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강유전체게이트를가지는전계효과트랜지스터를이용한불휘발성기억소자및그제조방법

  • 기술번호 : KST2015120402
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반도체표면에 CeO2/SrBi2Ta2O9이중막을 형성시키고 이중막의 강유전체인 SrBi2Ta2O9막상에 백금전극을 부착하며, 상기 CeO2/SrBi2Ta2O9/Pt의 삼중층 주위에 산화방지막을 도포하여 형성되는 게이트를, 전계효과트랜지스터의 게이트로 이용하므로서 커패시터가 필요없는 강유전체게이트를 가지는 전계효과트랜지스터(FET)기억소자를 제공한다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 29/78 (2006.01)
CPC H01L 29/78391(2013.01) H01L 29/78391(2013.01) H01L 29/78391(2013.01) H01L 29/78391(2013.01) H01L 29/78391(2013.01)
출원번호/일자 1019970057883 (1997.11.04)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0279052-0000 (2000.10.26)
공개번호/일자 10-1999-0038229 (1999.06.05) 문서열기
공고번호/일자 (20010201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.11.04)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김용태 대한민국 서울특별시 송파구
2 이호녕 대한민국 서울특별시 노원구
3 김춘근 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.11.04 수리 (Accepted) 1-1-1997-0182832-68
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.11.04 수리 (Accepted) 1-1-1997-0182831-12
3 특허출원서
Patent Application		 1997.11.04 수리 (Accepted) 1-1-1997-0182830-77
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1999.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0381408-06
10 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2000.01.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5016928-94
11 의견서
Written Opinion		 2000.01.19 수리 (Accepted) 1-1-2000-5016927-48
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
13 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 2000.06.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0136889-90
14 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2000.08.09 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2000-0015493-13
15 등록사정서
Decision to grant		 2000.10.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0270287-24
16 FD제출서
FD Submission		 2000.11.10 수리 (Accepted) 2-1-2000-5180541-65
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1

반도체표면상에 형성되는 세륨산화막(CeO2);

상기 세륨산화막상에 도포되어 SrBi2Ta2O9/CeO2의 이중막구조를 형성시키는 상기 SrBi2Ta2O9막;

상기 SrBi2Ta2O9막상에 부착된 백금전극; 및

상기 CeO2/SrBi2Ta2O9/Pt의 삼중층으로 이루어지는 게이트부분 주위에 형성된 텅스텐질화박막(WNx) 또는 텅스텐보론나이트라이드(W-B-N) 확산방지막;으로 구성되는 게이트를 전계효과트랜지스터의 게이트로 구비하는 것을 특징으로 하는 강유전체 게이트 전계효과트랜지스터(FGFET)

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 반도체는 Si ,GaAs, InP, InSb 및 GaN으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나의 화합물 반도체인 것을 특징으로 하는 강유전체 게이트 전계효과트랜지스터(FGFET)

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 세륨산화막의 두께는 2 내지 100nm인 것을 특징으로 하는 강유전체 게이트 전계효과트랜지스터(FGFET)

4 4

제 3 항에 있어서, 상기 SrBi2Ta2O9박막은, 상기 SrBi2Ta2O9박막의 정전용량대 상기 세륨산화막의 정전용량비가 0

5 5

강유전체 게이트 전계효과트랜지스터(FGFET)의 제조방법에 있어서,

전계효과트랜지스터(FET)구조에서 게이트 영역의 Si 표면위에 세륨을 10 - 20nm 도포하여 자연 규소산화막을 소모시키면서, 세륨산화막(CeO2)로 변화되게 하므로서 상기 Si표면층의 자연 규소산화막을 제거하는 단계;

상기 FET 게이트의 절연막으로서, 상기 세륨산화막상에 소정 두께의 추가적인 세륨산화막을 형성시키는 단계;

상기 추가된 세륨산화막위에 졸겔(sol-gel)방법 및 스퍼터링방법으로 SrBi2Ta2O9을 도포하여 SrBi2Ta2O9/CeO2구조의 게이트절연층을 형성하는 단계;

상기 게이트 절연층 형성후 산소분위기에서 800℃으로 30분 내지 2시간 열처리하므로서, 상기 SrBi2Ta2O9/CeO2구조의 게이트절연층을 안정화하는 단계;

