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산화티타늄을 활성층으로 갖는 박막 트랜지스터의 제조방법 및 이에 의해 제조된 박막 트랜지스터
- 기술번호 : KST2015118200
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 본 발명은 산화티타늄을 활성층으로 갖는 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 박막트랜지스터에 관한 것으로, 본 발명에 따른 박막 트랜지스터의 제조방법은 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 활성층을 형성하는 단계; 및 상기 활성층 상에 절연막을 형성하는 단계를 포함하고, 전구체로서 티타늄(Ti)을 포함한 유기화합물을 화학기상증착법(CVD ; Chemical Vapor Deposition), 유기금속 화학기상증착법(MOCVD ; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 원자층증착법(ALD : Atomic Layer Deposition), 저기압화학기상증착법(LPCVD ; Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 및 플라즈마 화학기상증착법(PECVD ; Plasma Enhanced Vapor Deposition) 중에서 선택된 1종의 방법으로 증착하는 것을 특징으로 한다. 이를 통해, 본 발명은 박막트랜지스터의 성능을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 저비용으로 제조가 가능하고, 환경 문제가 적으며, 특정 유형의 전자 기기에 널리 적용될 수 있는 효과가 있다. 특히, 저온에서도 박막트랜지스터를 형성할 수 있어, 향후 기판의 소재 선택에 있어서 폭을 넓혔다. 박막 트랜지스터, 활성층, 산화티타늄, MISFET, 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 29/786 (2006.01.01) |
| CPC | H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020080075977 (2008.08.04) |
| 출원인 | 한국과학기술원, 솔브레인홀딩스 주식회사 |
| 등록번호/일자 | 10-1482944-0000 (2015.01.09) |
| 공개번호/일자 | 10-2010-0015073 (2010.02.12) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20150116) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2013.08.05) |
| 심사청구항수 | 16 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 2 | 솔브레인홀딩스 주식회사 | 대한민국 | 경기도 성남시 분당구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 박재우 | 대한민국 | 경기도 성남시 분당구 |
| 2 | 한성원 | 대한민국 | 서울특별시 노원구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인충정 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 2 | 솔브레인 주식회사 | 경기도 성남시 분당구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2008.08.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0559083-13 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2009.06.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-0011731-76 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.10.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5202810-07 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.10.30 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5225821-16 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.01.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5010029-20 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.05.07 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5067798-25 |
| 8 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2013.08.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0707947-91 |
| 9 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2014.02.07 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 10 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2014.03.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-2014-0019560-19 |
| 11 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2014.06.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0438734-11 |
| 12 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2014.08.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0808816-44 |
| 13 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2014.09.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0919250-83 |
| 14 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2014.10.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-1029008-98 |
| 15 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2014.11.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-1096928-26 |
| 16 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2014.11.14 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-1096929-72 |
| 17 | 등록결정서 Decision to grant |
2014.11.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0820401-39 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.18 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5154825-24 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 20 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 21 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 22 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.05.07 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5059812-14 |
