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패턴 소결 장치 및 패턴의 선택적 소결 방법

  • 기술번호 : KST2015122121
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 패턴 소결 장치는 기판에 하나 이상의 물질을 포함하는 패턴을 형성하는 패턴 형성부, 상기 패턴에 광을 조사하는 광 조사부, 및 상기 광의 경로 내에 위치하며, 상기 물질이 흡수하는 파장에 대응하여 상기 광의 파장을 선택적으로 조절하는 광 필터를 포함한다.
Int. CL B22F 3/10 (2006.01) H05K 3/10 (2006.01)
CPC B22F 3/1055(2013.01) B22F 3/1055(2013.01) B22F 3/1055(2013.01)
출원번호/일자 1020120006294 (2012.01.19)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1356731-0000 (2014.01.22)
공개번호/일자 10-2013-0085260 (2013.07.29) 문서열기
공고번호/일자 (20140205) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.01.19)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임정아 대한민국 충남 보령시
2 홍재민 대한민국 서울 성북구
3 최희덕 대한민국 인천 남구
4 송용원 대한민국 대전 중구
5 정용주 대한민국 서울 금천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.01.19 수리 (Accepted) 1-1-2012-0052277-99
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.04.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.05.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0035897-20
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.05.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0325251-19
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0628866-15
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.07.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0628867-50
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0792749-75
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2013-1165104-95
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2013.12.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-1165105-30
10 등록결정서
Decision to Grant Registration
2014.01.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0032272-18
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
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기판에 제3 물질을 포함하는 제1 패턴 및 제4 물질을 포함하는 제2 패턴을 형성하는 단계; 및상기 제3 물질이 흡수하는 파장에 대응하는 파장을 가진 광을 상기 기판 전체에 걸쳐서 조사하여 상기 제1 패턴 및 상기 제2 패턴 중 상기 제1 패턴만을 소결하는 단계; 및상기 제4 물질이 흡수하는 파장에 대응하는 파장을 가진 광을 상기 기판 전체에 걸쳐서 조사하여 상기 제1 패턴 및 상기 제2 패턴 중 상기 제2 패턴만을 소결하는 단계를 포함하며,상기 기판에 상기 제1 패턴 및 상기 제2 패턴을 형성하는 단계는 상기 기판에 상기 제1 패턴 및 상기 제2 패턴이 순차적으로 적층되도록 수행하며,상기 제1 패턴을 소결하는 단계는 상기 광이 상기 제2 패턴을 투과하여 상기 제1 패턴에 포함된 상기 제3 물질에 흡수되도록 수행하며,상기 광은 0
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