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저잡음 증폭기 및 무선수신기

  • 기술번호 : KST2014046836
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 차동증폭부와 2 개의 발룬 회로를 포함하여 선형성(linearity)의 희생을 줄이면서도 잡음지수(noise figure)를 현저하게 증가시킬 수 있는 저잡음 증폭기 및 이를 포함하는 무선 수신기에 관한 것이다.
Int. CL H03F 1/26 (2006.01) H03F 3/45 (2006.01)
CPC H03F 1/26(2013.01) H03F 1/26(2013.01) H03F 1/26(2013.01) H03F 1/26(2013.01) H03F 1/26(2013.01) H03F 1/26(2013.01)
출원번호/일자 1020100079480 (2010.08.17)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1105379-0000 (2012.01.05)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20120116) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.08.17)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이귀로 대한민국 대전광역시 유성구
2 김범겸 대한민국 대전광역시 서구
3 임동구 대한민국 대전광역시 유성구
4 최재영 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김학제 대한민국 서울특별시 서초구 매헌로 ** 하이브랜드빌딩 **층 (양재동)(피닉스국제특허법률사무소)
2 문혜정 대한민국 서울특별시 서초구 매헌로 **, 하이브랜드빌딩 **층 (양재동)(피닉스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2010-0529488-01
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2010-0548124-98
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0415753-92
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.09.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-0747549-80
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.09.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0747551-72
6 등록결정서
Decision to grant		 2011.12.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0724556-63
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
입력신호원으로부터 인가 받은 단일단 신호(single end signals)를 차동신호로 변환하는 제1 발룬; 상기 제1 발룬에 동작가능하게 연결되고, 상기 제1 발룬으로부터 수신한 신호를 증폭시키는 제2 발룬; 상기 제2 발룬으로부터 증폭된 신호를 수신하여 증폭시키는 한 쌍의 교차연결 공통 게이트 차동증폭기 (cross-coupled common gate differential amplifier); 및 상기 교차연결 공통 게이트 차동증폭기에 동작가능하게 연결되어, 입력단자의 신호를 증폭하여 출력단자로 출력하는 한 쌍의 공통 소스 증폭기를 포함하고, 상기 제2 발룬이 상기 공통소스 증폭기와도 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
2 2
제1항에 있어서, 상기 제 1 발룬 및 제 2 발룬은 수동형 발룬인 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
3 3
제1항에 있어서, 상기 한 쌍의 공통 소스 증폭기는 동작 전원 전압이 각각의 소스에 공통으로 인가되는 제1 PMOS 트랜지스터 및 제2 PMOS 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
4 4
제3항에 있어서, 상기 한 쌍의 교차연결 공통 게이트 차동증폭기는 상기 제1 PMOS 트랜지스터의 게이트에 게이트-드레인 채널이 접속된 제1 N형 트랜지스터와, 상기 제2 PMOS 트랜지스터의 게이트에 게이트-드레인 채널이 접속된 제2 N형 트랜지스터를 포함하고, 상기 제2발룬이 상기 제1 PMOS 트랜지스터 및 상기 제2 PMOS 트랜지스터의 게이트에 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
5 5
제4항에 있어서, 상기 제 1 N형 트랜지스터 및 상기 제 2 N형 트랜지스터의 게이트와 소스가 제2 발룬에 의해서 서로 교차되어 있는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
6 6
제 1항에 있어서, 상기 저잡음 증폭기는 상기 저잡음 증폭기를 구동하는 전원부를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
7 7
제 1항에 있어서, 상기 제1 발룬 및 제2 발룬 가운데 하나 이상이 온칩 발룬(on-chip balun)인 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
8 8
입력신호원으로부터 인가 받은 단일단 신호(single end signals)를 차동신호로 변환하는 제1 발룬; 상기 제1 발룬에 동작가능하게 연결되고, 상기 제1 발룬으로부터 수신한 신호를 증폭시키는 제2 발룬; 상기 제2 발룬으로부터 증폭된 신호를 수신하여 증폭시키는 한 쌍의 교차연결 공통 게이트 차동증폭기 (cross-coupled common gate differential amplifier); 및 상기 교차연결 공통 게이트 차동증폭기에 동작가능하게 연결되어, 입력단자의 신호를 증폭하여 출력단자로 출력하는 한 쌍의 공통 소스 증폭기를 포함하고, 상기 제1 발룬은 상기 한 쌍의 공통 소스 증폭기와 병렬로 연결되고, 상기 제2 발룬은 상기 한 쌍의 교차연결 공통 게이트 차동증폭기 사이에 직접 연결되는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
9 9
제8항에 있어서, 상기 제 1 발룬 및 제 2 발룬은 수동형 발룬인 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
10 10
제8항에 있어서, 상기 한 쌍의 공통 소스 증폭기는 동작 전원전압이 각각의 소스에 공통으로 인가되는 제1 PMOS 트랜지스터 및 제2 PMOS 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
11 11
제10항에 있어서, 상기 한 쌍의 교차연결 공통 게이트 차동증폭기는 상기 제1 PMOS 트랜지스터의 드레인에 접속된 제1 N형 트랜지스터와, 상기 제2 PMOS 트랜지스터의 드레인에 접속된 제2 N형 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
12 12
제11항에 있어서, 상기 제 1 N형 트랜지스터 및 상기 제 2 N형 트랜지스터의 게이트와 소스가 제2 발룬에 의해서 서로 교차되어 있는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
13 13
제 1항에 있어서, 상기 저잡음 증폭기는 상기 저잡음 증폭기를 구동하는 전원부를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
14 14
제 8항에 있어서, 상기 제1 발룬 및 제2 발룬 가운데 하나 이상이 온칩 발룬(on-chip balun)인 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
15 15
무선 수신기에 있어서, 입력 무선 신호를 증폭하는 저잡음 증폭기 회로; 상기 저잡음 증폭기 회로의 출력 신호의 주파수를 하향 변환하는 믹서; 상기 믹서의 출력 신호를 디지털 신호로 변환하는 A/D 컨버터; 및 상기 디지털 신호로부터 데이터를 복원하는 디지털 신호 처리부를 구비하며, 상기 저잡음 증폭기 회로는 제 1항 또는 제8항의 저잡음 증폭기인 것을 특징으로 하는 무선 수신기(radio receiver)
16 16
제 1항 내지 제14항 중 어느 하나의 항의 저잡음 증폭기를 포함하는 소자(device)
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국과학기술원 기초과학연구사업 SAW 듀플렉서 및 여파기가 모두 제거된 이동통신 단말용 SDR 수신기의 단일 CMOS 칩 구현