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산화티타늄을 활성층으로 갖는 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 그 구조

  • 기술번호 : KST2015118196
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 산화티타늄을 활성층으로 갖는 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 그 구조를 개시한다. 본 발명에 따른 박막 트랜지스터는 기판, 상기 기판상에 다결정 또는 비정질 산화티타늄을 이용하여 형성된 활성층, 및 상기 활성층 상에 형성되는 절연막을 포함한다. 또한, 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 제조 방법은 기판을 형성하는 단계, 상기 기판 상에 다결정 내지 비정질의 산화티타늄을 이용하여 활성층을 형성하는 단계, 및 상기 활성층 상에 절연막을 형성하는 단계를 포함한다. 이를 통해, 본 발명은 성능을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 저비용으로 제조가 가능하고, 환경 문제가 적으며, 특정 유형의 전자 기기에 널리 적용될 수 있는 효과가 있다. 박막 트랜지스터, 활성층, 산화티타늄, MISFET, MESFET, 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극, MOxTFT
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020090110180 (2009.11.16)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0983544-0000 (2010.09.15)
공개번호/일자 10-2009-0127112 (2009.12.09) 문서열기
공고번호/일자 (20100927) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2007-0101638 (2007.10.09)
관련 출원번호 1020070101638
심사청구여부/일자 Y (2010.06.21)
심사청구항수 30

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박재우 대한민국 대전광역시 유성구
2 유승협 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2009.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2009-0700818-74
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2010.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2010-0395834-41
3 등록결정서
Decision to grant		 2010.09.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0399643-67
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판 상에 다결정 내지 비정질의 산화티타늄을 이용하여 형성되는 활성층; 및 상기 활성층 상에 형성되는 절연막을 포함하고, 상기 활성층은 소정의 코팅 방법에 따라 산화티타늄의 산소 공핍을 조절하여 산소 공핍이 조절된 산화티타늄으로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
2 2
제1 항에 있어서, 상기 절연막 상에 형성되는 게이트 전극; 및 상기 기판 상에 형성되어 상기 활성층으로 덮여있는 소스 전극과 드레인 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
3 3
제1 항에 있어서, 상기 절연막 상에 형성되는 게이트 전극; 및 상기 활성층 상에 형성되어 상기 절연막으로 덮여있는 소스 전극과 드레인 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
4 4
제1 항에 있어서, 상기 활성층은, Ti 원자를 다결정 내지 비정질의 산화티타늄(TiOx, 0003c#x≤2)층에 확산시켜 그 확산 결과로 생성된 Ti-도핑된(Ti-doped) TiOx층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
5 5
제4 항에 있어서, 상기 활성층은, Ti 층을 상기 산화티타늄층에 열증착법으로 적층하고, 이를 RTA(Rapid Thermal Annealing) 처리하여 생성된 Ti-도핑된 TiOx층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
6 6
기판; 상기 기판 상에 형성되는 절연막; 및 상기 절연막 상에 다결정 내지 비정질의 산화티타늄을 이용하여 형성되는 활성층을 포함하고, 상기 활성층은 소정의 코팅 방법에 따라 산화티타늄의 산소 공핍을 조절하여 산소 공핍이 조절된 산화티타늄으로 형성되는 는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
7 7
제6 항에 있어서, 상기 기판 상에 형성되어 상기 절연막으로 덮여있는 게이트 전극; 및 상기 활성층 상에 형성되는 소스 전극과 드레인 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
8 8
제6 항에 있어서, 상기 기판 상에 형성되어 상기 절연막으로 덮여있는 게이트 전극; 및 상기 절연막 상에 형성되어 상기 활성층으로 덮여있는 소스 전극과 드레인 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
9 9
기판; 상기 기판 상에 다결정 내지 비정질의 산화티타늄을 이용하여 형성되는 활성층을 포함하고, 상기 활성층은 소정의 코팅 방법에 따라 산화티타늄의 산소 공핍을 조절하여 산소 공핍이 조절된 산화티타늄으로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
10 10
제9 항에 있어서, 상기 활성층 상에 형성되는 게이트 전극; 및 상기 기판 상에 형성되어 상기 활성층으로 덮여있는 소스 전극 및 드레인 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
11 11
제9 항에 있어서, 상기 활성층 상에 형성되는 게이트 전극; 및 상기 게이트 전극의 일측과 타측 각각에 소정의 이격된 거리를 갖도록 상기 활성층 상에 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
12 12
제9 항에 있어서, 상기 기판 상에 형성되어 상기 활성층으로 덮여있는 게이트 전극; 및 상기 활성층 상에 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
13 13
제9 항에 있어서, 상기 기판 상에 형성되어 상기 활성층으로 덮여있는 게이트 전극; 및 상기 게이트 전극의 일측과 타측 각각에 소정의 이격된 거리를 갖도록 상기 기판 상에 형성되어 상기 활성층으로 덮여있는 소스 전극 및 드레인 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
14 14
제1 항에 있어서, 상기 활성층은, 상기 산화티타늄에 일정 비율로 산화물이나 금속을 혼합하는 불순물 도핑 방법을 통해 형성되는 n형 또는 p형 산화티타늄을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
15 15
제1 항에 있어서, 상기 코팅 방법은, 스핀코팅, 딥 코팅, 임프린팅, 스탬핑, 프린팅, 트랜스퍼 프린팅(transfer printing), 셀프어셈블리 기법, 화학 증착법(chemical vapor deposition), 상온이나 고온 증착법, 열 및 전자 빔(E-beam) 증착, 스퍼터링, 원자층 증착(atomic layer deposition), 및 PLD (Pulsed Laser Deposition) 등 중에 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
