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이온빔 보조 반응법을 이용한 고분자 분리막의 표면 개질방법

  • 기술번호 : KST2015120853
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이온빔 보조 반응법을 이용한 표면 개질된 고분자 분리막 및 그 표면 개질 방법에 관한 것으로, 반응성가스를 주입하면서 일정한 가속에너지 및 전류밀도를 갖는 이온빔을 고분자 분리막에 조사하여 상기 고분자 분리막 표면의 기공의 크기와 수량을 조절하고 고분자 분리막 내부에 친수성 작용기를 형성시키는 이온빔 보조 반응법을 이용한 고분자 분리막의 표면 개질 방법 및 표면 개질된 고분자 분리막을 제공한다. 본 발명에 의하면 고분자 분리막의 표면을 이온조사량 및 이온빔의 종류에 따라 처리하여 분리막 표면을 친수성으로 변화시킬 뿐만 아니라 이온빔 조사량에 따라 기공의 크기를 제어함으로써 기존에 물의 침투나 전해질의 투과가 불가능한 문제점을 개선할 수 있다. 이러한 분리막의 표면개질은 분리막 전체의 성질은 변하지 않고 단지 표면의 성질만 변하기 때문에 장기간 사용하여도 분리막의 특성은 저하되지 않으며 기공의 크기를 제어할 수 있으므로 선택적 투과성을 요구하는 각종 고분자 분리막의 기공성 제어가 용이해지며 전해질 투과성이 크게 향상된다.
Int. CL C08J 7/18 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020027001201 (2002.01.28)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2002-0021675 (2002.03.21) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자 PCT/KR2000/000572 (2000.06.01)
국제공개번호/일자 WO2001092384 (2001.12.06)
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.01.28)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 고석근 대한민국 서울특별시동대문구
2 조정 대한민국 서울특별시성북구
3 이철수 대한민국 경상남도거창군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허법 제201조 및 제203조의 규정에 의한 서면
Document under Articles 201 and 203 of Patent Act		 2002.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2002-0028249-67
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0266612-70
4 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2004.09.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0383638-12
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1

반응성가스를 주입하면서 일정한 가속에너지 및 전류밀도를 갖는 이온빔을 고분자 분리막에 조사하여 상기 고분자 분리막 표면의 기공의 크기와 수량을 조절하고 고분자 분리막 내부에 친수성 작용기를 형성시키는 이온빔 보조 반응법을 이용한 고분자 분리막의 표면 개질 방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 이온빔은 산소 또는 수소를 사용하는 것을 특징으로 하는 이온빔 보조 반응법을 이용한 고분자 분리막의 표면 개질 방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 이온빔에너지는 0

4 4

제1항에 있어서, 상기 전류밀도는 7

5 5

제1항에 있어서, 상기 이온빔의 조사량은 5×1014ions/cm2 ~ 1×1017ions/cm2 의 범위인 것을 특징으로 하는 이온빔 보조 반응법을 이용한 고분자 분리막의 표면 개질 방법

6 6

제1항에 있어서, 상기 반응성가스로는 산소를 사용하는 것을 특징으로 하는 이온빔 보조 반응법을 이용한 고분자 분리막의 표면 개질 방법

7 7

제1항에 있어서, 상기 반응성가스의 주입량은 2 내지 8 ml/min의 범위인 것을 특징으로 하는 이온빔 보조 반응법을 이용한 고분자 분리막의 표면 개질 방법

8 8

제1항의 방법에 의해 표면 개질된 고분자 분리막

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번호 국가명
1 오스트리아,벨기에,스위스,사이프러스,독일,덴마크,스페인,핀란드,프랑스,영국,그리스,아일랜드,이탈리아,리히텐슈타인,룩셈부르크,모나코,네덜란드,포르투칼,스웨덴
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1 WO2001092384 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO0192384 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
2 WO0192384 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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