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PIN 다이오드를 이용한 초고주파 대역 고성능 위상 변위기 회로

  • 기술번호 : KST2015113562
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 PIN 다이오드를 이용한 초고주파 대역 고성능 위상 변위기 회로에 관한 것으로서, 입력포트(201) 및 출력포트(215)와 접속되어 직류 전압 및 전류를 분리하는 금속-절연체-금속 커패시터(202, 214)와, 금속-절연체-금속 커패시터(202, 214)와 접속되어 PIN 다이오드(208, 209, 210, 211)의 상태 제어를 위해 그라운드와 접지된 바이어스(204, 212)와 접속되어 직류 전압을 회로로 인가시키고, 교류 신호를 차단하여 신호의 누출을 방지하는 제1 인덕터(203, 231)와, 바이어스(204, 212)의 전압에 따라 교번되어 신호의 흐름을 조절하는 PIN 다이오드(208, 209, 210, 211)와, π 형태의 고주파 통과필터(high-pass filter)의 기능을 수행하여 PIN 다이오드(208, 210)로부터 인가받은 신호의 위상을 90˚ 앞서도록 하는(phase leading) 제2 인덕터(205, 206) 및 제1 커패시터(207)와, π 형태의 저주파 통과필터(low-pass filter)의 기능을 수행하여 PIN 다이오드(209, 211)로부터 인가받은 신호의 위상을 90˚ 뒤서도록 하는(phase lagging) 제3 인덕터(216, 217) 및 제2 커패시터(218, 219), 및 제3 인덕터(216, 217)와 제2 커패시터(218, 219)로부터 인가되는 교류 신호의 누출을 차단하는 제4 인덕터(220)를 포함한다. 핀 다이오드, 위상 변위기
Int. CL H01L 29/868 (2006.01) H01P 1/18 (2006.01)
CPC H01P 1/18(2013.01) H01P 1/18(2013.01) H01P 1/18(2013.01)
출원번호/일자 1020090061497 (2009.07.07)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1008955-0000 (2011.01.11)
공개번호/일자 10-2011-0003960 (2011.01.13) 문서열기
공고번호/일자 (20110117) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.07.07)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양경훈 대한민국 대전광역시 유성구
2 양정길 대한민국 경기도 안양시 만안구
3 김문호 대한민국 경기도 의정부시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이은철 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)
2 유완식 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, **층 *T 국제특허법률사무소 (역삼동, 여삼빌딩)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.07.07 수리 (Accepted) 1-1-2009-0412389-55
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.06.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.07.14 수리 (Accepted) 9-1-2010-0043611-19
4 등록결정서
Decision to grant
2011.01.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0010045-42
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
