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위상 잡음 특성 개선 및 증폭도 개선이 가능한 MOSFET 회로

  • 기술번호 : KST2014065653
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 모스 전계효과 트랜지스터의 증폭도 및 잡음도 개선회로 및 이를 이용한 주파수 혼합기, 증폭기 및 발진기에 관한 것으로, 모스 전계효과 트랜지스터(MOSFET)의 게이트(gate) 단자와 바디(body) 단자가 캐패시터(Capacitor)를 통해 연결되며, 상기 모스 전계효과 트랜지스터(MOSFET)의 증폭도 및 잡음도를 향상시키기 위하여 상기 모스 전계효과 트랜지스터(MOSFET)의 게이트(gate) 단자와 함께 바디(body) 단자에 전류원을 연결하여 신호를 동시에 공급함으로써, 같은 전력(power) 레벨의 신호를 입력받는 경우 더 큰 증폭도를 갖으며, 잡음(noise) 특성이 보다 향상되는 효과가 있다.모스 전계효과 트랜지스터, 증폭도, 잡음도, 주파수 혼합기, 증폭기, 발진기
Int. CL H03F 1/26 (2006.01) H03D 7/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020060071187 (2006.07.28)
출원인 한국정보통신대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0827893-0000 (2008.04.29)
공개번호/일자 10-2008-0010747 (2008.01.31) 문서열기
공고번호/일자 (20080507) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.07.28)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국정보통신대학교 산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강호석 대한민국 대전 유성구
2 박철순 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최태창 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2006-0544540-57
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.02.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2007-0013444-50
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2007-5043304-47
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0476251-19
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2007-0774365-81
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.10.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0774401-37
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2007-5193163-24
9 등록결정서
Decision to grant		 2008.02.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0116537-63
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번호 청구항
1 1
모스 전계효과 트랜지스터(MOSFET)의 게이트(gate) 단자와 바디(body) 단자가 캐패시터(Capacitor)를 통해 연결되며, 상기 모스 전계효과 트랜지스터의 증폭도 및 잡음도를 향상시키기 위하여 상기 모스 전계효과 트랜지스터의 게이트 단자와 함께 바디 단자에 전류원을 연결하여 국부 발진기(LO) 신호를 동시에 공급하되,상기 모스 전계효과 트랜지스터의 바디 단자에 인가된 국부 발진기 신호는 바디 전압을 시간에 따라 변하도록 인가시키고, 상기 모스 전계효과 트랜지스터의 게이트 단자에 전원 전압을 인가하여 트랜지스터가 동작할 수 있도록 함과 아울러 상기 국부 발진기 신호를 인가시키며, 상기 모스 전계효과 트랜지스터의 소스(source) 단자에 고주파(RF) 신호를 인가하고 상기 국부 발진기 신호와 결합하여 그 주파수 차와 합에 해당하는 중간주파수(IF)를 상기 모스 전계효과 트랜지스터의 드레인(drain) 단자를 통해 생성하는 것을 특징으로 하는 모스 전계효과 트랜지스터의 증폭도 및 잡음도 개선회로