| 23 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 24 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 25 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 26 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.10.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5222921-35 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 활성층을 형성하는 단계; 및상기 활성층 상에 절연막을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 활성층을 형성하는 단계는 전구체로서 티타늄(Ti)을 포함한 유기화합물을 화학기상증착법(CVD ; Chemical Vapor Deposition), 유기금속 화학기상증착법(MOCVD ; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 원자층증착법(ALD : Atomic Layer Deposition), 저기압화학기상증착법(LPCVD ; Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 및 플라즈마 화학기상증착법(PECVD ; Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 중에서 선택된 1종의 방법으로 증착하는 것을 특징으로 하는 산화티타늄을 활성층으로 갖는 박막트랜지스터의 제조 방법 |
| 2 |
2 제 1항에 있어서,상기 기판 상에 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계; 및상기 절연막 상에 게이트 전극을 형성되는 단계를 더 포함하고, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극은 상기 활성층으로 덮여있는 것을 특징으로 하는 산화티타늄을 활성층으로 갖는 박막트랜지스터의 제조 방법 |
| 3 |
3 제 1항에 있어서,상기 활성층 상에 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계; 및상기 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극은 상기 절연막으로 덮여있는 것을 특징으로 하는 산화티타늄을 활성층으로 갖는 박막트랜지스터의 제조 방법 |
| 4 |
4 기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 절연막을 형성하는 단계; 및상기 절연막 상에 활성층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 활성층을 형성하는 단계는 전구체로서 티타늄(Ti)을 포함한 유기화합물을 화학기상증착법(CVD ; Chemical Vapor Deposition), 유기금속 화학기상증착법(MOCVD ; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 원자층증착법(ALD : Atomic Layer Deposition), 저기압화학기상증착법(LPCVD ; Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 및 플라즈마 화학기상증착법(PECVD ; Plasma Enhanced Vapor Deposition) 중에서 선택된 1종의 방법으로 증착하는 것을 특징으로 하는 산화티타늄을 활성층으로 갖는 박막트랜지스터의 제조 방법 |
| 5 |
5 제 4항에 있어서,상기 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 및상기 활성층 상에 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 게이트 전극은 상기 절연막으로 덮여있는 것을 특징으로 하는 산화티타늄을 활성층으로 갖는 박막트랜지스터의 제조 방법 |
| 6 |
6 제 5항에 있어서,상기 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 및상기 활성층 상에 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 게이트 전극은 상기 절연막으로 덮여있는 것을 특징으로 하는 산화티타늄을 활성층으로 갖는 박막트랜지스터의 제조 방법 |
| 7 |
7 제 1항 또는 제 4항에 있어서, 화학기상증착법(CVD ; Chemical Vapor Deposition), 유기금속 화학기상증착법(MOCVD ; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 원자층증착법(ALD : Atomic Layer Deposition), 저기압화학기상증착법(LPCVD ; Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 및 플라즈마 화학기상증착법(PECVD ; Plasma Enhanced Vapor Deposition) 중에서 선택된 1종의 방법으로 증착하는 것은 400℃이하의 온도에서 증착하는 것을 특징으로 하는 산화티타늄을 활성층으로 갖는 박막트랜지스터의 제조 방법 |
| 8 |
8 제 1항 또는 제 4항에 있어서, 화학기상증착법(CVD ; Chemical Vapor Deposition), 유기금속 화학기상증착법(MOCVD ; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 원자층증착법(ALD : Atomic Layer Deposition), 저기압화학기상증착법(LPCVD ; Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 및 플라즈마 화학기상증착법(PECVD ; Plasma Enhanced Vapor Deposition) 중에서 선택된 1종의 방법으로 증착하는 것은 300℃이하의 온도에서 증착하는 것을 특징으로 하는 산화티타늄을 활성층으로 갖는 박막트랜지스터의 제조 방법 |
| 9 |
9 제 1항 또는 제 4항에 있어서, 화학기상증착법(CVD ; Chemical Vapor Deposition), 유기금속 화학기상증착법(MOCVD ; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 원자층증착법(ALD : Atomic Layer Deposition), 저기압화학기상증착법(LPCVD ; Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 및 플라즈마 화학기상증착법(PECVD ; Plasma Enhanced Vapor Deposition) 중에서 선택된 1종의 방법으로 증착하는 것은 산소(O2), 오존(O3) 및 수증기(H2O) 중 선택된 1종 이상의 음이온 소스(Anion souce)분위기에서 증착하는 것을 특징으로 하는 산화티타늄을 활성층으로 갖는 박막트랜지스터의 제조 방법 |
| 10 |
10 제 9항에 있어서, 음이온 소스 분위기에서 수증기(H2O)는 10 ~ 80℃의 온도로 제공되는 것을 특징으로 하는 산화티타늄을 활성층으로 갖는 박막트랜지스터의 제조 방법 |
| 11 |
11 제 1항 또는 제 4항에 있어서, 화학기상증착법(CVD ; Chemical Vapor Deposition), 유기금속 화학기상증착법(MOCVD ; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 원자층증착법(ALD : Atomic Layer Deposition), 저기압화학기상증착법(LPCVD ; Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 및 플라즈마 화학기상증착법(PECVD ; Plasma Enhanced Vapor Deposition) 중에서 선택된 1종의 방법으로 증착하는 것은 5초 ~ 50분 분 동안 증착하는 것을 특징으로 하는 산화티타늄을 활성층으로 갖는 박막트랜지스터의 제조 방법 |
| 12 |
12 제 1항 또는 제 4항에 있어서, 화학기상증착법(CVD ; Chemical Vapor Deposition), 유기금속 화학기상증착법(MOCVD ; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 원자층증착법(ALD : Atomic Layer Deposition), 저기압화학기상증착법(LPCVD ; Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 및 플라즈마 화학기상증착법(PECVD ; Plasma Enhanced Vapor Deposition) 중에서 선택된 1종의 방법으로 증착하는 것은 활성층의 두께 형성속도가 1Å/min ~ 1㎛/min으로 증착하는 것을 특징으로 하는 산화티타늄을 활성층으로 갖는 박막트랜지스터의 제조 방법 |
| 13 |
13 제 1항 또는 제 4항에 있어서, 화학기상증착법(CVD ; Chemical Vapor Deposition), 유기금속 화학기상증착법(MOCVD ; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 원자층증착법(ALD : Atomic Layer Deposition), 저기압화학기상증착법(LPCVD ; Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 및 플라즈마 화학기상증착법(PECVD ; Plasma Enhanced Vapor Deposition) 중에서 선택된 1종의 방법으로 증착하는 것은 활성층의 두께가 1Å ~ 1㎛가 되도로 증착하는 것을 특징으로 하는 산화티타늄을 활성층으로 갖는 박막트랜지스터의 제조 방법 |
