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투명 산화물 전극을 포함하는 가스 센서 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015123646
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 투명 산화물 전극을 포함하는 가스 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.  본 발명은 기판; 상기 기판 상에 형성된 감지 전극; 및 상기 감지 전극 상에 형성된 가스 감응 물질층을 포함하고, 상기 감지 전극이 투명 전도성 산화물 박막으로 구성된 가스 센서 및 그 제조방법을 제공한다.  본 발명에 따르면, 감지 전극이 투명 산화물 전극으로 구성되어, 저가격화를 도모함과 동시에 감응도가 향상되고, 높은 신뢰성 및 투명성 등을 갖는다.
Int. CL H01L 21/28 (2006.01) G01N 27/12 (2006.01) G01N 27/30 (2006.01)
CPC G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01)
출원번호/일자 1020110040673 (2011.04.29)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1305556-0000 (2013.08.30)
공개번호/일자 10-2012-0122491 (2012.11.07) 문서열기
공고번호/일자 (20130905) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.04.29)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장호원 대한민국 서울특별시 성북구
2 윤석진 대한민국 서울특별시 도봉구
3 김진상 대한민국 서울특별시 동작구
4 최지원 대한민국 서울특별시 성동구
5 강종윤 대한민국 서울특별시 서초구
6 심영석 대한민국 경상남도 거제시 거제중앙로 ***

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0319836-17
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.11.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.12.05 수리 (Accepted) 9-1-2012-0090704-27
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.12.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0756578-96
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.01.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0071091-28
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.01.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-0071090-83
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2013.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0443523-78
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0758530-40
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.08.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0758536-13
10 등록결정서
Decision to grant
2013.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0596465-61
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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투명 기판;상기 투명 기판 상에 형성되고, 투명 전도성 산화물 박막으로 구성된 감지 전극; 및상기 감지 전극 상에 형성되고, 투명 산화물 가스 감응 물질로 구성된 가스 감응 물질층을 포함하는 투명 산화물 가스 센서로서,상기 투명 기판은 유리, 사파이어 또는 석영 기판이고,상기 투명 전도성 산화물 박막은 인듐-주석 옥사이드(ITO), 알루미늄-아연 옥사이드(AZO), 갈륨-아연 옥사이드(GZO), 플루오르-주석 옥사이드(FTO), 인듐-아연 옥사이드(IZO) 또는 니오브-티타늄 옥사이드(NTO) 박막이며,상기 가스 감응 물질층은 WO3, SnO2, TiO2, ZnO, In2O3, Nb2O5, Fe2O3, CuO, NiO, Co2O3 및 Ga2O3로부터 선택된 하나 이상을 포함하고,전체적으로 투명인 것을 특징으로 하는 가스 센서
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제1항에 있어서, 상기 가스 센서는 CO, NOx, O2, H2, NH3, H2S, O3, 및 휘발성 유기 화합물(VOCs, volatile organic chemicals)로부터 선택된 하나 이상을 감지하는 데에 사용되는 것을 특징으로 하는 가스 센서
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투명 기판 상에 감지 전극으로서 투명 전도성 산화물 박막을 형성하는 제1단계; 및상기 감지 전극 상에 가스 감응 물질층을 투명 물질로 형성하는 제2단계를 포함하는 투명 산화물 가스 센서의 제조방법으로서,상기 제1단계는 (a) 투명 기판 상에 투명 전도성 산화물 박막을 스퍼터 증착법, 전자선 증착법, 화학증기증착법 또는 습식증착법을 이용하여 투명하게 증착하는 공정; 및 (b) 상기 증착된 투명 전도성 산화물 박막을 패터닝하는 공정을 포함하며,상기 제2단계는 상기 가스 감응 물질층을 스퍼터 증착법, 전자선 증착법, 화학증기증착법 또는 습식증착법을 이용하여 투명하게 형성하고,상기 투명 기판은 유리, 사파이어 또는 석영 기판이고,상기 투명 전도성 산화물 박막은 인듐-주석 옥사이드(ITO), 알루미늄-아연 옥사이드(AZO), 갈륨-아연 옥사이드(GZO), 플루오르-주석 옥사이드(FTO), 인듐-아연 옥사이드(IZO) 또는 니오브-티타늄 옥사이드(NTO) 박막이며,상기 가스 감응 물질층은 WO3, SnO2, TiO2, ZnO, In2O3, Nb2O5, Fe2O3, CuO, NiO, Co2O3 및 Ga2O3로부터 선택된 하나 이상을 포함하고,상기 제조되는 센서는 전체적으로 투명인 것을 특징으로 하는 가스 센서의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 (b)공정은 증착된 투명 전도성 산화물 박막을 습식 에칭 또는 건식 에칭하여 패터닝하는 것을 특징으로 하는 가스 센서의 제조방법
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.