| 1 |
1
p타입 금속 산화물 활성층;
상기 p타입 금속 산화물 활성층에 적어도 일부가 중첩된 게이트 전극; 및
상기 p타입 금속 산화물 활성층에 적어도 그 일부가 접속된 소스 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터
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| 2 |
2
청구항 1에 있어서,
적어도 상기 p타입 금속 산화물 활성층과 게이트 전극 사이에 마련된 게이트 절연막을 더 포함하는 박막 트랜지스터
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| 3 |
3
청구항 1에 있어서,
상기 p타입 금속 산화물 활성층과 상기 소스 및 드레인 전극 사이에 마련된 오믹 접촉층을 더 포함하는 박막 트랜지스터
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| 4 |
4
청구항 1에 있어서,
상기 게이트 전극은 기판상에 형성되고,
상기 p타입 금속 산화물 활성층은 상기 게이트 전극 상측 영역에 형성되고,
상기 소스 및 드레인 전극은 상기 p타입 금속 산화물 활성층 상에 형성된 박막 트랜지스터
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| 5 |
5
청구항 4에 있어서,
상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연막을 포함하는 박막 트랜지스터
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| 6 |
6
청구항 1에 있어서,
상기 게이트 전극은 기판 상에 형성되고,
상기 소스 및 드레인 전극은 상기 게이트 전극 양측의 상기 기판 상에 형성되고,
상기 p타입 금속 산화물 활성층은 상기 소스 및 드레인 전극 그리고, 이들 사이의 상기 게이트 전극과 적어도 일부가 중첩되도록 형성된 박막 트랜지스터
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| 7 |
7
청구항 2에 있어서,
상기 게이트 전극은 기판상에 형성되고,
상기 게이트 절연막은 적어도 상기 게이트 전극 상에 형성되고,
상기 소스 및 드레인 전극은 그 일부가 상기 게이트 전극 상측 영역의 상기 게이트 절연막 상에 형성되고,
상기 p타입 금속 산화물 활성층은 상기 게이트 전극 상측 영역의 상기 소스 및 드레인 전극과 상기 게이트 절연막 상에 형성된 박막 트랜지스터
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| 8 |
8
청구항 1에 있어서,
상기 소스 및 드레인 전극은 기판 상에 형성되고,
상기 p타입 금속 산화물 활성층은 상기 소스 및 드레인 전극의 상측 일부와 상기 소스 및 드레인 전극 사이의 상기 기판상에 형성되고,
상기 게이트 전극은 상기 소스 및 드레인 전극의 상측 영역의 상기 p타입 금속 산화물 활성층 상에 형성된 박막 트랜지스터
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9
청구항 8에 있어서,
상기 p타입 금속 산화물 활성층 상에 형성된 상기 게이트 절연막을 포함하는 박막 트랜지스터
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10
청구항 1에 있어서,
상기 p타입 금속 산화물 활성층은 상기 기판 상에 형성되고,
상기 게이트 전극은 상기 p타입 금속 산화물 활성층의 중심 영역에 형성되고,
상기 소스 및 드레인 전극은 적어도 상기 게이트 전극 양측의 상기 p타입 금속 산화물 활성층 상에 형성된 박막 트랜지스터
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11
청구항 1 내지 청구항 10 중 어느 한에 있어서,
상기 p타입 금속 산화물 활성층은 금속 전구체와 산소를 포함하는 반응 가스를 이용한 화학 증착법 및 원자층 증착법 중 적어도 하나의 증착법으로 제작된 박막 트랜지스터
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12
청구항 10에 있어서,
상기 p타입 금속 산화물 활성층으로 Ni계 산화물, Fe계 산화물, Co계 산화물, Fe계 산화물, W계 산화물, SnO2:N, ZnO:B 및 ZnO:N 및 상기 산화물(Ni, Fe, Co, Fe, W계 산화물)들의 화합물 그리고 이들의 합금(alloy) 형태(이원계, 삼원계, 사원계)로 이루어진 그룹 중 어느 하나를 사용하는 박막 트랜지스터
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13
기판을 가열하는 단계;
상기 가열된 기판 상에 금속 원료와 반응 가스를 공급하여 p타입 금속 산화물 반도체막을 형성하는 단계; 및
상기 p타입 금속 산화물 반도체막의 일부를 제거하여 p타입 금속 산화물 활성층을 형성하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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14
청구항 13에 있어서, 상기 기판을 가열하는 단계 전에,
상기 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 및
상기 게이트 전극을 포함하는 상기 기판 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하고,
상기 게이트 전극 상측의 상기 게이트 절연막 상에 상기 p타입 금속 산화물 활성층을 형성하고,
적어도 상기 p타입 금속 산화물 활성층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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15
청구항 13에 있어서, 상기 기판을 가열하는 단계 전에,
상기 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;
적어도 상기 게이트 전극 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 및
일부가 상기 게이트 전극과 중첩되도록 적어도 상기 게이트 절연막 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 더 포함하고,
상기 게이트 전극 상측의 상기 소스 및 드레인 전극과 상기 게이트 절연막 상의 상기 p타입 금속 산화물 반도체막을 제외한 나머지 영역의 상기 p타입 금속 산화물 반도체막을 제거하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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16
청구항 13에 있어서, 상기 p타입 금속 산화물 활성층을 형성하는 단계 이후,
적어도 상기 p타입 금속 산화물 활성층의 양 가장자리 영역에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계;
적어도 상기 소스 및 드레인 전극 사이의 상기 p타입 금속 산화물 활성층 사이에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 및
상기 게이트 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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17
청구항 13에 있어서,
상기 기판을 가열하는 단계 전에, 상기 기판 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 더 포함하고,
적어도 상기 소스 및 드레인 전극의 일부와, 상기 소스 및 드레인 전극 사이의 상기 기판 상측 영역을 제외한 나머지 영역의 상기 p타입 금속 산화물 반도체막의 일부를 제거하여 상기 p타입 금속 산화물 활성층을 형성하고,
적어도 상기 p타입 금속 산화물 활성층 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 및
상기 게이트 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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