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신규의 희생층 재료를 이용한 기판 상에서의 나노와이어 패터닝 방법

  • 기술번호 : KST2014008904
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따라서 기판의 표면에서 나노와이어를 패터닝하는 방법이 제공되는데, 상기 방법은 (a) 플루오르화바륨 희생층이 원하는 패턴으로 표면에 형성된 기판을 제공하는 단계와, (b) 상기 플루오르화바륨 희생층을 비롯한 기판의 표면 전체에 걸쳐 나노와이어를 성장시키는 단계와, (c) 용매에 의해 상기 플루오르화바륨 희생층을 제거하여 희생층 표면에 있는 나노와이어를 함께 제거함으로써, 기판의 표면에 직접 접촉한 상태의 나노와이어만 남겨 두어, 나노와이어를 기판의 표면 상에 패턴화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL B82B 3/00 (2006.01) H01L 21/027 (2006.01)
CPC H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자 1020080112055 (2008.11.12)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1064908-0000 (2011.09.07)
공개번호/일자 10-2010-0053081 (2010.05.20) 문서열기
공고번호/일자 (20110916) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.11.12)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 명재민 대한민국 경기도 고양시 일산동구
2 조티 프라카스카 인도 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김승욱 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, ***호(서초동, 두산베어스텔)(아이피마스터특허법률사무소)
2 이채형 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 ** (대치동 동구빌딩 *층) Neo국제특허법률사무소

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.11.12 수리 (Accepted) 1-1-2008-0781535-45
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2008-0872423-42
3 보정요구서
Request for Amendment		 2008.12.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0137930-87
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2008-0881319-13
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.04.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.05.17 수리 (Accepted) 9-1-2010-0029616-18
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0580611-19
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.02.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0097921-48
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0097920-03
10 등록결정서
Decision to grant		 2011.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0494030-86
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판의 표면에서 나노와이어를 패터닝하는 방법으로서, (a) 플루오르화바륨 희생층이 원하는 패턴으로 표면에 형성된 기판을 제공하는 단계와, (b) 상기 플루오르화바륨 희생층을 비롯한 기판의 표면 전체에 걸쳐 나노와이어를 성장시키는 단계와, (c) 용매에 의해 상기 플루오르화바륨 희생층을 제거하여 희생층 표면에 있는 나노와이어를 함께 제거함으로써, 기판의 표면에 직접 접촉한 상태의 나노와이어만 남겨 두어, 나노와이어를 기판의 표면 상에 패턴화하는 단계 를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 (a)의 단계에 있어서, 상기 기판은, (a-1) 기판의 표면에 포토 레지스트를 코팅하는 단계와, (a-2) 상기 코팅된 포토 레지스트를 패터닝하는 단계와, (a-3) 상기 패턴화된 포토 레지스트를 비롯한 기판 표면 전체에 걸쳐 플루오르화바륨을 열증착에 의해 성장시켜 플루오르화바륨 희생층을 형성하는 단계와, (a-4) 상기 패턴화된 포토 레지스트를 리프트 오프 기법에 의해 제거하여 그 포토 레지스트 표면에 있는 플루오르화바륨 희생층을 함께 제거함으로써, 상기 기판의 표면에 직접 접촉한 상태의 플루오르화바륨 희생층만 남겨 두어, 원하는 패턴으로 플루오르화바륨 희생층을 기판의 표면에 형성하는 단계를 거쳐 제공되는 것을 특징으로 하는 방법
3 3
청구항 2에 있어서, 상기 (a-4) 단계에 있어서, 상기 패턴화된 포토 레지스트는 아세톤을 이용하여 제거하는 것을 특징으로 하는 방법
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 (a)의 단계에 있어서, 상기 기판은 플루오르화바륨을 열증착에 의해 상기 기판의 표면에서 성장시킨 다음에 상기 성장시킨 플루오르화바륨 희생층을 원하는 패턴으로 패터닝한 단계를 거쳐 제공되는 것을 특징으로 하는 방법
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 (a)의 단계에 있어서, 상기 기판은 플루오르화바륨을 CVD 기법을 이용하여 상기 기판의 표면에 형성한 다음에 상기 형성된 플루오르화바륨 희생층을 원하는 패턴으로 패터닝한 단계를 거쳐 제공되는 것을 특징으로 하는 방법
6 6
청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서, 상기 플루오르화바륨 희생층의 표면은 다결정 또는 비결정질의 표면인 것을 특징으로 하는 방법
7 7
청구항 6에 있어서, 상기 플루오르화바륨 희생층은 상온~1500℃의 온도에서 안정적인 특성을 나타내는 것을 특징으로 하는 방법
8 8
청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (b)의 단계에 있어서, 상기 나노와이어는 ZnO, GaN 또는 실리콘 나노와이어인 것을 특징으로 하는 방법
9 9
청구항 8에 있어서, 상기 나노와이어는 CVD 또는 퍼니스 방법에 의해 성장시키는 것을 특징으로 하는 방법
10 10
청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (c)의 단계에 있어서, 상기 플루오르화바륨 희생층은 탈이온수에 의해 제거되는 것을 특징으로 하는 방법
11 11
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12 12
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13 13
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14 14
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1 JP2010115772 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP5147743 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 US2010116780 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US8227348 US 미국 DOCDBFAMILY
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1 지식경제부 연세대학교 산학협력단 IT원천기술개발사업 나노접합을 이용한 차세대 미래소자-세부