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기판과의 결합력이 향상된 탄소나노튜브 기반 전계효과트랜지스터 소자의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 탄소나노튜브 기반 전계효과트랜지스터 소자

  • 기술번호 : KST2015122539
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판과의 결합력이 향상된 탄소나노튜브 기반 전계효과트랜지스터 소자의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 탄소나노튜브 기반 전계효과트랜지스터 소자에 관한 것이다. 본 발명은 기판 위에 산화막을 형성하는 단계, 산화막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 포토레지스트 패턴을 포함하는 시료 전체 표면에 금속막을 형성하는 단계, 포토레지스트를 제거하는 lift-off단계, 포토레지스트를 제거한 기판에 탄소나노튜브를 흡착시키는 단계, 탄소나노튜브가 흡착된 기판을 열처리하는 단계, 및 금속막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면 기판과 탄소나노튜브 간의 접착력이 향상되기 때문에 전계효과트랜지스터 소자의 안정성 및 신뢰성이 향상될 수 있다. 전계효과트랜지스터 소자를 액체 센서 등에 응용하는 경우 센서의 수명이 연장시킬 수 있고, 센서를 이용하여 측정한 결과에 대한 신뢰도가 향상될 수 있다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01)
출원번호/일자 1020130067285 (2013.06.12)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1402989-0000 (2014.05.27)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140611) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.06.12)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 변영태 대한민국 경기 구리시
2 김선호 대한민국 서울 종로구
3 전영민 대한민국 서울 강남구
4 김은경 대한민국 충남 아산시 문화로***번길 **,
5 김재성 대한민국 경기 남양주시
6 우덕하 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정태훈 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)
2 배성호 대한민국 경상북도 경산시 박물관로*길**, ***호(사동, 태화타워팰리스)(특허법인 티앤아이(경상북도분사무소))
3 오용수 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0522490-99
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.12.24 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.02.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0013252-22
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0140761-99
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.03.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0255636-17
7 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0405014-58
8 등록결정서
Decision to grant		 2014.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0352154-56
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 위에 산화막을 형성하는 단계;상기 산화막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴을 포함하는 시료 전체 표면에 금속막을 형성하는 단계;상기 포토레지스트를 제거하는 lift-off 단계;상기 포토레지스트를 제거한 기판에 탄소나노튜브를 흡착시키는 단계;상기 탄소나노튜브가 흡착된 기판을 열처리하는 단계; 및상기 금속막을 제거하는 단계를 포함하는 탄소나노튜브 기반 전계효과트랜지스터 소자의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 기판은 실리콘 웨이퍼를 포함하고, 상기 산화막은 SiO2 를 포함하는 탄소나노튜브 기반 전계효과트랜지스터 소자의 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 포토레지스트 패터닝은 포토리소그래피 공정에 의하여 