맞춤기술찾기

이전대상기술

마이크로파를이용한다결정박막의제조방법

  • 기술번호 : KST2015119116
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 규소(Si) 반도체, 불순물이 첨가된 규소 반도체, Si1-XGeX 등의 Si 합금을 포함한 IV족 반도체, 또는 Ⅲ-Ⅴ족·Ⅱ-Ⅵ족 반도체 등의 비정질 박막을, 마이크로파에 의한 열처리로써 결정화하여 다결정 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은, 기판을 세척하고 증착 장비에 장입하여 증착에 필요한 온도까지 기판을 예열하는 공정; 상기 기판에 비정질 또는 미세결정질 박막을 증착하는 공정; 및 증착된 박막을 마이크로파로 열처리하여 결정화함으로써 다결정 박막을 형성하는 공정으로 구성된다. 본 발명의 제조방법에 따르면, 비정질 박막을 고상결정화 함에 있어서 마이크로파를 이용함으로써 결정화 온도를 유리의 이용이 가능한 500℃까지 낮추고 결정화 시간도 기존의 수십 시간에서 수 시간으로 단축할 수 있다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1019960055647 (1996.11.20)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0297498-0000 (2001.05.22)
공개번호/일자 10-1998-0036973 (1998.08.05) 문서열기
공고번호/일자 (20011024) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.11.20)
심사청구항수 1

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 안병태 대한민국 대전광역시 유성구
2 김도경 대한민국 대전광역시 유성구
3 김종희 대한민국 대전광역시 유성구
4 이정노 대한민국 서울특별시 관악구
5 김윤창 대한민국 대전광역시 서구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이한영 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 ** (서초동, 아트스페이스 ***빌딩 *층)(리앤리국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
1996.11.20 수리 (Accepted) 1-1-1996-0188416-83
2 출원심사청구서
Request for Examination
1996.11.20 수리 (Accepted) 1-1-1996-0188418-74
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1996.11.20 수리 (Accepted) 1-1-1996-0188417-28
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.06.21 수리 (Accepted) 4-1-1999-0085486-82
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
1999.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0327676-69
10 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
1999.12.27 수리 (Accepted) 1-1-1999-5432228-51
11 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2000.01.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5029348-16
12 의견서
Written Opinion
2000.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2000-5029347-71
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2000.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0154773-14
14 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2000.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2000-5265288-44
15 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2000.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2000-5296739-50
16 의견서
Written Opinion
2000.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2000-5332615-32
17 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2000.10.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5332614-97
18 등록사정서
Decision to grant
2001.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0106529-66
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
27 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

기판을 세척하고 증착 장비에 장입하여 예열하는 공정; 상기 기판에 비정질 또는 미세결정질 박막을 증착하는 공정; 증착된 박막에 불순물을 이식하거나, 금속을 흡착시키거나, 또는 박막에 불순물을 이식하고 금속을 흡착시켜서, 박막의 전기적 특성이나 결정상태를 변화시키는 공정; 및 증착된 박막을 마이크로파로 400 내지 600℃에서 2 내지 5시간 동안 열처리하여 결정화함으로써 다결정 박막을 형성하는 공정으로 구성된 마이크로파를 이용한 다결정 박막의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US06528361 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US6528361 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.