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타겟기울기가 70 내지 90도가 되도록 챔버 내에 기판과 타겟을 배치시키는 준비단계; 그리고스퍼터링법을 이용하여 상기 기판 위에 나노선 박막을 증착 시키는 증착단계;를 포함하는, 나노선 박막전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 타겟은 금속 또는 금속산화물을 포함하고,상기 증착단계는 상기 챔버 내로 산소를 포함하는 반응성 가스를 유입하며 진행되는, 나노선 박막전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 증착단계의 나노선 박막의 증착은 기판이 회전하면서 진행되며, 상기 기판의 회전 속도는 분당 0 내지 15 도/분인, 나노선 박막전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 나노선은, 코발트산리튬(LiCoO2), 망간산리튬(LiMn2O4), 니켈산리튬(LiNiO2), 오산화바나듐(V2O5), 리튬인산철(LiFePO4), 크롬산리튬(LiCrO2), Li[MnNiCo]O2, LiVOPO4, 티탄산리튬(Li4Ti5O12), 산화주석(SnO2), 오산화나이오븀(Nb2O5), 이산화타이타늄(TiO2), Si, C, Pb, Al, Sn, 및 Sb 로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 것인, 나노선 박막전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 나노선 박막은 경사형 또는 나선형의 나노선들이 나란하게 배치되어 정렬된 상태인, 나노선 박막전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 지지층, 버퍼층, 및 집전층을 순차로 포함하고, 상기 나노선 박막은 상기 집천층 상에 위치하는, 나노선 박막전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 나노선 박막은 BET 법에 의하여 측정한 비표면적이 5 내지 30 m2/g 인 것인, 나노선 박막전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 타겟기울기는 기판을 연장한 가상의 제1평면과 타겟을 연장한 가상의 제2평면이 만나는 접선에서 상기 제1평면과 제2평면 사이의 각도인 것인, 나노선 박막전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 나노선 박막의 두께는 100 내지 2000 nm인, 나노선 박막전극의 제조방법
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지지층, 버퍼층 및 집전층을 순차로 포함하는 기판과, 상기 기판 상에 위치하며 경사형 또는 나선형의 나노선들이 나란하게 배치되어 정렬된 상태로 포함되는 나노선박막을 포함하는, 나노선 박막전극
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제10항에 있어서,상기 나노선 박막은 BET 법에 의하여 측정한 비표면적이 5 내지 30 m2/g 인 것인, 나노선 박막전극
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제10항에 있어서,상기 나노선은 코발트산리튬(LiCoO2), 망간산리튬(LiMn2O4), 니켈산리튬(LiNiO2), 오산화바나듐(V2O5), 리튬인산철(LiFePO4), 크롬산리튬(LiCrO2), Li[MnNiCo]O2, LiVOPO4, 티탄산리튬(Li4Ti5O12), 산화주석(SnO2), 오산화나이오븀(Nb2O5), 이산화타이타늄(TiO2), Si, C, Pb, Al, Sn, 및 Sb 로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 것인, 나노선 박막전극
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13
양극, 전해질 및 음극을 포함하고,상기 양극, 상기 음극, 또는 이들 모두는 제10항에 따른 나노선 박막전극인, 박막전지
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14
제13항에 있어서,상기 전해질은 액체전해질 또는 고체전해질인 것인, 박막전지
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15
제13항에 있어서,상기 양극에 포함되는 나노선은, 코발트산리튬(LiCoO2), 망간산리튬(LiMn2O4), 니켈산리튬(LiNiO2), 오산화바나듐(V2O5), 리튬인산철(LiFePO4), 크롬산리튬(LiCrO2), Li[MnNiCo]O2, LiVOPO4 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는, 박막전지
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제13항에 있어서,상기 음극에 포함되는 나노선은, 티탄산리튬(Li4Ti5O12), 산화주석(SnO2), 오산화나이오븀(Nb2O5), 이산화타이타늄(TiO2), Si, C, Pb, Al, Sn, Sb 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는, 박막전지
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