수행되는 탄소나노튜브 기반 전계효과트랜지스터 소자의 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 금속막은 티타늄을 포함하는 탄소나노튜브 기반 전계효과트랜지스터 소자의 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 금속막은 스퍼터링(Sputtering), 전자빔증착(E-beam evaporation), 열 증착(thermal evaporation), 또는 원자층증착(atomic layer deposition) 방법에 의하여 형성되는 탄소나노튜브 기반 전계효과트랜지스터 소자의 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 탄소나노튜브는 단일벽 탄소나노튜브를 포함하는 탄소나노튜브 기반 전계효과트랜지스터 소자의 제조방법
7 7
제1항에 있어서,상기 탄소나노튜브를 흡착하는 단계는, 탄소나노튜브가 분산된 용액에 상기 포토레지스트가 제거된 기판을 침지하여 수행되는 탄소나노튜브 기반 전계효과트랜지스터 소자의 제조방법
8 8
제7항에 있어서,상기 용액은 dichlorobenzene(DCB), ortho-dichlorobenzene(o-DCB), N-methyl-2-pyrrolidinone (NMP), hexamethylphosphoramide (HMPA), monochlorobenzene (MCB), N,N-dimethylformamide (DMF), dichloroethane (DCE), isopropyl alcohol(IPA), ethanol, chloroform, toluene으로 이루어진 그룹에서 선택된 1종 이상의 용매를 포함하는 탄소나노튜브 기반 전계효과트랜지스터 소자의 제조방법
9 9
제8항에 있어서,상기 열처리는 상기 용매의 끓는점보다 높은 온도에서 수행되는 탄소나노튜브 기반 전계효과트랜지스터 소자의 제조방법
10 10
제1항에 있어서,상기 금속막을 제거하는 단계는, 에칭 공정에 의하여 금속막을 제거하는 방식으로 수행되는 탄소나노튜브 기반 전계효과트랜지스터 소자의 제조방법
11 11
기판 상에 산화막을 형성하는 단계;상기 산화막 상에 탄소나노튜브를 흡착 또는 도포시키는 단계;상기 탄소나노튜브가 흡착된 기판을 열처리하는 단계;상기 열처리된 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴을 가지는 기판 상에 산소 플라즈마 처리를 하는 단계; 및상기 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하는 탄소나노튜브 기반 전계효과트랜지스터 소자의 제조방법
12 12
제11항에 있어서,상기 기판은 실리콘 웨이퍼를 포함하고, 상기 산화막은 SiO2를 포함하는 탄소나노튜브 기반 전계효과트랜지스터 소자의 제조방법
13 13
제11항에 있어서,상기 탄소나노튜브는 단일벽 탄소나노튜브를 포함하는 탄소나노튜브 기반 전계효과트랜지스터 소자의 제조방법
14 14
제11항에 있어서,상기 탄소나노튜브 흡착 단계는 탄소나노튜브가 분산된 용액에 산화막을 포함하고 있는 기판이 침지(dipping)되어 수행되는 탄소나노튜브 기반 전계효과트랜지스터 소자의 제조방법
15 15
제11항에 있어서,상기 탄소나노튜브 도포 단계는 탄소나노튜브가 분산된 용액을 산화막 상에 도포하여 수행되는 탄소나노튜브 기반 전계효과 트랜지스터 소자의 제조방법
16 16
제15항에 있어서상기 탄소나노튜브가 분산된 용액의 도포는 스핀 코팅에 의하여 수행되는 탄소나노튜브 기반 전계효과트랜지스터 소자의 제조방법
17 17
제14항 또는 제15항에 있어서상기 용액은 dichlorobenzene(DCB), ortho-dichlorobenzene(o-DCB), N-methyl-2-pyrrolidinone(NMP), hexamethylphosphoramide(HMPA), monochlorobenzene(MCB), N,N-dimethylformamide(DMF), dichloroethane(DCE), isopropyl alcohol(IPA), ethanol, chloroform, toluene으로 이루어진 그룹에서 선택된 1종 이상의 용매를 포함하는 탄소나노튜브 기반 전계효과트랜지스터 소자의 제조방법
18 18
제17항에 있어서상기 열처리는 상기 용매의 끓는점보다 높은 온도에서 수행되는 탄소나노튜브 기반 전계효과트랜지스터 소자의 제조방법
19 19
제11항에 있어서,상기 포토레지스트 패터닝은 포토리소그래피 공정에 의하여 수행되는 탄소나노튜브 기반 전계효과트랜지스터 소자의 제조방법
20 20
제11항에 있어서,상기 산소 플라즈마 처리는 산소 분압 300 mTorr, 100 와트에서 50초 동안 수행되는 탄소나노튜브 기반 전계효과트랜지스터 소자의 제조방법
21 21
제1항 또는 제11항에 따라 제조된 탄소나토튜브 기반 전계효과트랜지스터 소자
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1 미래창조과학부 한국과학기술연구원 첨단융합기술개발 IT를 접합한 인지/제어 기능을 탑재한 공기정화 원천기술 개발