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저전력 저잡음 증폭기

  • 기술번호 : KST2015118329
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저전력 저잡음 증폭기에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 바이어스 전류를 공유하여 저전력 설계가 가능하도록 하는 저전력 저잡음 증폭기에 관한 것이다.본 발명은 캐스코드 구조(공통 소스 구성 트랜지스터 + 공통 게이트 구성 트랜지스터)와 공통 소스 트랜지스터가 연결되는 구조를 이루도록 하고, 또한 공통 소스 트랜지스터와 인버터 구성이 연결되는 구조를 이루도록 한다.또한, 공통 소스 구성 트랜지스터와 공통 게이트 구성 트랜지스터를 병렬로 연결하여 3차 상호변조값을 상쇄시키는 구조를 이루도록 한다.본 발명은 바이어스 전류를 공유하여 저전력으로 설계함으로써 소모전력의 증가없이 높은 전력을 얻을 수 있는 효과가 있다.캐스코드 구조, 바이어스 전류, 선형성, 커플링, LNA
Int. CL H03F 1/26 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020000083709 (2000.12.28)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2002-0055473 (2002.07.09) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.12.28)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권익진 대한민국 대전광역시 유성구
2 길준호 대한민국 대전광역시 유성구
3 신형철 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이종일 대한민국 서울특별시 영등포구 당산로**길 **(당산동*가) 진양빌딩 *층(대일국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2000-0282739-49
2 서지사항 보정서
Amendment to Bibliographic items		 2001.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2001-0058275-57
3 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 2002.03.08 수리 (Accepted) 1-1-2002-5061314-95
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2002.05.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0197313-57
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2002.06.11 수리 (Accepted) 9-1-2002-0007554-05
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2002.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0430482-10
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

캐스코드 구성 트랜지스터(M1,M2)에 의한 이득만큼 증폭된 신호가 다시 공통 소스 구성 트랜지스터(M3)의 게이트로 커패시터(C1)에 의해 커플링 되어서 증폭되는 구조로, 상기 트랜지스터(M1,M2,M3)는 바이어스 전류를 공유함을 특징으로 하는 저전력 저잡음 증폭기

2 2

공통 소스 구성 트랜지스터(M1)에 의해 증폭된 신호가 트랜지스터(M2)의 게이트로 커패시터(C1)에 의해 커플링되어 캐스코드 구성 트랜지스터(M2,M3)에 의한 이득만큼 다시 증폭이 되는 구조로, 상기 트랜지스터(M1,M2,M3)는 바이어스 전류를 공유함을 특징으로 하는 저전력 저잡음 증폭기

3 3

공통 소스 구성 트랜지스터(M1)에 의해 증폭된 신호가 N형 트랜지스터(M2) 및 P형 트랜지스터(M3)로 이루어진 인버터 구성에 의해 증폭되어 출력에 나타나게 되는 구조로, 상기 트랜지스터(M1,M2,M3)는 바이어스 전류를 공유함을 특징으로 하는 저전력 저잡음 증폭기

4 4

공통 소스 구성 트랜지스터(M1)에 의해 증폭된 신호가 커패시터(C1)에 의해 커플링되어 공통 소스 구성 트랜지스터(M2)의 게이트와 공통 게이트 구성 트랜지스터(M3)의 소스로 인가되어 증폭되는 구조로, 상기 트랜지스터(M2)의 3차 상호변조성분과 트랜지스터(M3)의 3차 상호변조성분의 전류부호가 서로 반대가 되어 부하 임피던스에 흐르므로 출력의 3차 상호 변조성분이 감소하는 것을 특징으로 하는 저전력 저잡음 증폭기

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US06556085 US 미국 FAMILY
2 US20020084855 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2002084855 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US6556085 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.