PIN 다이오드를 이용한 초고주파 대역 고성능 위상 변위기 회로에 있어서, 입력포트(201) 및 출력포트(215)와 접속되어 직류 전압 및 전류를 분리하는 금속-절연체-금속 커패시터(202, 214); 상기 금속-절연체-금속 커패시터(202, 214)와 접속되어 PIN 다이오드(208, 209, 210, 211)의 상태 제어를 위해 그라운드와 접지된 바이어스(204, 212)와 접속되어 직류 전압을 회로로 인가시키고, 교류 신호를 차단하여 신호의 누출을 방지하는 제1 인덕터(203, 231); 상기 바이어스(204, 212)의 전압에 따라 교번되어 신호의 흐름을 조절하는 PIN 다이오드(208, 209, 210, 211); π 형태의 고주파 통과필터(high-pass filter)의 기능을 수행하여 PIN 다이오드(208, 210)로부터 인가받은 신호의 위상을 90˚ 앞서도록 하는(phase leading) 제2 인덕터(205, 206) 및 제1 커패시터(207); π 형태의 저주파 통과필터(low-pass filter)의 기능을 수행하여 PIN 다이오드(209, 211)로부터 인가받은 신호의 위상을 90˚ 뒤서도록 하는(phase lagging) 제3 인덕터(216, 217) 및 제2 커패시터(218, 219); 및 상기 그라운드와 접속되어 상기 제3 인덕터(216, 217)와 제2 커패시터(218, 219)로부터 인가되는 교류 신호의 누출을 차단하는 제4 인덕터(220); 를 포함하는 것을 특징으로 하는 PIN 다이오드를 이용한 초고주파 대역 고성능 위상 변위기 회로
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 바이어스(204, 212)는, 전압을 양(+)으로 설정하여 PIN 다이오드(208, 209)를 점등시킴과 아울러 PIN 다이오드(210, 211)를 소등시키며, 회로의 신호가 상기 제2 인덕터(205, 206) 및 제1 커패시터(207) 즉, π 형태의 고주파 통과 필터(high-pass filter)를 통과하여 상기 PIN 다이오드(208, 209)를 통과한 신호의 위상을 90˚ 앞서도록 하는 것을 특징으로 하는 PIN 다이오드를 이용한 초고주파 대역 고성능 위상 변위기 회로
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 바이어스(204, 212)는, 전압을 음(-)으로 설정하여 상기 PIN 다이오드(208, 209)를 소등시킴과 아울러 상기 PIN 다이오드(210, 211)가 점등시키며, 상기 회로의 신호가 상기 제3 인덕터(216, 217) 및 제2 커패시터(218, 219) 즉, π 형태의 저주파 통과 필터(low-pass filter)를 통과하여 상기 PIN 다이오드(210, 211)를 통과한 신호의 위상을 90˚ 뒤서도록 하는 것을 특징으로 하는 PIN 다이오드를 이용한 초고주파 대역 고성능 위상 변위기 회로
4 4
PIN 다이오드를 이용한 초고주파 대역 고성능 위상 변위기 회로에 있어서, 입력포트(301) 및 출력포트(308)와 접속되어 직류 전압 및 전류를 분리하는 금속-절연체-금속 커패시터(302, 307); 바이어스(310)와 접속되어 직류 전압을 회로에 인가시키고 교류 신호를 차단하여 신호의 누출을 방지하는 제1 인덕터(311); 그라운드와 접속되어 교류 신호의 누출을 방지하는 제2 인덕터(305); 상기 바이어스(310)의 전압에 따라 교번되어 신호의 흐름을 조절하는 PIN 다이오드(304, 306, 314); 및 π 형태의 고주파 통과필터(high-pass filter)의 기능을 수행하여 PIN 다이오드(304, 306)로부터 인가받은 신호의 위상을 90˚, 45˚ 또는 22
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 바이어스(310)는, 전압을 양(+)으로 설정하여 PIN 다이오드(304, 306)를 점등시킴과 아울러 PIN 다이오드(314)가 소등시키되, 신호가 상기 PIN 다이오드(304, 306)를 통과함에 따라 위상변화가 발생하지 않으며, 제4 인덕터(312) 및 역방향으로 구비된 PIN 다이오드(314)가 병렬공진회로(parallel resonance circuit)를 이루게 되어 접속된 그라운드로의 신호 누설을 방지하는 것을 특징으로 하는 PIN 다이오드를 이용한 초고주파 대역 고성능 위상 변위기 회로
6 6
제 4 항에 있어서, 상기 바이어스(310)는, 전압을 음(-)으로 설정하여 상기 PIN 다이오드(304, 306)를 소등시킴과 아울러 상기 PIN 다이오드(314)가 점등시키되, 상기 신호가 상기 제3 인덕터(303, 309) 즉, π 형태의 고주파 통과 필터(high-pass filter)를 통과하여 90˚, 45˚ 또는 22
7 7