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 모스 전계효과 트랜지스터(MOSFET)는 P형 모스 전계효과 트랜지스터(PMOSFET)인 것을 특징으로 하는 모스 전계효과 트랜지스터의 증폭도 및 잡음도 개선회로
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 모스 전계효과 트랜지스터(MOSFET)는 N형 모스 전계효과 트랜지스터(NMOSFET)인 것을 특징으로 하는 모스 전계효과 트랜지스터의 증폭도 및 잡음도 개선회로
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제 1 항에 있어서, 차동 구조의 경우, 외부의 발진기의 차동 신호가 상기 모스 전계효과 트랜지스터(MOSFET)의 게이트(gate) 단자에 인가되는 경우 같은 위상의 신호가 상기 모스 전계효과 트랜지스터(MOSFET)의 바디(body) 단자로 인가될 때, 상기 모스 전계효과 트랜지스터(MOSFET)의 바디(body) 단자는 상기 모스 전계효과 트랜지스터(MOSFET)의 소스(source) 단자와 같은 레벨의 전원을 인가해주고, 고주파(RF) 신호와의 연결을 막기 위하여 다른 경로(path)로 전원을 인가시켜주는 것을 특징으로 하는 모스 전계효과 트랜지스터의 증폭도 및 잡음도 개선회로
8 8
제 1 항 내지 제 3 항, 또는 제 7 항 중 어느 한 항의 모스 전계효과 트랜지스터의 증폭도 및 잡음도 개선회로를 이용한 주파수 혼합기
9 9
제 1 항 내지 제 3 항, 또는 제 7 항 중 어느 한 항의 모스 전계효과 트랜지스터의 증폭도 및 잡음도 개선회로를 이용한 증폭기
10 10
제 1 항 내지 제 3 항, 또는 제 7 항 중 어느 한 항의 모스 전계효과 트랜지스터의 증폭도 및 잡음도 개선회로를 이용한 발진기
11 11
제1 내지 제4 모스 전계효과 트랜지스터, 제1 내지 제4 커패시터 및 제1 및 제2 저항으로 이루어지되,상기 제1 모스 전계효과 트랜지스터의 소스 단자는 제1 출력단자에 연결되고, 드레인 단자는 제1 고주파 신호단자에 연결되며, 게이트 단자는 제1 국부 발진기 신호단자에 연결됨과 아울러 상기 제1 커패시터를 통해 바디 단자에 연결되며,상기 제2 모스 전계효과 트랜지스터의 소스 단자는 제2 출력단자에 연결되고, 드레인 단자는 상기 제1 모스 전계효과 트랜지스터의 드레인 단자와 공통으로 상기 제1 고주파 신호단자에 연결되며, 게이트 단자는 제2 국부 발진기 신호단자에 연결됨과 아울러 상기 제2 커패시터를 통해 바디 단자에 연결되며,상기 제3 모스 전계효과 트랜지스터의 소스 단자는 상기 제1 모스 전계효과 트랜지스터의 소스 단자와 공통으로 제1 출력단자에 연결되고, 드레인 단자는 제2 고주파 신호단자에 연결되며, 게이트 단자는 상기 제2 모스 전계효과 트랜지스터의 게이트 단자와 공통으로 상기 제2 국부 발진기 신호단자에 연결됨과 아울러 상기 제3 커패시터를 통해 바디 단자에 연결되며,상기 제4 모스 전계효과 트랜지스터의 소스 단자는 상기 제2 모스 전계효과 트랜지스터의 소스 단자와 공통으로 상기 제2 출력단자에 연결되고, 드레인 단자는 상기 제3 모스 전계효과 트랜지스터의 드레인 단자와 공통으로 상기 제2 고주파 신호단자에 연결되며, 게이트 단자는 상기 제1 국부 발진기 신호단자에 연결됨과 아울러 상기 제4 커패시터를 통해 바디 단자에 연결되며,상기 제1 출력단자는 중간주파수 신호단자에 연결되고, 상기 제1 출력단자와 접지 사이에 상기 제1 저항이 연결되며, 상기 제2 출력단자는 상기 중간주파수 신호단자에 연결되며, 상기 제2 출력단자와 접지 사이에 상기 제2 저항이 연결되는 것을 특징으로 하는 모스 전계효과 트랜지스터의 증폭도 및 잡음도 개선회로를 이용한 주파수 혼합기
12 12
제 11 항에 있어서, 상기 제1 내지 제4 모스 전계효과 트랜지스터는 P형 모스 전계효과 트랜지스터(PMOSFET)인 것을 특징으로 하는 모스 전계효과 트랜지스터의 증폭도 및 잡음도 개선회로를 이용한 주파수 혼합기
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2 JP20035466 JP 일본 FAMILY
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2 JP4566182 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 US2008024223 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US7420418 US 미국 DOCDBFAMILY
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