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투명 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015125467
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판 위에 형성된 게이트 전극, 게이트 산화막, 활성층, 소스 전극, 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터로서, 상기 활성층은 산화물 반도체이고, 상기 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극은 용액 공정에 의하여 형성된 투명 전극인 투명 박막 트랜지스터를 제공한다. 상기 전극들은 아연(Zn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 인듐(In) 복합산화물 전구체로서, 아연을 포함하는 경우 조성비로 34:66 mol% ~ 14:86 mol% 의 범위로 아연과 인듐을 포함하고, 주석을 포함하는 경우 조성비로 20:80 mol% ~ 1:99 mol% 의 범위로 주석과 인듐을 포함하는 금속 전구체와 용매 및 기타 첨가제를 포함하는 용액으로 형성된다. 투명 박막 트랜지스터, 투명 전극, 용액 공정
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/316 (2006.01)
CPC H01L 29/45(2013.01) H01L 29/45(2013.01) H01L 29/45(2013.01) H01L 29/45(2013.01)
출원번호/일자 1020090065235 (2009.07.17)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1043854-0000 (2011.06.16)
공개번호/일자 10-2011-0007680 (2011.01.25) 문서열기
공고번호/일자 (20110624) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 보정승인간주
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.07.17)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문주호 대한민국 서울 서대문구
2 송근규 대한민국 경기도 용인시 수지구
3 전태환 대한민국 경기도 고양시 일산동구
4 구창영 대한민국 경기도 군포시
5 정영민 대한민국 인천광역시 서구
6 김동조 대한민국 경기도 수원시 장안구
7 김범기 대한민국 서울특별시 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이익배 대한민국 제주특별자치도 서귀포시 서호남로 **, ***동 ***호 (서호동)(세광특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.07.17 수리 (Accepted) 1-1-2009-0435149-98
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.11.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.12.14 수리 (Accepted) 9-1-2010-0074988-21
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.01.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0031995-27
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.02.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0093881-16
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.02.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0093876-98
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0290607-91
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2011.06.01 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-0412086-85
9 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2011.06.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0308466-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 위에 형성된 게이트 전극과, 게이트 전극을 절연시키는 게이트 산화막과, 게이트 산화막을 경계로 게이트 전극과 대향되어 형성되는 활성층과, 상기 활성층 표면에 상호 이격되어 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터로서, 상기 활성층은 산화물 반도체이고, 상기 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극은 다음의 용액 물질; a) 아연(Zn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 인듐(In) 복합산화물 전구체로서, 아연을 포함하는 경우 조성비로 34:66 mol% ~ 14:86 mol% 의 범위로 아연과 인듐을 포함하고, 주석을 포함하는 경우 조성비로 20:80 mol% ~ 1:99 mol% 의 범위로 주석과 인듐을 포함하는 금속 전구체와, b) 2-methoxyethanol, isopropanol, ethanol, ethylene glycol, butanediol, 1-butandiol, 2-butandiol 중에서 선택되는 어느 하나로서, 전체 용액 100 몰 기준으로 90 ~ 99
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터는 Bottom gate-Bottom contact, Bottom gate-Top contact, Top gate-Top contact, Top gate-Bottom contact 구조 중의 어느 하나인 투명 박막 트랜지스터
4 4
제1항에 있어서, 상기 용액으로 트랜지스터의 버스 라인 및 픽셀 전극이 형성된 것을 특징으로 하는 투명 박막 트랜지스터
5 5
기판 위에 형성된 게이트 전극과, 게이트 전극을 절연시키는 게이트 산화막과, 게이트 산화막을 경계로 게이트 전극과 대향되어 형성되는 활성층과, 상기 활성층 표면에 상호 이격되어 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터로서, 상기 활성층은 산화물 반도체로 형성하고, 상기 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극은 다음의 용액; a) 아연(Zn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 인듐(In) 복합산화물 전구체로서, 아연을 포함하는 경우 조성비로 34:66 mol% ~ 14:86 mol% 의 범위로 아연과 인듐을 포함하고, 주석을 포함하는 경우 조성비로 20:80 mol% ~ 1:99 mol% 의 범위로 주석과 인듐을 포함하는 금속 전구체와, b) 2-methoxyethanol, isopropanol, ethanol, ethylene glycol, butanediol, 1-butandiol, 2-butandiol 중에서 선택되는 어느 하나로서, 전체 용액 100 몰 기준으로 90 ~ 99
6 6
제5항에 있어서, 상기 용액은 잉크젯 패터닝, 스핀 코팅, 레이저프린팅, 임프린트, 나노임프린트, 나노트랜스퍼, 그라비아, 오프셋 중에서 선택되는 어느 하나의 방법으로 기판 위에 전극을 형성하는 투명 박막 트랜지스터 제조 방법
7 7
제6항에 있어서, 스핀 코팅의 경우 포토 리소그래피 공정을 더 포함하는 투명 박막 트랜지스터 제조 방법
8 8
제5항에 있어서, 상기 용액으로 전극을 형성한 후 마이크로웨이브를 이용하여 열처리를 수행하는 투명 박막 트랜지스터 제조 방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 열처리는 파장이 1㎛ ~ 1mm 의 범위에 해당되는 전자기파를 이용하여 수행하는 투명 박막 트랜지스터 제조 방법
10 10
아연(Zn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 인듐(In) 복합산화물 전구체로서, 아연을 포함하는 경우 조성비로 34:66 mol% ~ 14:86 mol% 의 범위로 아연과 인듐을 포함하고, 주석을 포함하는 경우 조성비로 20:80 mol% ~ 1:99 mol% 의 범위로 주석과 인듐을 포함하는 금속 전구체와, 2-methoxyethanol, isopropanol, ethanol, ethylene glycol, butanediol, 1-butandiol, 2-butandiol 중에서 선택되는 어느 하나로서, 전체 용액 100 몰 기준으로 90 ~ 99
11 11
제10항에 있어서, 2 ~ 15 몰의 formamide 을 더 포함하는 투명 전극용 인듐 복합산화물 용액
12 12
제10항에 있어서, 상기 용액의 표면장력은 40 mN/m ~ 70 mN/m 의 범위인 투명 전극용 인듐 복합산화물 용액
13 13
제10항에 있어서, 상기 용액의 접촉각은 10°~ 50°의 범위인 투명 전극용 인듐 복합산화물 용액
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.