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고분자 전해질막 연료전지용 복합 고분자 전해질 막의제조방법

  • 기술번호 : KST2015120630
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따라, 퍼플루오로술포닐 할로겐화물 형태의 고분자 전해질 수지를 다양한 방법을 사용하여 다공성 막에 함침시킴으로써, 얇고 이온전도성이 크며 물리적 강도가 큰 복합 고분자 막을 제조하는 방법이 제공된다. 본 발명에 의해서 제조된 복합 고분자 전해질막을 사용하여 고분자 전해질 연료전지를 제작할 경우 전지성능의 감소 없이 고성능의 단위전지 혹은 스택을 제작할 수 있다. 또한, 본 발명에서 개발한 복합 고분자 전해질막 제조방법은 제조 공정이 간단하고, 제조비용이 저렴한 장점이 있다.고분자 전해질막 연료전지, 퍼플루오로술폰산 할로겐화물
Int. CL H01M 8/10 (2010.01)
CPC
출원번호/일자 1020000013526 (2000.03.17)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0352563-0000 (2002.08.30)
공개번호/일자 10-2001-0091642 (2001.10.23) 문서열기
공고번호/일자 (20020912) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.03.17)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오인환 대한민국 서울특별시성북구
2 하흥용 대한민국 서울특별시노원구
3 최형준 대한민국 서울특별시중랑구
4 심중표 대한민국 서울특별시중랑구
5 홍성안 대한민국 서울특별시강남구
6 임태훈 대한민국 서울특별시송파구
7 남석우 대한민국 서울특별시동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 주성민 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)
2 장수길 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2000-0051545-37
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.02.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0051049-18
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
4 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.04.17 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0113970-30
5 의견서
Written Opinion		 2002.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2002-0113975-68
6 등록결정서
Decision to grant		 2002.08.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0291159-05
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

- 불활성의 다공성 고분자 막에 퍼플루오로술포닐 할로겐화물 수지를 함침시키는 단계, 및

- 상기 도포된 고분자 막을 70 내지 120℃의 알카리 용액, 80 내지 100℃의 황산 용액으로 순서대로 처리하여, 함침된 퍼플루오로술포닐 할로겐화물을 퍼플루오로 술폰산으로 전환시키는 단계

를 포함하는 PEMFC용 복합 고분자 전해질막의 제조 방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 다공성 고분자 막이 기공도가 30 내지 90%이고, 기공크기가 0

3 3

제1항에 있어서, 상기 함침 단계가 분무법, 페인팅법, 테이프 캐스팅법, 스크린 인쇄법, 침지법, 칼렌더링법 및 닥터 블레이드법으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 방법에 의하여 수행되는 방법

4 4

제3항에 있어서, 상기 함침 단계가 230 내지 320℃의 온도에서 수행되는 방법

5 5

제1항에 있어서, 알칼리 수용액으로서 0

6 6

제3항에 있어서, 상기 함침 단계가 230 내지 320℃의 온도, 40 내지 200 kgf/cm2의 압력 및 1 내지 10분 동안의 조건에서 칼렌더링 방법에 의하여 수행되는 방법

7 7

제1항에 있어서, 제조된 복합 전해질막의 표면에 전해질 필름을 도포하는 단계를 더 포함하는 방법

8 8

제7항에 있어서, 상기 전해질 필름이 퍼플루오르화 술폰산 또는 퍼플루오르화 카르복실산, 폴리스티렌술폰산, 폴리스티렌카르복실산 등이나 이들 물질이 나트륨 또는 칼륨 등의 알칼리 금속이온으로 치환된 형태의 고분자 물질 또는 퍼플루오로술포닐 플루오라이드로 이루어진 군으로 부터 선택되며, 도포된 필름의 두께가 1 내지 50 ㎛인 방법

9 9

제7항에 있어서, 상기 필름을 추가로 도포하는 방법이 분무법, 페인팅법, 테이프 캐스팅법, 스크린 인쇄법, 침지법으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 방법에 의하여 수행되는 방법

10 10

제1항에 있어서, 80 내지 150 ℃의 초순수 또는 수증기 중에서 1시간 이상 가열하는 단계를 더 포함하는 방법

11 11

제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따라 제조된 복합 고분자 전해질막이 구비된 복합 고분자 전해질막 연료전지

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.