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연료 전지 막 전극 접합체의 구조 안정화 방법 및 안정한 구조를 갖는 막 전극 접합체

  • 기술번호 : KST2015122127
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 고분자 전해질 막 및 고분자 전해질 막 위에 코팅된 촉매층을 포함하는 연료 전지 막 전극 접합체의 구조의 안정화 방법으로서, 촉매층에 의해 코팅되지 않는, 전해질 막의 가장자리를 열처리하는 것을 포함하며, 상기 열처리를 통해 전해질 막과 촉매층 간의 계면을 안정화시키는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01M 4/88 (2006.01) H01M 8/10 (2006.01) H01M 8/02 (2006.01)
CPC H01M 8/1004(2013.01) H01M 8/1004(2013.01) H01M 8/1004(2013.01) H01M 8/1004(2013.01) H01M 8/1004(2013.01)
출원번호/일자 1020110117042 (2011.11.10)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1349755-0000 (2014.01.03)
공개번호/일자 10-2013-0051727 (2013.05.21) 문서열기
공고번호/일자 (20140116) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.11.10)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 헨켄스마이어 디억 독일 서울특별시 성북구
2 김형준 대한민국 경기도 수원시 영통구
3 크리쉬난 엔. 남비 인도 서울특별시 성북구
4 장종현 대한민국 서울특별시 노원구
5 조은애 대한민국 서울특별시 성북구
6 오인환 대한민국 서울특별시 노원구
7 홍성안 대한민국 서울특별시 강남구
8 남석우 대한민국 서울특별시 동대문구
9 임태훈 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.11.10 수리 (Accepted) 1-1-2011-0889053-32
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.12.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.01.02 수리 (Accepted) 9-1-2013-0000133-69
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.06.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0411251-60
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.08.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0747970-68
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.08.19 수리 (Accepted) 1-1-2013-0747948-63
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0803329-61
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.12.16 수리 (Accepted) 1-1-2013-1150391-20
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2013.12.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-1150388-93
10 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2013.12.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0908217-30
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
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4 4
연료 전지 막 전극 접합체의 구조를 안정화시키는 방법으로서,상기 연료 전지 막 전극 접합체는, 고분자 전해질 막 및 상기 고분자 전해질 막 위에 코팅된 촉매층을 포함하며,상기 방법은, 고분자 전해질 막의 가장 자리 영역, 가스 주입부(inlet) 영역 및 배출부(outlet) 영역 중 어느 하나 이상의 적어도 일부를 열처리하는 것을 포함하며,상기 열처리를 통해 전해질 막과 촉매층 간의 계면을 안정화시키는 것이고, 상기 열처리는 비활성 분위기 하에서 210 내지 300℃에서 5초 내지 60분간 수행하고, 상기 열처리된 부위는 탈술폰화(desulfonation)된 것을 특징으로 하는, 연료 전지 막 전극 접합체의 구조 안정화 방법
