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보라진 다량체 합성 단계;상기 보라진 다량체와 유기 용매를 혼합하여 질화 붕소 전구체 용액을 제조하는 단계;상기 제조된 전구체 용액을 숙성하여 점도를 조절하는 단계;상기 숙성된 전구체 용액을 금속촉매기판 상에 코팅하는 단계; 및상기 코팅 후, 코팅된 보라진 다량체의 상전이를 일으켜 육방 질화 붕소막을 제조하는 단계;를 포함하는 보라진 다량체를 이용한 고품질의 질화 붕소막 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 제조된 육방 질화 붕소막을 고분자 보호막을 이용하여 기판에 전사시키는 단계를 더 포함하는 보라진 다량체를 이용한 고품질의 질화 붕소막 제조방법
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보라진 다량체 합성 단계;상기 보라진 다량체와 유기 용매를 혼합하여 질화 붕소 전구체 용액을 제조하는 단계;상기 제조된 전구체 용액을 숙성하여 점도를 조절하는 단계;상기 숙성된 전구체 용액을 기판 상에 코팅하는 단계; 및상기 코팅된 전구체 용액 상에 금속촉매를 증착시키고, 코팅된 보라진 다량체의 상전이를 일으켜 육방 질화 붕소막을 제조하는 단계;를 포함하는 보라진 다량체를 이용한 고품질의 질화 붕소막 제조방법
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제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 제조된 육방 질화 붕소막의 상지층(overlayer)에 증착된 금속촉매 또는 하지층(underlayer)의 금속촉매기판을 제거하기 위하여, 과황산암모늄(Ammonium persulfate), 염화철(FeCl3), 질산(nitric acid), 염산(hydrochloric acid) 및 황산(sulfuric acid) 에칭 용액으로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 용액으로 처리하는 단계를 더 포함하는 보라진 다량체를 이용한 고품질의 질화 붕소막 제조방법
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제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 코팅 단계 후, 유기 용매를 제거하기 위하여 가열하는 베이킹 단계를 더 포함하는 보라진 다량체를 이용한 고품질의 질화 붕소막 제조방법
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제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 보라진 다량체 합성 단계는 보라진을 열적 다량화 반응시키는 것인 보라진 다량체를 이용한 고품질의 질화 붕소막 제조방법
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제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 유기 용매는 벤젠, 클로로벤젠, 니트로벤젠, 톨루엔, 페놀, 헥산 및 시클로헥산으로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상인 보라진 다량체를 이용한 고품질의 질화 붕소막 제조방법
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제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 전구체 용액 숙성 시, 점도 조절을 위하여 -24℃ 내지 -36℃ 온도 범위 내에서 냉장 보관하는 보라진 다량체를 이용한 고품질의 질화 붕소막 제조방법
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제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 금속촉매기판 또는 금속촉매의 금속은 니켈, 팔라듐, 백금, 구리, 티타늄, 루테늄, 크롬, 철, 알루미늄 및 은으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상 또는 이들의 합금인 보라진 다량체를 이용한 고품질의 질화 붕소막 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속촉매기판은 어닐링(Annealing) 처리, 전기화학적 연마(Electro-Chemical Polishing) 처리 및 금속 표면 클리닝(Cleaning) 중 선택된 하나 이상의 처리를 거친 것인 보라진 다량체를 이용한 고품질의 질화 붕소막 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 금속 표면 클리닝 처리는 금속 에천트(metal etchant), 아세톤(acetone), 에탄올(ethanol), 메탄올(methanol) 및 이소프로판올(isopropanol)로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상으로 금속 기판의 표면을 클리닝 하는 것인 보라진 다량체를 이용한 고품질의 질화 붕소막 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속촉매기판의 두께는 100㎚ 내지 40㎛인 보라진 다량체를 이용한 고품질의 질화 붕소막 제조방법
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제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 코팅은 불활성 분위기 조건 하에서 스핀 코팅, 스프레이 코팅, 드랍 코팅 및 딥 코팅으로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 방법으로 이루어지는 보라진 다량체를 이용한 고품질의 질화 붕소막 제조방법
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제 13 항에 있어서,상기 코팅 시 불활성 분위기 조건은 아르곤 및 질소로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상 또는 이들의 혼합 가스를 포함하는 분위기인 보라진 다량체를 이용한 고품질의 질화 붕소막 제조방법
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제 3 항에 있어서,상기 증착은 스퍼터링, 열적 증착 및 전자빔 증착으로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 방법으로 이루어지는 보라진 다량체를 이용한 고품질의 질화 붕소막 제조방법
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제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 보라진 다량체로부터 육방 질화 붕소로의 상전이는 가스 분위기 조건 하에서, 열적 방법, 플라즈마, 레이저, 전자빔, 이온빔 및 자외선 에너지로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 방법으로 진행시키는 보라진 다량체를 이용한 고품질의 질화 붕소막 제조방법
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제 16 항에 있어서,상기 상전이 시 가스 분위기 조건은 아르곤, 질소, 수소, 암모니아 및 헬륨으로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상 또는 이들의 혼합 가스를 포함하는 분위기인 보라진 다량체를 이용한 고품질의 질화 붕소막 제조방법
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제 16 항에 있어서,상기 상전이는 열적 방법으로 진행되고,상기 열적 방법은 800 내지 1200℃ 온도 범위 내에서 1시간 내지 2시간 열처리하는 것인 보라진 다량체를 이용한 고품질의 질화 붕소막 제조방법
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제 18 항에 있어서,상기 열적 방법 진행 시, 반응 챔버 내의 압력은 100mtorr 내지 760torr 범위 이내인 보라진 다량체를 이용한 고품질의 질화 붕소막 제조방법
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제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 기판은 실리콘, 실리콘 옥사이드, 사파이어, 쿼츠, 글라스, 그라파이트, 산화인듐, 폴리아크릴로니트릴(PAN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리디메틸실록산(PDMS), 폴리에틸렌(PE), 철강 및 탄소섬유로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 재질인 보라진 다량체를 이용한 고품질의 질화 붕소막 제조방법
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