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강유전 고분자 박막을 이용한 정보 저장 매체의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015115687
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 강유전 고분자 박막을 이용한 정보 저장 매체 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 강유전 고분자 박막을 기판 일면에 형성된 전극층의 상면에 형성하여 정보 저장 및 보존이 가능한, 강유전 고분자 박막을 이용한 정보 저장 매체 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명인 강유전 고분자 박막을 이용한 정보 저장 매체는 기판과, 상기 기판 일면에 형성된 전극층과, 상기 전극층 상면에 형성된 VDF와 TrFE가 70:30 내지 80:20 비율인 VDF-TrFE 강유전 고분자 박막을 포함하는 것을 특징으로 한다.또한, 본 발명은 기판 일면에 전극층을 형성하는 단계와, VDF와 TrFE를 70:30 내지 80:20 비율로 혼합한 VDF-TrFE 펠렛을 준비하는 단계와, 상기 VDF-TrFE 펠렛을 메틸에틸케톤(Methylethylketone) 용매에 용해시키는 단계와, 상기 용해된 용액을 상기 전극층 상면에 코팅하는 단계와, 상기 코팅된 기판을 어닐링(Annealing) 하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
Int. CL G11B 11/10 (2006.01)
CPC G11B 9/02(2013.01)
출원번호/일자 1020120010135 (2012.02.01)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1303086-0000 (2013.08.28)
공개번호/일자 10-2013-0088925 (2013.08.09) 문서열기
공고번호/일자 (20130904) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.02.01)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 노광수 대한민국 대전 유성구
2 최현우 대한민국 대전 유성구
3 최윤영 대한민국 대전 유성구
4 김동진 대한민국 대전 유성구
5 김연태 대한민국 대전 유성구
6 오세훈 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이준성 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길 **, ***호 준성특허법률사무소 (대치동, 대치빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.02.01 수리 (Accepted) 1-1-2012-0083135-30
2 보정요구서
Request for Amendment		 2012.03.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0024267-24
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.03.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0200194-81
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.09.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.10.15 수리 (Accepted) 9-1-2012-0078025-52
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.01.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0049418-40
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-0255079-40
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-0360289-62
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.04.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0360361-52
11 등록결정서
Decision to grant		 2013.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0447834-55
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
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4 4
기판 일면에 전극층을 형성하는 단계;VDF와 TrFE를 70:30 비율 내지 80:20 비율로 혼합한 VDF-TrFE 펠렛을 준비하는 단계;상기 VDF-TrFE 펠렛을 메틸에틸케톤(Methylethylketone) 용매에 용해시켜 그 용액의 농도가 0
5 5
제 4항에 있어서, 상기 기판 일면에 전극층을 형성하는 단계는,열 증착(Thermal evaporation), 전자선 증착(E-beam evaporation), 스퍼터(RF or DC sputter), 이 빔(E-beam), 전기 도금(Electro-plating) 또는 화학기상증착(Chemical vapor deposition) 방식 중 어느 한 방식으로 형성하는 것을 특징으로 하는 강유전 고분자 박막을 이용한 정보 저장 매체 제조방법
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7 7
제 4항에 있어서, 상기 용해된 용액을 상기 전극층 상면에 코팅하는 단계는,스핀(Spin) 코팅, 스프레이(Spray) 코팅, 플로우(Flow) 코팅, 침지(Dip) 코팅 또는 침지-인상(Dip-Drawing) 코팅 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 강유전 고분자 박막을 이용한 정보 저장 매체 제조방법
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제 7항에 있어서, 상기 스핀(Spin) 코팅은,상기 기판에 상기 용액을 떨어뜨려 1000rpm 내지 2000rpm으로 5초 내지 15초간 회전시키며 코팅하는 것을 특징으로 하는 강유전 고분자 박막을 이용한 정보 저장 매체 제조방법
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제 4항에 있어서, 상기 코팅된 기판을 어닐링(Annealing) 하는 단계는,상기 기판을 120℃ 내지 140℃에서 0
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패밀리정보가 없습니다
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