맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

탄소나노튜브를 사용한 패치 클램프용 전극 장치 및 그의 제작 방법

  • 기술번호 : KST2014049407
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 세포에 대한 실험 시 세포막 일부에 대하여 각각의 이온 채널을 통한 전기의 흐름을 측정하는 방법인 패치 클램프(patch clamp)에 사용되는 패치 클램프용 전극 장치가 개시된다. 상기 패치 클램프용 전극 장치는, 도전성의 전극 패드; 및 상기 전극 패드 상에 수직으로 형성된 탄소나노튜브(CNT)를 포함한다. 여기에서, 상기 탄소나노튜브 및 상기 전극 패드의 표면은 절연물질로 코팅되어 있으나, 상기 탄소나노튜브의 상측 첨단부는 절연물질로 코팅되어 있지 아니하여 노출되어 있으며, 상기 탄소나노튜브의 첨단부가 세포 내로 삽입되어 상기 세포의 전기적 신호가 상기 탄소나노튜브 및 상기 전극 패드를 통하여 전달되어 외부에서 측정될 수 있다.또한, 상기 패치 클램프용 전극 장치를 제작하는 방법이 개시된다.
Int. CL G01N 27/30 (2006.01) C12Q 1/02 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) G01N 33/48 (2006.01)
CPC G01N 27/327(2013.01) G01N 27/327(2013.01) G01N 27/327(2013.01) G01N 27/327(2013.01) G01N 27/327(2013.01) G01N 27/327(2013.01)
출원번호/일자 1020100002848 (2010.01.12)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1113792-0000 (2012.02.01)
공개번호/일자 10-2011-0082909 (2011.07.20) 문서열기
공고번호/일자 (20120227) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.01.12)
심사청구항수 2

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이수현 대한민국 서울특별시 성북구
2 강지윤 대한민국 서울특별시 서초구
3 정정환 대한민국 경기도 남양주시

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.01.12 수리 (Accepted) 1-1-2010-0020247-66
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.04.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.05.16 수리 (Accepted) 9-1-2011-0041093-56
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.06.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0306022-12
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.08.02 수리 (Accepted) 1-1-2011-0596957-07
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.08.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0596958-42
7 등록결정서
Decision to grant		 2012.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0049120-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
패치 클램프용 전극 장치를 제작하는 방법으로서,(a) 기판 상에 질화막(nitride)을 적층하는 단계;(b) 상기 질화막 상에 금속 패드를 형성하는 단계;(c) 상기 금속 패드 상에서 탄소나노튜브를 성장시킬 위치에 전자 빔을 통하여 니켈 금속의 패턴을 형성하는 단계;(d) 상기 니켈 금속 상에 수직으로 탄소나노튜브를 성장시키는 단계;(e) 상기 금속 패드 및 상기 탄소나노튜브 표면을 절연막으로 적층하는 단계; 및(d) 상기 탄소나노튜브의 상측 단부에 형성된 절연막을 제거하여, 상기 탄소나노튜브의 상측 단부를 노출시키는 단계를 포함하되,상기 단계 (d)는,상기 절연막 상에 감광제를 적층하는 단계;상기 감광제를 패터닝하여 상기 탄소나노튜브의 상측 단부에 형성된 감광제를 제거하는 단계;상기 감광제가 제거된 상기 탄소나노튜브의 상측 단부의 절연막을 제거하는 단계; 및상기 기판 표면 상의 감광제를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패치 클램프용 전극 장치 제작 방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 단계 (b)는,상기 질화막 상에 감광제를 적층하는 단계;상기 감광제를 패터닝하는 단계;상기 기판 표면에 금속층을 적층하는 단계; 및상기 감광제를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패치 클램프용 전극 장치 제작 방법
9 9
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.