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박막 증착을 위한 스퍼터링 시스템으로서, 내부가 진공 상태를 유지하는 진공 챔버; 무기 박막 증착을 위한 복수 개의 마그네트론 증착원; 상기 복수 개의 마그네트론 증착원에 대향하는 위치에 설치되어 기판이 장착되는 기판 홀더부; 및 상기 복수 개의 마그네트론 증착원 각각에 전원을 공급하는 전원공급수단을 포함하고, 상기 기판은 광경화성 고분자를 도포하고 코팅된 광경화성 고분자를 경화시켜 형성된 유기 고분자 보호층을 포함하고, 상기 전원공급수단은 상기 복수 개의 마그네트론 증착원 각각에 RF 전력 및 주파수를 가변하여 인가함으로써, 각 마그네트론 증착원으로부터 스퍼터링되는 무기물의 플라즈마 이온들의 증착율을 달리하여 상기 기판의 표면에 이온주입시켜 무기 박막 보호층을 형성하는 스퍼터링 시스템
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제1항에 있어서,상기 전원공급수단은, 플라즈마 형성시간과 소멸시간을 교번하는, 스퍼터링 시스템
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 기판의 온도 상승시, 상기 기판 홀더부를 냉각하여 상기 기판의 표면 온도를 하강 유지시키는 냉각수단을 더 포함하는 스퍼터링 시스템
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제3항에 있어서,상기 냉각수단은, 냉각 챔버에 액체 질소를 공급하는 액체 질소 챔버; 공급되는 액체 질소의 유량을 조절하기 위한 유량 조절부; 유입된 액체 질소로 상기 기판 홀더를 냉각하는 상기 냉각 챔버; 및 상기 냉각 챔버에 존재하는 액체 질소를 배출하는 유량 배출 펌프를 포함하는 스퍼터링 시스템
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제4항에 있어서,상기 냉각 챔버는, 상기 기판 홀더부와 이격되어 열대류 방식으로 상기 기판 홀더부를 냉각시키는, 스퍼터링 시스템
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제4항에 있어서,상기 냉각수단에 의한 상기 기판의 온도 하강시, 파워를 인가하는 히터 온도 조절부; 및 상기 히터 온도 조절부에 의해 인가된 파워에 따라 상기 기판의 표면 온도를 상승 유지시키며 상기 기판 홀더부 내에 장착된 히터를 더 포함하는 스퍼터링 시스템
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제6항에 있어서,상기 기판 홀더부는, 온도측정용 온도센서를 더 포함하는 스퍼터링 시스템
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제7항에 있어서,상기 진공 챔버에 플라즈마화 할 가스를 공급하기 위한 가스 공급부; 및상기 가스 공급부에 의해 공급되는 가스의 압력을 조절하기 위한 가스 조절부를 더 포함하는 스퍼터링 시스템
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제1항에 있어서,상기 박막 증착은, 유기 고분자 보호층과 무기 박막 보호층으로 구성된 단일 적층 구조, 또는 유기 고분자 보호층과 무기 박막 보호층이 반복적으로 형성되는 다층 적층 구조를 갖는, 스퍼터링 시스템
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제6항에 있어서,상기 마그네트론 증착원에 장착되는 스퍼터 무기물 재료는, 산화물, 질화물 및 염을 포함하는, 스퍼터링 시스템
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제10항에 있어서,상기 산화물은 실리콘 옥사이드(SiO2), 마그네슘 옥사이드(MgO), 칼슘 옥사이드(CaO), 알루미늄 옥사이드(Al2O3), 티타늄 옥사이드(TiO2), 지르코늄 옥사이드(ZrO2), 탄탈룸 옥사이드(Ta2O5) 또는 소듐 옥사이드(NayOx)를 포함하고, 상기 질화물은 실리콘 나이트라이드(Si3N4)를 포함하고, 상기 염은 플루오르화 마그네슘(MgF2)을 포함하는, 스퍼터링 시스템
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제6항에 있어서,상기 마그네트론 증착원은, 박막 증착시 상기 기판에 증착 물질이 집중되도록 각도 조절되는, 스퍼터링 시스템
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무기 박막 형성 방법으로서, 유기 고분자 보호층이 형성된 기판을 진공 챔버 내의 기판 홀더부 위에 위치시키는 단계; 상기 진공 챔버의 내부를 진공상태로 유지하는 단계; 상기 진공 챔버 내에 프라즈마화 할 가스를 공급하는 단계; 박막 증착을 위한 복수 개의 마그네트론 증착원 각각에 RF 전력 및 주파수를 가변하여 인가함으로써 플라즈마 이온들을 발생시키는 단계; 및상기 기판의 유기 고분자 보호층 위에, 각 마그네트론 증착원으로부터 스퍼터링되는 무기물의 플라즈마 이온들의 증착율을 달리하여 상기 기판의 표면에 이온주입시켜 무기 박막 보호층을 형성하는 단계를 포함하는 무기 박막 형성 방법
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제13항에 있어서, 상기 기판에 유기 고분자 보호층을 형성하는 과정은, 기판에 광경화성 고분자를 도포하는 단계; 및코팅된 광경화성 고분자를 경화시켜 유기 고분자 보호층을 형성하는 단계를 포함하는 무기 박막 형성 방법
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제14항에 있어서,상기 플라즈마의 형성시간과 소멸시간을 교번하는, 무기 박막 형성 방법
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제15항에 있어서,상기 기판의 온도 상승시, 냉각 챔버를 통해 상기 기판 홀더부를 냉각하여 상기 기판의 표면 온도를 하강 유지시키는 단계를 더 포함하는 무기 박막 형성 방법
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제16항에 있어서,상기 냉각 챔버는, 상기 기판 홀더부와 이격되어 열대류 방식으로 상기 기판 홀더부를 냉각시키는, 무기 박막 형성 방법
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제16항에 있어서,상기 냉각챔버에 의한 상기 기판의 온도 하강시, 히터를 통해 상기 기판 홀더부를 가열하여 상기 기판의 표면 온도를 상승 유지시키는 단계를 더 포함하는 무기 박막 형성 방법
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제13항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,상기 박막 증착은, 유기 고분자 보호층과 무기 박막 보호층으로 구성된 단일 적층 구조, 또는 유기 고분자 보호층과 무기 박막 보호층이 반복적으로 형성되는 다층 적층 구조를 갖는, 무기 박막 형성 방법
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제19항에 있어서,상기 마그네트론 증착원에 장착되는 스퍼터 무기물 재료는, 산화물, 질화물 및 염을 포함하는, 무기 박막 형성 방법
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제20항에 있어서,상기 산화물은 실리콘 옥사이드(SiO2), 마그네슘 옥사이드(MgO), 칼슘 옥사이드(CaO), 알루미늄 옥사이드(Al2O3), 티타늄 옥사이드(TiO2), 지르코늄 옥사이드(ZrO2), 탄탈룸 옥사이드(Ta2O5) 또는 소듐 옥사이드(NayOx)를 포함하고, 상기 질화물은 실리콘 나이트라이드(Si3N4)를 포함하고, 상기 염은 플루오르화 마그네슘(MgF2)을 포함하는, 무기 박막 형성 방법
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