
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.10.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.11.13 수리 (Accepted) 9-1-2009-0062757-42
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0125155-95
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2010-0331817-97
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2010-0410680-15
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.07.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0480060-92
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0480050-35
10 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2010.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0549835-56
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2010-0845185-06
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.12.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2010-0845181-13
13 등록결정서
Decision to grant		 2011.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0296255-52
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 형성된 적어도 하나의 메탈절연층; 상기 반도체 기판 및 상기 메탈절연층에 형성된 회로부; 상기 회로부를 외부의 전기적 신호와 연결되도록 상기 메탈절연층 상에 형성된 금속층; 상기 금속층과 접촉하는 제1 외부전극 및 상기 반도체 기판의 하면 상에 형성된 제2 외부전극; 상기 메탈절연층 및 상기 금속층 상에 형성되고, 상기 제1 외부전극이 소정의 영역에서 노출되도록 형성된 패시베이션층; 상기 제1 외부전극 및 상기 제2 외부전극이 직접 연결되도록 상기 금속층, 상기 메탈절연층 및 상기 반도체 기판을 관통하여 형성된 관통전극; 및 상기 제1 외부전극 및 상기 관통전극의 내벽 상에 형성된 절연막을 포함하고, 상기 제1 외부전극의 직경은 상기 관통전극의 직경보다 크며, 상기 제1 외부전극의 영역 중 상기 관통전극의 직경보다 큰 영역이 상기 금속층과 전기적으로 접촉되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제1 외부전극, 관통전극 및 제2 외부전극은 Cu, W, Al 및 Si으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 소자
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 제2 외부전극이 형성된 반도체 기판의 하면 상의 일정영역 이외의 영역에 절연층이 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자
4 4
제1항의 반도체 소자를 제조하는 방법으로, (a)반도체 기판을 제공하는 단계; (b)상기 반도체 기판 상에 적어도 하나의 메탈절연층을 형성하는 단계; (c)상기 반도체 기판 및 상기 메탈절연층에 회로부를 형성하는 단계; (d)상기 회로부를 외부의 전기적 신호와 연결되도록 상기 메탈절연층의 상면 상에 금속층을 형성하는 단계; (e)상기 금속층 상에 패시베이션층을 형성하는 단계; (f)상기 패시베이션층에 금속층의 일부가 노출되도록 제1 홀을 형성하는 단계; (g)상기 노출된 금속층, 상기 메탈절연층 및 상기 반도체 기판을 순차적으로 관통하며 상기 제1 홀의 직경보다 작은 제2 홀을 형성하는 단계; (h)상기 제1 홀 및 상기 제2 홀의 내벽에 실리콘 질화물, 실리콘 산화물 또는 실리콘 탄화물로 이루어진 절연막을 형성하는 단계; (i)상기 제1 홀 및 상기 제2 홀에 전도성 물질을 매립하여 제1 외부전극 및 관통전극을 형성하는 단계; 및 (j)상기 관통전극의 말단이 상기 반도체 기판의 하면을 관통하여 노출되는 것에 의해 제2 외부전극으로 형성되도록 상기 반도체 기판을 연마하는 단계를 포함하고, 상기 제1 홀의 직경이 상기 제2 홀의 직경보다 크게 형성된 것에 의해 상기 제1 외부전극의 일부분이 상기 금속층과 접촉되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 (i) 단계의 전도성 물질은 Cu, W, Al 및 Si로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
6 6
삭제
7 7
제 4 항에 있어서, 상기 절연막 중 상기 금속층 상단에 존재하는 절연막은 이방성 건식 식각(Unisotropic Dry Etch) 공정 또는 스페이서 식각(Spacer Etch) 공정을 통하여 선택적으로 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
8 8
제 4 항에 있어서, 상기 (i)단계 이후에 상기 반도체 기판의 하면 상에 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 관통전극의 말단이 상기 절연층을 관통하여 노출되는 것에 의해 제2 외부전극으로 형성되도록 상기 절연층을 식각하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.