상기 게이트절연층의 SrBi2Ta2O9막 상에 백금전극을 부착하는 단계; 및

상기 단계에서 형성된 CeO2/SrBi2Ta2O9/Pt 삼중층주위에 텅스텐질화박막(WNx) 또는 텅스텐보론나이트라이드(W-B-N) 확산방지막을 형성시키는 단계;로 이루어지는 방법으로 게이트를 형성하는 강유전체 게이트 전계효과트랜지스터(FGFET)제조방법

6 6

제 5 항에 있어서, 상기 확산방지막 형성은, 진공반응기내에서 텅스텐헥사플로라이드(WF6), 암모니아(NH3), 수소(H2)를 각각 4 sccm, 2 - 4 sccm, 50- 100 sccm의 유량비로 혼합하여 도포하는 것에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 강유전체 게이트 전계효과트랜지스터(FGFET) 제조방법

7 7

제 5 항에 있어서, 상기 확산방지막 형성은, 진공반응기내에 텅스텐헥사플로라이드(WF6), 암모니아(NH3), 수소(H2) 및 데카보레인(B10H14)을 각각 4 sccm, 2 - 4 sccm, 50- 100 sccm, 2 - 20 sccm의 유량비로 혼합하여 도포하므로서 수행되는 것을 특징으로 하는 강유전체 게이트 전계효과트랜지스터(FGFET)제조방법

8 8

제 5 항 내지 제 7 항중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 세륨산화막의 두께는 2 내지 100nm인 것을 특징으로 하는 강유전체 게이트 전계효과트랜지스터(FGFET)제조방법

9 9

제 8 항에 있어서, 상기 SrBi2Ta2O9박막은, 상기 SrBi2Ta2O9박막의 정전용량대 상기 세륨산화막의 정전용량비가 0

10 10

강유전체 게이트 전계효과트랜지스터(FGFET)의 제조방법에 있어서,

반도체표면상에 소정 두께의 세륨산화막(CeO2)을 상기 FGFET 게이트의 절연막으로 형성시키는 단계;

상기 세륨산화막위에 졸겔(sol-gel)방법 및 스퍼터링방법으로 SrBi2Ta2O9을 도포하여 SrBi2Ta2O9/CeO2구조의 게이트절연층을 형성하는 단계;

상기 게이츠절연층 형성후 산소분위기에서 800℃으로 30분 내지 2시간 열처리하므로서, 상기 SrBi2Ta2O9/CeO2구조의 게이트절연층을 안정화하는 단계;

상기 게이트절연층의 SrBi2Ta2O9막 상에 백금전극을 부착하는 단계; 및

상기 단계에서 형성된 CeO2/SrBi2Ta2O9/Pt 삼중층주위에 텅스텐질화박막(WNx) 또는 텅스텐보론나이트라이드(W-B-N) 확산방지막을 형성시키는 단계;로 이루어지는 방법으로 게이트를 형성하는 것을 특징으로 하는 강유전체 게이트 전계효과트랜지스터(FGFET)제조방법

11 11

제 10 항에 있어서, 상기 반도체는 Si, GaAs, InP, InSb 및 GaN으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 화합물 반도체인 것을 특징으로 하는 강유전체 게이트 전계효과트랜지스터(FGFET)제조방법

12 12

제 11 항에 있어서, 상기 확산방지막 형성은, 진공반응기내에서 텅스텐헥사플로라이드(WF6), 암모니아(NH3), 수소(H2)를 각각 4 sccm, 2 - 4 sccm, 50- 100 sccm의 유량비로 혼합하여 도포하는 것에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 강유전체 게이트 전계효과트랜지스터(FGFET) 제조방법

13 13

제 11 항에 있어서, 상기 확산방지막 형성은, 진공반응기내에 텅스텐헥사플로라이드(WF6), 암모니아(NH3), 수소(H2) 및 데카보레인(B10H14)을 각각 4 sccm, 2 - 4 sccm, 50- 100 sccm, 2 - 20 sccm의 유량비로 혼합하여 도포하므로서 수행되는 것을 특징으로 하는 강유전체 게이트 전계효과트랜지스터(FGFET)제조방법

14 14

제 10 항 내지 제 13 항중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 세륨산화막의 두께는 2 내지 100nm인 것을 특징으로 하는 강유전체 게이트 전계효과트랜지스터(FGFET)제조방법

15 15

제 14 항에 있어서, 상기 SrBi2Ta2O9박막은, 상기 SrBi2Ta2O9박막의 정전용량대 상기 세륨산화막의 정전용량비가 0

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.