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비스무쓰층상산화물강유전체박막의제조방법

  • 기술번호 : KST2015120412
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 스트론튬 비스무쓰 탄탈륨 니오븀 산화물(strontium bismuth tantalum niobium; 이하 SBTN 이라 한다)층 사이에 소정 두께의 단일 비스무쓰 층을 삽입하여, SBTN/Bi2O3/SBTN 헤테로 구조를 형성하고, 저온 후열처리에 의하여, 삽입된 비스무쓰 산화물 층을 상하부에 있는 SBTN 층으로 확산시키는 방법을 이용하여 SBTN 박막을 제조한다. 이러한 제조방법에서는 SBTN 층 사이에 첨가하는 Bi2O3 층의 두께를 조절함으로써 박막의 비스무쓰 양을 제어할 수 있고, Perino 법에 비해 제조 단가를 획기적으로 낮출 수 있고, 제조 온도를 625℃까지 낮출 수 있을 뿐 아니라, 간단한 제조공정에도 불구하고, 낮은 인가전압에서 비교적 높은 잔류분극값을 나타내며, 퍼티그 테스트 결과 긴 수명을 가지는 등 우수한 강유전체 특성을 가지는 SBTN 박막을 제공한다.
Int. CL C23C 14/35 (2011.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC C23C 14/5893(2013.01) C23C 14/5893(2013.01) C23C 14/5893(2013.01) C23C 14/5893(2013.01) C23C 14/5893(2013.01)
출원번호/일자 1019980029926 (1998.07.24)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0288501-0000 (2001.02.07)
공개번호/일자 10-2000-0009477 (2000.02.15) 문서열기
공고번호/일자 (20010502) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.07.24)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이전국 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 정형진 대한민국 서울특별시 동대문구
3 박윤백 대한민국 경기도 구리시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.07.24 수리 (Accepted) 1-1-1998-0091971-28
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.07.24 수리 (Accepted) 1-1-1998-0091972-74
3 특허출원서
Patent Application		 1998.07.24 수리 (Accepted) 1-1-1998-0091970-83
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.09.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0227249-02
11 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2000.11.07 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5342292-67
12 의견서
Written Opinion		 2000.11.07 수리 (Accepted) 1-1-2000-5342281-65
13 등록사정서
Decision to grant		 2001.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0013661-26
14 FD제출서
FD Submission		 2001.02.14 수리 (Accepted) 2-1-2001-5024949-09
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

비스무쓰계 층상 강유전체 SBTN 박막 제조공정에 있어서, 두 SBTN박막 사이에 산화 비스무쓰(Bi2O3) 박막을 배치시켜 SBTN/Bi2O3/SBTN 헤테로 구조를 형성하는 단계; 및, 상기 SBTN/Bi2O3/SBTN 헤테로 구조를 후 열처리하는 단계;로 이루어짐으로써, 박막 내부의 손실된 휘발성 비스무쓰 성분이 정량적으로 보충 제어된 균일한 SrBi2+xTaNbO9+y 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 비스무쓰계 층상 강유전체 SBTN 막박 제조방법

2 2

제1항에 있어서 상기 양측의 SBTN 박막의 두께는 각각 50 내지 100 나노미터이고, 산화 비스무쓰 박막의 두께는 5 내지 15 나노미터인 것을 특징으로 하는 비스무쓰계 층상 강유전체 SBTN 막박 제조방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 SBTN/Bi2O3/SBTN 헤테로 구조는 13

4 4

제3항에 있어서, 상기 알 에프 마그네트론 스퍼터링은, 50%:50% 내지 5%:95%의 알 에프 파워 조건하에서 이루어지며, 타겟과 기판 사이의 간격은 2 내지 5cm이고 기판의 온도는 20 내지 400℃인 것을 특징으로 하는 비스무쓰계 층상 강유전체 SBTN 막박 제조방법

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제1항에 있어서, 상기 SBTN/Bi2O3/SBTN 헤테로 구조는 플라즈마 화학 증착법 및 레이저 아브레이션방법 중 하나에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 비스무쓰계 층상 강유전체 SBTN 막박 제조방법

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제1항에 있어서, 상기 SBTN/Bi2O3/SBTN 헤테로 구조에 대한 후 열처리는 1 내지 760Torr의 압력, 600 내지 700℃ 온도의 산소 분위기 하에서 30 내지 180분간 이루어지는 것을 특징으로 하는 비스무쓰계 층상 강유전체 SBTN 막박 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.