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고온축전지의제조방법

  • 기술번호 : KST2015119627
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음
Int. CL H01M 4/04 (2006.01) H01M 10/04 (2006.01)
CPC H01M 10/38(2013.01) H01M 10/38(2013.01) H01M 10/38(2013.01) H01M 10/38(2013.01) H01M 10/38(2013.01) H01M 10/38(2013.01)
출원번호/일자 1019830004245 (1983.09.09)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0020573-0000 (1986.01.09)
공개번호/일자 10-1985-0002698 (1985.05.15) 문서열기
공고번호/일자 1019850001488 (19851010) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1983.09.09)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박영우 대한민국 서울시성동구
2 박강제 대한민국 서울시서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이세진 대한민국 서울특별시 서초구 방배천로**길 *, *층 대양국제특허법률사무소 (방배동, 인성빌딩)
2 장수길 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 서울시동대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1983.00.00 수리 (Accepted) 1-1-1983-0025135-76
2 특허출원서
Patent Application		 1983.09.09 수리 (Accepted) 1-1-1983-0025134-20
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1983.09.09 수리 (Accepted) 1-1-1983-0025137-67
4 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1983.09.09 수리 (Accepted) 1-1-1983-0025136-11
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1985.05.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1983-0014691-75
6 의견서
Written Opinion		 1985.06.05 수리 (Accepted) 1-1-1983-0025138-13
7 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1985.09.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1985-9000703-86
8 등록사정서
Decision to grant		 1985.12.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1983-0014692-10
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

제 2 흑연제 금형과이 금형의 중심에 고정 설치된 음극 집전체 사이의 공간에 음극 활성 물질을 주입한 다음 냉각시켜 주조된 음극을 탈형시키는 공정, 이 음극을 제 3 흑연제 금형 내에 고정 설치하고 이 제 3 흑연제 금형의 상부에서 결합되는 압출기로부터 용융 상태의 격리판 재료를 압출시켜 상기 음극 주위에 분말 격리판 재료층을 피복시킨 후 냉각 탈형시키는 공정 및 이 격리판 재료층이 피복된 음극을 탈형하여 이것을 이것의 직경보다 직경이 크고 저부의 모서리 부분에 다수의 작은 통공이 형성된 제 3 흑연제 금형의 중심에 고정하여 양극 성형 용기 내에 그 중심을 맞추어 놓고, 상기 제 3 흑연제 금형의 외벽과 양극 성형 용기 내벽 사이의 공간에 용융 양극 활성 물질을 주입하여 이 양극 활성 물질이 상기 통공을 통하여 제 3 흑연제 금형의 내벽과 음극 사이의 공간에 유입되고 하여 그 양극 활성 물질을 음극 외면에 침지시킨 후 냉각·탈형시키는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 고온 축전지의 제조 방법

2 2

제 1 항에 있어서, 음극 집전체로서 내부가 비어 있는 관상체를 사용하는 것을 특징으로 하는 방법

3 3

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 음극 집전체의 내면벽에 은 및 구리 중에서 선정된 양전도체 금속을 접합 또는 도금시키는 것을 특징으로 하는 방법

4 4

제 1 항에 있어서, 각 금형 및 양극 성형 용기로서 흑연제를 사용하는 것을 특징으로 하는 방법

5 5

제 1 항에 있어서, 격리판 재료로서 산화마그네슘 단독 또는 전해질염과의 혼합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법

6 6

제 1 항에 있어서, 양극 활성 물질로서 통상의 양극 활성 물질 또는 전해질염과의 혼합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법

7 7

제 1 항 또는 제 6 항에 있어서, 양극 활성 물질을 유입 압력차에 의하여 성형시키는 것을 특징으로하는 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.