맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

은 나노와이어 네트워크―그래핀 적층형 투명전극 소재, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 투명전극

  • 기술번호 : KST2015119162
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 은 나노와이어 네트워크-그래핀 적층형 투명전극 소재, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 투명전극이 개시된다. 투명전극은 투명 기판, 상기 투명 기판 상에 형성된 은 나노와이어 네트워크 층 및 상기 은 나노와이어 네트워크 층 상에 형성된 그래핀 층을 포함하고, 상기 은 나노와이어 네트워크 층을 구성하는 은 나노와이어는 적어도 한 지점 이상에서 다른 은 나노와이어와 용융 과정을 거쳐 접합 또는 교차되어 연결될 수 있다.
Int. CL H01B 1/02 (2006.01) H01B 13/00 (2006.01) H01B 5/14 (2006.01)
CPC H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01)
출원번호/일자 1020120107545 (2012.09.27)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1386362-0000 (2014.04.10)
공개번호/일자 10-2014-0040919 (2014.04.04) 문서열기
공고번호/일자 (20140416) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.09.27)
심사청구항수 11

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김일두 대한민국 서울 동작구
2 양승복 대한민국 경기 용인시 기흥구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 양성보 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로***길 ** (논현동) 삼성빌딩 *층(피앤티특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0786545-91
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.06.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0058003-24
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2013.10.11 수리 (Accepted) 1-1-2013-0918973-61
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.11.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0807549-92
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2013-1141793-60
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.12.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1141794-16
9 등록결정서
Decision to grant		 2014.04.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0244335-68
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명 기판 상에 은 나노와이어 분산용액이 코팅되어 은 나노와이어 네트워크 층이 형성되는 단계;상기 은 나노와이어 네트워크 층 상에 그래핀 분산용액이 코팅되어 상기 은 나노와이어 네트워크 층에 그래핀 층이 적층된 투명전극이 형성되는 단계; 및상기 투명전극 상에 제논 램프가 펄스 형태로 조사되어 광소결(intensive pulsed light)되는 단계를 포함하고,상기 은 나노와이어 네트워크층을 구성하는 은 나노와이어는,적어도 한 지점 이상에서 다른 은 나노와이어와 용융 과정을 거쳐 접합 또는 교차되어 연결되고, 상기 그래핀 층은,상기 은 나노와이어를 감싸거나 상기 은 나노와이어 상층에 전면으로 도포됨으로써 광소결 중에 발생된 빛 에너지를 상기 투명 기판과 상기 그래핀 층 사이에 저장하고,상기 빛 에너지를 전달 받아 상기 그래핀 층의 하층에 결착된 상기 은 나노와이어에 에너지를 전달하고, 상기 제논 램프는, 가시광선 영역의 광만을 조사하는 것을 특징으로 하는 투명전극 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 그래핀 층은,수분 및 산소 중 적어도 하나의 침투를 차단함으로써 상기 은 나노와이어가 산화되는 것을 방지하는 보호막 역할을 수행하는 것을 특징으로 하는 투명전극 제조 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 은 나노와이어는,직경 10 ~ 100 ㎚, 길이 2 ~ 100 ㎛의 범위를 가지는 것을 특징으로 하는 투명전극 제조 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 그래핀 층은,상기 제논 램프를 이용한 광소결 과정에 의해 상기 은 나노와이어 네트워크 층과 결착되고, 상기 은 나노와이어의 형상을 따라 단층 또는 다중층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 투명전극 제조 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 그래핀 층은,그래핀 입자, 그래핀 퀀텀 닷(quantum dot), 그래핀 리본, 그래핀 플레이크(flake) 중 적어도 하나로 형태로 상기 은 나노와이어 네트워크 층의 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는 투명전극 제조 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 그래핀 층은,1 ~ 300 nm의 두께로 형성되고, 수분 및 산소 중 적어도 하나의 투과를 방지하는 보호막 역할 및 상기 은 나노와이어의 산화를 방지하는 역할을 수행하는 것을 특징으로 하는 투명전극 제조 방법
7 7
제1항에 있어서,상기 투명전극은,1 ~ 200 Ω/sq 이하의 비저항 값과 80% 이상의 광투과도를 가지는 것을 특징으로 하는 투명전극 제조 방법
8 8
제1항에 있어서,상기 투명 기판은,유리 기판 또는 고분자 필름 기판인 것을 특징으로 하는 투명전극 제조 방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 은 나노와이어 네트워크 상층에 결착된 그래핀은,10 nm ~ 10 μm의 크기 분포를 갖는 것을 특징으로 하는 투명전극 제조 방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 그래핀층은 단층 또는 다층 형태인 것을 특징으로 하는 투명전극 제조 방법
11 11
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따라 제조된 투명 전극; 및상기 투명 전극과 연결된 배선부를 포함하는 터치스크린 패널
12 12
삭제
13 13
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.