PIN 다이오드를 이용한 초고주파 대역 고성능 위상 변위기 회로에 있어서, 바이어스(408)와 접속되어 직류 전압을 회로에 인가시키고 교류 신호를 차단하여 신호의 누출을 방지하는 제1 인덕터(409); 그라운드와 접속되어 교류 신호의 누출을 방지하는 제2 인덕터(402, 405); 상기 바이어스(408)의 전압에 따라 교번되어 신호의 흐름을 조절하는 PIN 다이오드(403, 404, 412); 및 T 형태의 고주파 통과필터(high-pass filter)의 기능을 수행하여 PIN 다이오드(403, 404)로 신호를 통과시킴과 아울러 위상을 90˚, 45˚ 또는 22
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 바이어스(408)는, 전압을 양(+)으로 설정하여 PIN 다이오드(403, 404)를 점등시킴과 아울러 PIN 다이오드(412)를 소등시키되, 회로의 신호가 상기 PIN 다이오드(403, 404)를 통과함에 따라 위상변화가 발생하지 않도록 하며, 상기 제1 인덕터(409) 및 역방향으로 구비된 PIN 다이오드(412)가 병렬공진회로(parallel resonance circuit)를 이루게 되어 상기 그라운드로의 신호 누설을 방지하는 것을 특징으로 하는 PIN 다이오드를 이용한 초고주파 대역 고성능 위상 변위기 회로
9 9
제 7 항에 있어서, 상기 바이어스(408)는, 전압을 음(-)으로 설정하여 PIN 다이오드(403, 404)를 소등시킴과 아울러 PIN 다이오드(412)가 점등시키며, 회로의 신호가 상기 제3 인덕터(407) 즉, T 형태의 고주파 통과 필터(high-pass filter)를 통과하여 90˚, 45˚ 또는 22
10 10
PIN 다이오드를 이용한 초고주파 대역 고성능 위상 변위기 회로에 있어서, 바이어스(511)와 접속되어 직류 전압을 회로에 인가시키고 교류 신호를 차단하여 신호의 누출을 방지하는 제1 인덕터(507); 그라운드와 접속되어 교류 신호의 누출을 방지하는 제2 인덕터(503, 509); 입력포트(501) 및 출력포트(510)와 각각 접속되어 양단의 직류 전압 및 전류를 분리하는 금속-절연체-금속 커패시터(505); 상기 바이어스(511)의 전압에 따라 교번되어 신호의 흐름을 조절하는 PIN 다이오드(502, 508, 506); 신호를 통과시킴과 아울러 위상을 5
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 바이어스(511)는, 전압을 양(+)으로 설정하여 PIN 다이오드(506, 508)를 점등시킴과 아울러 PIN 다이오드(502)를 소등시키되, 신호가 상기 제3 인덕터(504) 및 PIN 다이오드(508)를 통과하여 위상이 5
12 12
제 10 항에 있어서, 상기 바이어스(511)는, 전압을 음(-)으로 설정하여 PIN 다이오드(506, 508)를 소등시킴과 아울러 PIN 다이오드(502)를 점등시키며, 신호가 순방향 PIN 다이오드(502)와 역방향 PIN 다이오드(506)를 통과하여 위상이 5
13 13
PIN 다이오드를 이용한 초고주파 대역 고성능 위상 변위기 회로에 있어서, 바이어스(911)와 접속되어 직류 전압을 회로에 인가시키고 교류 신호를 차단하여 신호의 누출을 방지하는 제1 인덕터(902); 그라운드와 접속되어 교류 신호의 누출을 방지하는 제2 인덕터(909); 및 상기 바이어스(911)의 전압에 따라 교번되어 신호의 흐름을 조절하는 PIN 다이오드(903, 905, 906, 907); 를 포함하는 것을 특징으로 하는 PIN 다이오드를 이용한 초고주파 대역 고성능 위상 변위기 회로
14 14
제 13 항에 있어서, 상기 바이어스(911)는, 전압을 양(+)으로 설정하여 PIN 다이오드(903, 905)가 점등됨과 아울러 PIN 다이오드(906, 907)가 소등되도록 하며, 신호가 짧은 길이의 기준 전송선을 지남에 따라 작은 위상변화가 발생하여 위상이 180˚, 90˚, 45˚, 22
15 15
제 13 항에 있어서, 상기 바이어스(911)는, 전압을 음(-)으로 설정하여 PIN 다이오드(903, 905)가 소등됨과 아울러 PIN 다이오드(906, 907)가 점등되도록 하며, 신호가 긴 길이의 위상변위 전송선(908)을 지남에 따라 때문에 큰 위상변화가 나타나게 되어 위상이 180˚, 90˚, 45˚, 22
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.