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산화물 전자소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015122312
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화물 전자소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 산화물 기판; 상기 산화물 기판 상에 형성되고, 상기 산화물 기판과 이종(異種)인 산화물을 포함하는 산화물 박막층; 및 상기 산화물 박막층 상에 형성되고, 상기 산화물 기판과 산화물 박막층의 계면에서 발생된 이차원 전자가스(2DEG)의 전기 전도도를 제어하는 강유전체층을 포함하는 산화물 전자소자를 제공한다. 또한, 본 발명은 산화물 기판 상에, 상기 산화물 기판과 이종(異種)인 산화물을 증착시켜 산화물 박막층을 형성하는 단계; 및 상기 산화물 박막층 상에, 상기 산화물 기판과 산화물 박막층의 계면에서 발생된 이차원 전자가스(2DEG)의 전기 전도도를 제어하는 강유전체층을 형성하는 단계를 포함하는 산화물 전자소자의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 이종(異種)의 산화물 계면에서 발생된 이차원 전자가스(2DEG)의 전기 전도도가 강유전체층에 의해 비휘발적(non-volatile)인 방법으로 안정적으로 제어된다. 이에 따라, 외부의 전기 에너지 없이도 이차원 전자가스(2DEG)의 전기 전도도가 지속적으로 유지되어, 소자의 구동 에너지가 적게 소요된다.
Int. CL H01L 29/778 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120090297 (2012.08.17)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1348937-0000 (2014.01.02)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140109) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.08.17)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백승협 대한민국 서울 성북구
2 김신익 대한민국 서울특별시 마포구
3 김진상 대한민국 서울 동작구
4 최지원 대한민국 서울특별시 성동구
5 윤석진 대한민국 서울 도봉구
6 강종윤 대한민국 서울 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-0661526-81
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.04.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.05.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0037310-00
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.07.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0492048-29
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.08.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0781271-59
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2013-0781270-14
7 등록결정서
Decision to grant		 2013.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0900651-56
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1
산화물 기판;상기 산화물 기판 상에 형성되고, 상기 산화물 기판과 이종인 산화물을 포함하는 산화물 박막층; 및상기 산화물 박막층 상에 형성되고, 상기 산화물 기판과 산화물 박막층의 계면에서 발생된 이차원 전자가스의 전기 전도도를 제어하는 강유전체층;을 포함하는 산화물 전자소자로서,상기 산화물 박막층과 강유전체층의 일부가 에칭되고, 상기 에칭된 부분에 소스 전극 및 드레인 전극이 형성되어 있으며, 상기 강유전체층 상에는 접속 전극이 형성된 것을 특징으로 하는 산화물 전자소자
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 산화물 기판과 산화물 박막층은 ABO3 구조의 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 전자소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 강유전체층은 ABO3 구조의 강유전체 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 산화물 전자소자
5 5
제3항에 있어서, 상기 산화물 기판은 SrTiO3 기판, 또는 표면이 TiO2로 마감된 SrTiO3 기판인 것을 특징으로 산화물 전자소자
6 6
제3항에 있어서, 상기 산화물 박막층은 LaAlO3인 것을 특징으로 하는 산화물 전자소자
7 7
제4항에 있어서, 상기 강유전체 물질은 PZT계 또는 BST계 산화물인 것을 특징으로 하는 산화물 전자소자
8 8
산화물 기판 상에, 상기 산화물 기판과 이종(異種)인 산화물을 증착시켜 산화물 박막층을 형성하는 단계; 상기 산화물 박막층 상에, 상기 산화물 기판과 산화물 박막층의 계면에서 발생된 이차원 전자가스(2DEG)의 전기 전도도를 제어하는 강유전체층을 형성하는 단계;상기 산화물 박막층과 강유전체층의 일부를 에칭하는 단계; 상기 에칭된 부분에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및 상기 강유전체층 상에 접속 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 전자소자의 제조방법
9 9
삭제
10 10
제8항에 있어서, 상기 산화물 박막층과 강유전체층을 펄스 레이저 증착(pulsed laser deposition; PLD), 스퍼터링(sputtering) 또는 에피택시 증착(epitaxy deposition) 방법을 통해 형성하는 것을 특징으로 하는 산화물 전자소자의 제조방법
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1 US08890142 US 미국 FAMILY
2 US20140048796 US 미국 FAMILY

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1 US2014048796 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8890142 US 미국 DOCDBFAMILY
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