5 5
연료 전지 막 전극 접합체의 구조를 안정화시키는 방법으로서,상기 연료 전지 막 전극 접합체는, 고분자 전해질 막 및 상기 고분자 전해질 막 위에 코팅된 촉매층을 포함하며,상기 방법은, 고분자 전해질 막의 가장 자리 영역, 가스 주입부(inlet) 영역 및 배출부(outlet) 영역 중 어느 하나 이상의 적어도 일부를 열처리하는 것을 포함하며,상기 열처리를 통해 전해질 막과 촉매층 간의 계면을 안정화시키는 것이고, 상기 열처리는 촉매층에 의해 코팅되지 않는 모든 가장자리 부분에 수행하는, 연료 전지 막 전극 접합체의 구조 안정화 방법
6 6
연료 전지 막 전극 접합체의 구조를 안정화시키는 방법으로서,상기 연료 전지 막 전극 접합체는, 고분자 전해질 막 및 상기 고분자 전해질 막 위에 코팅된 촉매층을 포함하며,상기 방법은, 고분자 전해질 막의 가장 자리 영역, 가스 주입부(inlet) 영역 및 배출부(outlet) 영역 중 어느 하나 이상의 적어도 일부를 열처리하는 것을 포함하며,상기 열처리를 통해 전해질 막과 촉매층 간의 계면을 안정화시키는 것이고, 상기 열처리는 촉매층에 의해 코팅되지 않는 가장자리 부분 중 일부에만 수행하는, 연료 전지 막 전극 접합체의 구조 안정화 방법
7 7
제 4 항에 있어서,상기 열처리는 촉매층에 의해 코팅되는 부분의 가장자리에도 수행되어 촉매층에 의해 코팅되는 부분과 열처리되는 부분이 일부 중첩되도록 열처리하는, 연료 전지 막 전극 접합체의 구조 안정화 방법
8 8
제7항에 있어서,상기 촉매층에 의해 코팅되는 부분과 열처리된 부분이 중첩되는 부위는 0
9 9
제8항에 있어서, 상기 중첩 부위는 0
10 10
연료 전지 막 전극 접합체의 구조를 안정화시키는 방법으로서,상기 연료 전지 막 전극 접합체는, 고분자 전해질 막 및 상기 고분자 전해질 막 위에 코팅된 촉매층을 포함하며,상기 방법은, 고분자 전해질 막의 가장 자리 영역, 가스 주입부(inlet) 영역 및 배출부(outlet) 영역 중 어느 하나 이상의 적어도 일부를 열처리하는 것을 포함하며,상기 열처리를 통해 전해질 막과 촉매층 간의 계면을 안정화시키는 것이고, 상기 방법은, 열처리 하기 전에 술폰 교차결합(sulfone crosslinking)을 유도하는 첨가제로 전해질 막을 처리하는 것을 더 포함하는, 연료 전지 막 전극 접합체의 구조 안정화 방법
11 11
제 10 항에 있어서,상기 열처리는 막 전극 접합체의 어셈블리 전에 수행하는, 연료 전지 막 전극 접합체의 구조 안정화 방법
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연료 전지 막 전극 접합체로서,고분자 전해질 막 및 상기 고분자 전해질 막 위에 코팅된 촉매층을 포함하며,상기 고분자 전해질 막은, 고분자 전해질 막의 가장 자리 영역, 고분자 전해질 막 중 가스 주입부(inlet) 영역 및 배출부(outlet) 영역 중 어느 하나 이상의 적어도 일부가 열처리된 막이고, 상기 열처리를 통해 전해질 막과 촉매층 간의 계면이 안정화된 것이고, 상기 열처리된 부위가 탈술폰화(desulfonation) 또는 술폰 교차결합(sulfone crosslinking)된 것을 특징으로 하는, 연료 전지 막 전극 접합체
14 14
제 13 항에 있어서,상기 고분자 전해질 막은, 촉매층에 의해 코팅되지 않는 가장자리의 전부가 열처리된 막이거나 또는 촉매층에 의해 코팅되지 않는 가장자리의 일부만이 열처리된 막인 것을 특징으로 하는, 연료 전지 막 전극 접합체
15 15
제 13 항에 있어서,상기 고분자 전해질 막은, 촉매층에 의해 코팅되는 부분의 가장자리에도 열처리되어 촉매층에 의해 코팅된 부분과 열처리된 부분이 일부 중첩된 것을 특징으로 하는, 연료 전지 막 전극 접합체
16 16
제15항에 있어서,상기 촉매층에 의해 코팅된 부분과 열처리된 부분이 중첩되는 부위는 0
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제16항에 있어서, 상기 중첩 부위는 0
18 18
연료 전지 막 전극 접합체로서,고분자 전해질 막 및 상기 고분자 전해질 막 위에 코팅된 촉매층을 포함하며,상기 고분자 전해질 막은, 고분자 전해질 막의 가장 자리 영역, 고분자 전해질 막 중 가스 주입부(inlet) 영역 및 배출부(outlet) 영역 중 어느 하나 이상의 적어도 일부가 열처리된 막이고, 상기 고분자 전해질 막은, 열처리 되기 전에 술폰 교차결합(sulfone crosslinking)을 유도하는 첨가제로 처리된 막인, 연료 전지 막 전극 접합체
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.