맞춤기술찾기

이전대상기술

다이아몬드 단결정 성장 방법

  • 기술번호 : KST2015121372
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다이아몬드 단결정 성장 방법에 관한 것으로서, 다이아몬드의 기상성장 중 성장하는 단결정의 온도상승과 단결정들 간의 온도를 일정하게 유지시키기 위한 다음의 방법을 제공하여 다이아몬드 단결정을 대량으로 용이하게 성장시킬 수 있게 한다. 다이아몬드 씨드의 결정 형상에 상응하는 음각 패턴을 갖는 피트가 하나 이상 형성되어 있으며 열전도도가 1 W/cmK 이상인 몰드 기판을 제공하는 단계 및 다이아몬드 씨드를 상기 몰드 기판의 피트 내에 위치시킨 후 상기 피트 내에서 기상화학증착법에 의해 다이아몬드 단결정으로 성장시키는 단계를 포함하는 다이아몬드 단결정 성장 방법을 제공한다.
Int. CL C30B 29/04 (2006.01) C30B 25/00 (2006.01)
CPC C30B 25/04(2013.01) C30B 25/04(2013.01) C30B 25/04(2013.01)
출원번호/일자 1020080050117 (2008.05.29)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0124111 (2009.12.03) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.05.29)
심사청구항수 10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 백영준 대한민국 서울특별시 용산구
2 박종극 대한민국 서울특별시 서초구
3 이욱성 대한민국 서울특별시 노원구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))
2 김선장 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***(대치동) 삼성대세빌딩 *층(주식회사젠센)
3 김애라 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *** (역삼동, 한신인터밸리**) 서관 ***호(테라아이피씨특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0384975-64
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.01.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.02.19 수리 (Accepted) 9-1-2009-0011199-91
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
5 [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2010.01.06 수리 (Accepted) 1-1-2010-0007621-89
6 [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2010.01.06 수리 (Accepted) 1-1-2010-0007601-76
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.04.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0142619-11
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.06.03 수리 (Accepted) 1-1-2010-0355873-95
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.07.02 수리 (Accepted) 1-1-2010-0429080-64
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.08.05 수리 (Accepted) 1-1-2010-0505720-48
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.09.06 수리 (Accepted) 1-1-2010-0577324-92
12 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period
2010.09.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0081224-73
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2010.10.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0452188-72
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
다이아몬드 씨드의 결정 형상에 상응하는 음각 패턴을 갖는 피트가 하나 이상 형성되어 있으며 열전도도가 1 W/cmK 이상인 몰드 기판을 제공하는 단계 및 다이아몬드 씨드를 상기 몰드 기판의 피트 내에 위치시킨 후 상기 피트 내에서 기상화학증착법에 의해 다이아몬드 단결정으로 성장시키는 단계를 포함하는 다이아몬드 단결정 성장 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 몰드 기판의 온도를 제어하기 위한 금속 냉각부를 몰드 기판 하부에 제공하는 단계를 추가로 포함하는 다이아몬드 단결정 성장 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 몰드는 고융점 금속, 세라믹 재료, 고열전도성 재료 및 단결정 재료로 구성된 그룹에서 선택되는 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 기상화학증착법에 사용되는 반응기체가 수소 및 메탄 혼합기체인 것을 특징으로 하는 방법
5 5
제 4 항에 있어서, 메탄의 함량은 0
6 6
제 4 항에 있어서, 반응기체가 메탄대비 50% (v/v)의 산소를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 몰드에 형성된 피트의 음각 패턴은 역피라미드 또는 정육면체 형상인 것을 특징으로 하는 방법
8 8
제 1 항에 있어서, 다이아몬드 씨드가 정팔면체 형상을 갖고, 몰드 기판에 형성된 피트의 음각 패턴은 역파라미드 형상으로서 (100) 면으로 성장이 가능하게 하는 역피라미드 형상인 것을 특징으로 하는 방법
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 몰드 기판에 형성된 피트는 방전가공, 기계적 압흔 공정, 또는 화학적 이방성 부식 공정에 의해 형성된 것임을 특징으로 하는 방법
10 10
제 1 항에 있어서, 기상화학증착법은 마이크로웨이브, 직류전원 또는 열필라멘트에 의해 실시되는 것을 특징으로 하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.