| 14 |
14 제 1항 또는 제 4항에 있어서, 전구체로서 티타늄(Ti)을 포함한 유기화합물은 티타늄 테트라 알콕사이드(Titaniun tetra alkoxide ; Ti(OR)4, R은 알킬기), 티타늄 테트라 클로라이드(Titaniun tetra chloride ; TiCl4) 및 티타늄 테트라 다이알킬아민(Titanium tetra diaklyamine ; Ti(NR2)4, R은 알킬기) 중 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 산화티타늄을 활성층으로 갖는 박막트랜지스터의 제조 방법 |
| 15 |
15 제 14항에 있어서, 전구체로서 티타늄(Ti) 유기화합물은 티타늄 테트라 이소프로폭사이드(TTIP ; Titanium Tetra IsoPropoxide)인 것을 특징으로 하는 산화티타늄을 활성층으로 갖는 박막트랜지스터의 제조 방법 |
| 16 |
16 제 1항 또는 제 4항에 있어서, 전구체로서 티타늄(Ti)을 포함한 유기화합물은 10 ~ 200℃의 온도로 제공되는 것을 특징으로 하는 산화티타늄을 활성층으로 갖는 박막트랜지스터의 제조 방법 |
| 17 |
17 삭제 |
| 18 |
18 삭제 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1482944-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20080804 출원 번호 : 1020080075977 공고 연월일 : 20150116 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20141128 청구범위의 항수 : 16 유별 : H01L 29/786 발명의 명칭 : 산화티타늄을 활성층으로 갖는 박막 트랜지스터의 제조방법 및 이에 의해 제조된 박막 트랜지스터 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 솔브레인홀딩스 주식회사 경기도 성남시 분당구... |
| 1 |
(권리자) 한국과학기술원 대전광역시 유성구... |
| 2 |
(의무자) 솔브레인홀딩스 주식회사 경기도 성남시 분당구... |
| 2 |
(권리자) 솔브레인 주식회사 경기도 성남시 분당구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 401,400 원 | 2015년 01월 12일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 274,400 원 | 2017년 12월 04일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 196,000 원 | 2018년 12월 11일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 196,000 원 | 2019년 12월 10일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2008.08.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0559083-13 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2009.06.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-0011731-76 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.10.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5202810-07 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.10.30 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5225821-16 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.01.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5010029-20 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.05.07 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5067798-25 |
| 8 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2013.08.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0707947-91 |
| 9 | 선행기술조사의뢰서 | 2014.02.07 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 10 | 선행기술조사보고서 | 2014.03.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-2014-0019560-19 |
| 11 | 의견제출통지서 | 2014.06.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0438734-11 |
| 12 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2014.08.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0808816-44 |
| 13 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2014.09.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0919250-83 |
| 14 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2014.10.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-1029008-98 |
| 15 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2014.11.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-1096928-26 |
| 16 | [명세서등 보정]보정서 | 2014.11.14 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-1096929-72 |
| 17 | 등록결정서 | 2014.11.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0820401-39 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.18 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5154825-24 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 20 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 21 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 22 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.05.07 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5059812-14 |
| 23 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 24 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 25 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 26 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.10.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5222921-35 |
| 기술정보가 없습니다 |
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| 과제정보가 없습니다 |
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중요키워드
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