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그 각각이 기생 캐패시턴스 성분을 포함하며, 입력 단자와 출력 단자를 가지는 스위치 복수 개와;상기 각 스위치의 입력 단자를 캐스케이드로 연결하는 매개체 역할을 하는, 인덕턴스 성분을 가지는 소자들과;상기 복수 개의 스위치를 온-오프 시켜, 상기 복수의 스위치의 각각의 상기 출력 단자를 통해 출력 신호가 나타나도록 하는 온-오프 구동부;를 구비하여, 상기 복수의 스위치의 각각에 기인한 상기 기생 캐패시턴스와 상기 인덕턴스 성분을 가지는 소자가 함께 시간 지연회로의 일부로 기능하도록 하여, 신호의 위상을 디지털적으로 제어하는 시간 지연 위상 변위기
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제1항에 있어서, 상기 복수 개의 스위치들이 캐스코드 구조를 이루는 것을 특징으로 하는 시간 지연 위상 변위기
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제2항에 있어서, 상기 복수 개의 스위치들의 각각이 MOSFET, HEMT, MESFET, BJT 및 HBT로 구성된 능동 소자군으로부터 선택된 어느 하나를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 시간 지연 위상 변위기
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제2항에 있어서, 상기 각 스위치의 출력 단자를 통해 나오는 출력 신호가 추가로 거치도록 하는 완충기를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 시간 지연 위상 변위기
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제2항에 있어서, 상기 각 스위치의 출력 단자를 통해 나오는 출력 신호가 증폭되도록 하는 증폭기를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 시간 지연 위상 변위기
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제2항에 있어서, 상기 각 스위치의 출력 단자를 통해 나오는 출력 신호의 크기를 변화시키기 위한 목적으로 하는 가변 이득 증폭기를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 시간 지연 위상 변위기
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제5항에 있어서, 상기 증폭기를 거친 출력 신호가 추가로 거치도록 하는 완충기를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 시간 지연 위상 변위기
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제6항에 있어서, 상기 가변 이득 증폭기를 거친 출력 신호가 추가로 거치도록 하는 완충기를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 시간 지연 위상 변위기
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제2항에 있어서, 상기 각 스위치의 입력 단자를 캐스케이드로 연결하는 매개체 역할을 하는, 인덕턴스 성분을 가지는 소자가 전송선인 것을 특징으로 하는 시간 지연 위상 변위기
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제2항에 있어서, 상기 각 스위치의 입력 단자를 캐스케이드로 연결하는 매개체 역할을 하는, 인덕턴스 성분을 가지는 소자가 인덕터인 것을 특징으로 하는 시간 지연 위상 변위기
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여러 개의 비트들을 포함하는 고주파 디지털 시간 지연 위상 변위기에 있어서, 상기 여러 개의 비트들 중의 일부가:그 각각이 기생 캐패시턴스 성분을 포함하며, 입력 단자와 출력 단자를 가지는 스위치 복수 개와;상기 각 스위치의 입력 단자를 캐스케이드로 연결하는 매개체 역할을 하는, 인덕턴스 성분을 가지는 소자들과;상기 복수 개의 스위치를 온-오프 시켜, 상기 복수의 스위치의 각각의 상기 출력 단자를 통해 출력 신호가 나타나도록 하는 온-오프 구동부;를 구비하여, 상기 복수의 스위치의 각각에 기인한 상기 기생 캐패시턴스와 상기 인덕턴스 성분을 가지는 소자가 함께 시간 지연회로의 일부로 기능하도록 하여, 신호의 위상을 디지털적으로 제어하는 것을 특징으로 하는 시간 지연 위상 변위기
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