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저전력 초광대역 수신기를 위한 저잡음 증폭기

  • 기술번호 : KST2015112226
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저전력 초광대역 수신기를 위한 저잡음 증폭기에 관한 것이다. 각 증폭단으로부터 분리된 각 패드 접지부와 패키지 접지부로 구비된 접지부; 각 MOSFET 소자로 된 증폭단의 드레인 단자에 바이어스 전압을 제공하는 바이어스부; 1V 이하의 낮은 전원 전압으로 동작할 수 있도록 수신 신호를 증폭하는 공통 에미터 MOSFET 구조의 2단 증폭단으로 구성된 증폭부; 및 입력 임피던스 정합부, 2단으로 구성된 상기 증폭부 사이에서 안정도를 개선하기 위한 단간 임피던스 정합부, 및 출력 임피던스 정합부로 구비된 임피던스 정합부로 구성된다. 따라서, 공통 에미터 구조로 저잡음 증폭기를 설계하고 분할된 접지부와 임피던스 정합회로를 이용하여 발진을 방지하여, 종래의 캐스코드 구조의 저잡음 증폭기에 비하여 2배 가까이 낮은 전원 전압을 사용할 수 있으며, 전원 전압이 1V 이하인 고속 디지털 회로와 단일칩으로 제작가능하며, 저전력으로 동작하면서 큰 전압이득을 얻을 수 있다. 초광대역(UWB), 수신기, 저잡음 증폭기(LNA)
Int. CL H03F 1/26 (2000.01)
CPC H03F 1/26(2013.01) H03F 1/26(2013.01) H03F 1/26(2013.01) H03F 1/26(2013.01) H03F 1/26(2013.01)
출원번호/일자 1020040047276 (2004.06.23)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0729746-0000 (2007.06.12)
공개번호/일자 10-2005-0122113 (2005.12.28) 문서열기
공고번호/일자 (20070620) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.06.23)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정성원 대한민국 부산광역시 수영구
2 이승윤 대한민국 서울특별시 동대문구
3 박규호 대한민국 충청남도 공주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.06.23 수리 (Accepted) 1-1-2004-0272667-19
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2005.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2005.10.19 수리 (Accepted) 9-1-2005-0067883-10
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.02.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0088415-20
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2006-0259936-15
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.05.15 수리 (Accepted) 1-1-2006-0336758-24
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.06.15 수리 (Accepted) 1-1-2006-0419116-13
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2006-0510058-10
9 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2006-0581705-06
10 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.09.15 수리 (Accepted) 1-1-2006-0668653-82
11 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.10.16 수리 (Accepted) 1-1-2006-0744760-20
12 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.11.15 수리 (Accepted) 1-1-2006-0835692-25
13 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2006-0929652-36
14 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2007.01.15 수리 (Accepted) 1-1-2007-0037130-27
15 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2007.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2007-0140826-80
16 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2007.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2007-0205577-63
17 의견서
Written Opinion
2007.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2007-0256614-49
18 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2007.04.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0256613-04
19 등록결정서
Decision to grant
2007.06.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0319443-96
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
초광대역(UWB) 무선 수신기의 저잡음 증폭기에 있어서:1V 이하의 낮은 전원 전압으로 동작할 수 있도록 수신 신호를 증폭하는 공통 에미터 MOSFET 구조의 2단 증폭단으로 형성된 증폭부; 입력 임피던스 정합부, 2단으로 구성된 상기 증폭부 사이에서 안정도를 개선하기 위한 단간(inter-stage) 임피던스 정합부, 그리고 출력 임피던스 정합부로 형성된 임피던스 정합부;상기 2단 증폭단의 드레인 단자에 바이어스 전압을 제공하는 바이어스부; 및,상기 입력 임피던스 정합부의 접지와 상기 2단 증폭단의 접지가 기판 상에서 분할된 레이아웃 접지 패턴으로 형성된 접지부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 저전력 초광대역(UWB) 수신기를 위한 저잡음 증폭기(LNA)
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 단간 임피던스 정합부의 접지는 상기 입력 임피던스 정합부의 접지 및 상기 2단 증폭단의 접지와 기판 상에서 독립된 레이아웃 접지 패턴으로 형성된 것을 특징으로 하는 저전력 초광대역(UWB) 수신기를 위한 저잡음 증폭기(LNA)
3 3
제 1 항에 있어서,상기 단간 임피던스 정합부는 상기 MOSFET의 드레인 단자와 소스 단자사이에 병렬 연결된 커패시터를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 저전력 초광대역(UWB) 수신기를 위한 저잡음 증폭기(LNA)
4 4
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5 5
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6 5
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패밀리정보가 없습니다
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