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전도성 박막 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015121630
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전도성 박막 형성 방법에 관한 것으로, 니켈 나노 입자; 용매; 및 고분자 분산제를 포함하는 니켈 나노 잉크를 준비하는 단계; 상기 니켈 나노 잉크를 이용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 패턴을 광소결하는 단계;를 포함하는 전도성 박막 형성 방법을 제공할 수 있다.
Int. CL B32B 7/02 (2006.01) H05K 3/06 (2006.01)
CPC H05K 3/1283(2013.01) H05K 3/1283(2013.01) H05K 3/1283(2013.01)
출원번호/일자 1020110088715 (2011.09.01)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1232835-0000 (2013.02.06)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20130213) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.09.01)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송용원 대한민국 서울특별시 성북구
2 홍재민 대한민국 서울특별시 성북구
3 김학성 대한민국 서울 성동구
4 박성현 대한민국 경남 김해시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2011-0685869-42
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.05.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.06.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0048534-32
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0426851-50
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.09.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0779451-33
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.09.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0779452-89
7 등록결정서
Decision to grant
2013.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0056777-80
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
니켈 나노 입자; 용매; 및 고분자 분산제를 포함하는 니켈 나노 잉크를 준비하는 단계;상기 니켈 나노 잉크를 이용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 단계; 및상기 패턴을 광소결하는 단계;를 포함하고, 상기 패턴을 광소결하는 단계에서, 상기 광소결은 백색광 단펄스에 의해 소결되고, 상기 백색광 단펄스는 0
2 2
제1항에 있어서,상기 니켈 나노 잉크는 전체 니켈 나노 잉크 100중량%에 대해,상기 니켈 나노 입자 1 내지 50중량%, 상기 용매 5 내지 50중량% 및 상기 고분자 분산제 5 내지 50중량%를 포함하는 것인 전도성 박막 형성 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 니켈 나노 잉크는 커플링제를 더 포함하는 것인 전도성 박막 형성 방법
4 4
제3항에 있어서,상기 니켈 나노 잉크 100중량부에 대해, 상기 커플링제를 1 내지 50중량부 포함하는 것인 전도성 박막 형성 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 니켈 나노 잉크는 점성제를 더 포함하는 것인 전도성 박막 형성 방법
6 6
제5항에 있어서,상기 니켈 나노 잉크 100중량부에 대해, 상기 점성제를 4 내지 50중량부 포함하는 것인 전도성 박막 형성 방법
7 7
제1항에 있어서,상기 니켈 나노 잉크는 표면 장력 조절제를 더 포함하는 것인 전도성 박막 형성 방법
8 8
제7항에 있어서,상기 니켈 나노 잉크 100중량부에 대해, 상기 표면 장력 조절제를 5 내지 50중량부 포함하는 것인 전도성 박막 형성 방법
9 9
제1항에 있어서,상기 고분자 분산제는 폴리(N-비닐피롤리돈)((poly(N-vinylpyrrolidone), PVP), 폴리비닐알코올(poly-vinly alcohol, PVA), 폴리비닐부티랄(poly-vinyl butyral, PVB), 폴리에틸렌글리콜(polyethylene glycol, PEG), 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmethacrylate, PMMA), 폴리에틸메타크릴레이트(polyethylmethacrylate), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리(메타)아크릴레이트(poly(metha)acrylate), 덱스트란(dextran) 또는 이들의 조합인 것인 전도성 박막 형성 방법
10 10
제1항에 있어서,상기 패턴을 광소결하는 단계 이전에,상기 패턴을 50 내지 300℃에서 전처리하는 단계를 더 포함하는 것인 전도성 박막 형성 방법
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
제1항에 있어서,상기 광소결된 패턴은 0
14 14
제1항에 있어서,상기 백색광 단펄스는 적어도 두 개의 펄스 수를 가지는 것인 전도성 박막 형성 방법
15 15
제1항에 있어서,상기 백색광 단펄스는 하나의 펄스 수를 가지는 것인 전도성 박막 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.