| 1 |
1
(a) 희생 기판상에 순차적으로 적층된 AlN 버퍼층/ nGaN층/InGaN층/pGaN층의 태양전지 소자층을 적층하는 단계;(b) 상기 소자층을 식각하여 상기 희생 기판을 노출시킴으로써, 상기 태양전지 소자층을 포함하는 하나 이상의 태양전지 소자를 형성하는 단계;(c) 상기 노출된 희생 기판을 비등방식각하여, 소정 간격으로 이격된 상기 하나 이상의 태양전지 소자를 상기 희생 기판으로부터 분리하는 단계;(d) 상기 분리된 하나 이상의 태양전지 소자를 PDMS에 접촉시키는 단계; 및 (e) 상기 PDMS에 접촉된 태양전지 소자를 플렉서블 기판에 전사시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
|
| 2 |
2
제 1항에 있어서, 상기 희생 기판은 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
제 2항에 있어서, 상기 실리콘은 (111) 결정구조이며, 상기 (c) 단계의 비등방식각은 (110) 방향으로의 비등방식각인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
|
| 5 |
5
청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
|
| 6 |
6
제 1항에 있어서, 상기 (b)와 (c) 단계 사이에 상기 태양전지 소자의 pGaN 및 nGaN층 일부를 노출시킨 후, 상기 노출된 pGan 및 nGaN 영역상에 각각 독립된 금속층을 적층시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
|
| 7 |
7
제 6항에 있어서, 상기 (e) 단계후 상기 하나 이상의 태양전지의 금속층을 전기적으로 연결시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
|
| 8 |
8
제 1항 또는 제 2항, 또는 제 4항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 따른 태양전지 제조방법에 의하여 제조된 태양전지
|
| 9 |
9
(f) 희생 기판상에 InGaN를 포함하는 탠덤 구조의 태양전지 소자층을 적층하는 단계;(g) 상기 탠덤 구조의 태양전지 소자층을 식각하고, 상기 희생 기판을 노출시킴으로써, 상기 태양전지 소자층을 포함하는 각각 nGaN층/InGaN층/pGaN의 구조를 갖는 제 1 태양전지 소자층 및 제 2 태양전지 소자층이 적층된 하나 이상의 탠덤 구조의 태양전지 소자를 형성하는 단계;(h) 상기 노출된 희생 기판을 비등방식각하여, 소정 간격으로 이격된 상기 하나 이상의 태양전지 소자를 상기 희생 기판으로부터 분리하는 단계;(i) 상기 분리된 하나 이상의 태양전지 소자를 PDMS에 접촉시키는 단계; 및 (j) 상기 PDMS에 접촉된 태양전지 소자를 플렉서블 기판에 전사시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
|
| 10 |
10
제 9항에 있어서, 상기 희생 기판은 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
|
| 11 |
11
삭제
|
| 12 |
12
제 10항에 있어서, 상기 실리콘은 (111) 결정구조이며, 상기 (h) 단계의 비등방식각은 (110) 방향으로의 비등방식각인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
|
| 13 |
13
청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
|
| 14 |
14
제 11항에 있어서, 상기 (g)와 (h) 단계 사이에 상기 태양전지 소자의 pGaN 및 nGaN층 일부를 노출시킨 후, 상기 노출된 pGan 및 nGaN 영역상에 각각 독립된 금속층을 적층시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
|
| 15 |
15
제 14항에 있어서, 상기 (j) 단계 후 상기 금속층을 전기적으로 연결시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
|
| 16 |
16
제 9항 또는 제 10항, 또는 제 12항 내지 제 15항 중 어느 한 항에 따른 태양전지 제조방법에 의하여 제조된 태양전지
|
| 17 |
17
(k) 실리콘 기판상에 p형 불순물을 도핑하여 p 도핑층을 형성하는 단계;(l) 상기 실리콘 기판상에 InGaN를 포함하는 태양전지 소자층을 적층하여, 상기 p 도핑층을 포함하는 하부 실리콘 태양전지 소자층, GaN 태양전지 소자층을 포함하는 상부 GaN 태양전지로 이루어진 탠덤 구조의 태양전지 소자를 형성하는 단계;(m) 상기 탠덤 구조의 태양전지 소자층 상에 보호막층을 적층한 후, 패터닝하는 단계;(n) 상기 소자층 전부 및 하부 실리콘 기판을 소정 높이만큼 식각하는 단계;(o) 상기 식각된 소자층 및 소정 높이로 식각된 실리콘 기판의 측면에 스페이서를 형성하는 단계;(p) 상기 스페이서 사이로 노출되는 실리콘 기판을 비등방식각하여, 소정 간격으로 이격된 하나 이상의 태양전지 소자를 상기 실리콘 기판으로부터 분리하는 단계;(q) 상기 분리된 하나 이상의 태양전지 소자를 PDMS에 접촉시키는 단계; 및 (r) 상기 PDMS에 접촉된 태양전지 소자를 플렉서블 기판에 전사시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
|
| 18 |
18
제 17항에 있어서, 상기 GaN 태양전지 소자층은 AlN버퍼층/고농도의 p+GaN층/고농도의 n+GaN층/nGaN층/InGaN층/pGaN층이 순차적으로 적층된 구조인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
|
| 19 |
19
제 17항에 있어서, 상기 실리콘은 (111) 결정구조이며, 상기 (p) 단계의 비등방식각은 (110) 방향으로의 비등방식각인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
|
| 20 |
20
청구항 20은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
|
| 21 |
21
제 18항에 있어서, 상기 (m)와 (n) 단계 사이에 상기 태양전지 소자층의 pGaN 층 및 하부 실리콘 기판 일부를 노출시킨 후, 상기 노출된 pGan 및 실리콘 기판상에 각각 독립된 금속층을 적층시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
|
| 22 |
22
제 21항에 있어서, 상기 (r) 단계 후 상기 금속층을 전기적으로 연결시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
|
| 23 |
23
제 17 내지 제 22항 중 어느 한 항에 따른 태양전지 제조방법에 의하여 제조된 태양전지
|