16 16
제1 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 기판, 반도체 기판, 유리 기판, 플라스틱 기판, 금속 호일, 직물, 종이, 및 나무 중에 어느 하나를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
17 17
기판을 형성하는 단계; 상기 기판 상에 다결정 내지 비정질의 산화티타늄을 이용하여 활성층을 형성하는 단계; 및 상기 활성층 상에 절연막을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 활성층은 소정의 코팅 방법에 따라 산화티타늄의 산소 공핍을 조절하여 산소 공핍이 조절된 산화티타늄으로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법
18 18
제17 항에 있어서, 상기 기판 상에 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계; 및 상기 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극은 상기 활성층으로 덮여있는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법
19 19
제17 항에 있어서, 상기 활성층 상에 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계; 및 상기 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극은 상기 절연막으로 덮여있는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법
20 20
기판을 형성하는 단계; 상기 기판 상에 절연막을 형성하는 단계; 및 상기 절연막 상에 다결정 내지 비정질의 산화티타늄을 이용하여 활성층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 활성층은 소정의 코팅 방법에 따라 산화티타늄의 산소 공핍을 조절하여 산소 공핍이 조절된 산화티타늄으로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법
21 21
제20 항에 있어서, 상기 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 및 상기 활성층 상에 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 게이트 전극은 상기 절연막으로 덮여있는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법
22 22
제20 항에 있어서, 상기 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 및 상기 절연막 상에 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 게이트 전극은 상기 절연막으로 덮여있고 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극은 상기 활성층으로 덮여있는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법
23 23
기판을 형성하는 단계; 및 상기 기판 상에 다결정 내지 비정질의 산화티타늄을 이용하여 활성층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 활성층은 소정의 코팅 방법에 따라 산화티타늄의 산소 공핍을 조절하여 산소 공핍이 조절된 산화티타늄으로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법
24 24
제23 항에 있어서, 상기 기판 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및 상기 활성층 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 상기 활성층으로 덮여있는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법
25 25
제23 항에 있어서, 상기 활성층 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 및 상기 게이트 전극의 일측과 타측 각각에 소정의 이격된 거리를 갖도록 상기 활성층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법
26 26
제23 항에 있어서, 상기 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 및 상기 활성층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 게이트 전극은 상기 활성층으로 덮여있는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법
27 27
제23 항에 있어서, 상기 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 및 상기 게이트 전극의 일측과 타측 각각에 소정의 이격된 거리를 갖도록 상기 기판 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 게이트 전극, 상기 소스 전극, 및 상기 드레인 전극은 상기 활성층으로 덮여있는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법
28 28
제17 항에 있어서, 상기 활성층은, 상기 산화티타늄에 일정 비율로 산화물이나 금속을 혼합하는 불순물 도핑 방법을 통해 형성되는 n형 또는 p형 산화티타늄을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법
29 29
제17 항에 있어서, 상기 코팅 방법은, 스핀코팅, 딥 코팅, 임프린팅, 스탬핑, 프린팅, 트랜스퍼 프린팅(transfer printing), 셀프어셈블리 기법, 화학 증착법(chemical vapor deposition), 상온이나 고온 증착법, 열 및 전자 빔(E-beam) 증착, 스퍼터링, 원자층 증착(atomic layer deposition), 및 PLD (Pulsed Laser Deposition) 등 중에 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법
30 30
제17 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 기판, 반도체 기판, 유리 기판, 플라스틱 기판, 금속 호일, 직물, 종이, 및 나무 중에 어느 하나를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP01976019 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP01976019 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP20252097 JP 일본 FAMILY
4 KR100930057 KR 대한민국 FAMILY
5 US07768042 US 미국 FAMILY
6 US20080237595 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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1 JP2008252097 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 US2008237595 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US7768042 US 미국 DOCDBFAMILY
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