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무촉매 나노와이어 제조 방법 및 이를 위한 장치

  • 기술번호 : KST2015126269
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따라서 실리콘계 나노와이어 합성 방법이 제공되는데, 상기 방법은 화학기상증착을 위한 합성 튜브에 나노와이어 합성을 위한 기판을 배치하는 단계와; 상기 합성 튜브를 가열하여 상기 합성 튜브에서 가장 온도가 높은 고온대 영역을 상기 합성 튜브의 대략 중앙 부분에 형성하고, 상기 기판이 배치되는 영역은 상기 고온대 영역의 온도보다 낮은 저온대 영역으로 형성하여, 상기 합성 튜브 내부에 온도 구배를 형성하는 단계와; 실리콘이 포함된 유기실리콘 화합물 소스를 기화시키는 단계와; 상기 기화된 소스 기체를 희석기체, 운반 기체 및 산소 기체와 함께 상기 합성 튜브 내부로 공급하는 단계와; 상기 고온대 영역에서 상기 소스 기체를 분해하고 또 화학반응에 의해 SiO 중간 화합물 기체를 형성하는 단계와; 상기 SiO 중간 화합물 기체가 상기 고온대 영역을 통과한 후, 상기 기판이 배치된 저온대 영역에서 상기 기판 상에 응축되도록 하여 실리콘계 나노와이어를 합성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC C01B 33/113(2013.01) C01B 33/113(2013.01) C01B 33/113(2013.01)
출원번호/일자 1020110037049 (2011.04.21)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1238284-0000 (2013.02.22)
공개번호/일자 10-2012-0119251 (2012.10.31) 문서열기
공고번호/일자 (20130228) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.04.21)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최두진 대한민국 서울특별시 강남구
2 최유열 대한민국 서울특별시 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김승욱 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, ***호(서초동, 두산베어스텔)(아이피마스터특허법률사무소)
2 이채형 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 ** (대치동 동구빌딩 *층) Neo국제특허법률사무소

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0295705-82
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0566030-51
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.04.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.05.22 수리 (Accepted) 9-1-2012-0039217-63
6 등록결정서
Decision to grant		 2013.02.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0099486-40
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
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번호 청구항
1 1
화학기상증착을 위한 합성 튜브에 나노와이어 합성을 위한 기판을 배치하는 단계와;상기 합성 튜브를 가열하여 상기 합성 튜브에서 가장 온도가 높은 고온대 영역을 상기 합성 튜브의 대략 중앙 부분에 형성하고, 상기 기판이 배치되는 영역은 상기 고온대 영역의 온도보다 낮은 저온대 영역으로 형성하여, 상기 합성 튜브 내부에 온도 구배를 형성하는 단계와;실리콘이 포함된 유기실리콘 화합물 소스를 기화시키는 단계와;상기 기화된 소스 기체를 희석기체, 운반 기체 및 산소 기체와 함께 상기 합성 튜브 내부로 공급하는 단계와;상기 고온대 영역에서 상기 소스 기체를 분해하고 또 화학반응에 의해 SiO 중간 화합물 기체를 형성하는 단계와;상기 SiO 중간 화합물 기체가 상기 고온대 영역을 통과한 후, 상기 기판이 배치된 저온대 영역에서 상기 기판 상에 응축되도록 하여 실리콘계 나노와이어를 합성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘계 나노와이어 합성 방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 실리콘계 나노와이어는 Si와 C가 혼합된 결정성 물질로 이루어진 내부 코어와, 상기 내부 코어를 에워싸고 SiO2 형태의 실리카로 이루어지는 쉘을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘계 나노와이어 합성 방법
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 유기실리콘 화합물 소스로서 메틸트리클로로실란(MTS)을 이용하는 것을 특징으로 하는 실리콘계 나노와이어 합성 방법
4 4
청구항 3에 있어서, 상기 고온대의 영역이 1,100~1,300℃의 온도가 되도록 상기 합성 튜브를 가열하는 것을 특징으로 하는 실리콘계 나노와이어 합성 방법
5 5
청구항 4에 있어서, 상기 기판이 배치되는 저온대 영역의 온도가 900~1,100℃가 되도록 상기 합성 튜브 내부에 온도 구배를 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘계 나노와이어 합성 방법
6 6
청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서, 상기 합성 튜브 내부로 공급되는 상기 소스 기체와, 상기 희석기체/운반 기체의 부피비는 20 내지 50인 것을 특징으로 하는 실리콘계 나노와이어 합성 방법
7 7
청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서, 상기 합성 튜브의 양단부 부근을 냉각 쿨러 팬을 이용하여 냉각하여, 상기 고온대 영역과 상기 합성 튜브의 양단부 사이의 온도 구배를 증가시키는 것을 특징으로 하는 실리콘계 나노와이어 합성 방법
8 8
청구항 2 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서, HF를 이용하여, 상기 내부 코어를 에어싸는 쉘을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘계 나노와이어 합성 방법
9 9
실리콘계 나노와이어 합성 장치로서,서스셉터 상에 장착된 기판 상에 소정의 물질을 증착하기 위한 증착 공정을 수행하기 위한 증착 챔버와, 상기 증착 챔버로 반응 가스를 공급하기 위한 가스 공급 시스템을 포함하고,상기 가스 공급 시스템은상기 증착 챔버와 연결되고, 상기 증착 챔버 내에서서의 증착에 필요한 유기실리콘 화합물을 공급하는 반응물 소스와,상기 증착 챔버 및 반응물 소스에 연결되고, 상기 반응물을 상기 증착 챔버 내로 운반하기 위한 운반 기체를 공급하는 운반 기체 소스와,상기 증착 챔버와 연결되고, 상기 반응물 및 반응물 운반 기체의 혼합물을 미리 정해진 농도로 유지시켜 주는 희석 기체를 공급하는 희석 기체 소스와,상기 증착 챔버와 연결되어, 상기 증착 챔버 내로 공급되는 유기실리콘 화합물과 반응하는 산소를 공급하기 위한 산소 기체 소스를 포함하고,상기 증착 챔버는진공 및 고온 상태로 유지되고, 일단부는 상기 기체들을 공급하는 기체 소스 및 상기 반응물 소스와 연결되고, 타탄부에는 진공 펌프가 연결되는 실리콘 나노와이어 합성 튜브와,상기 합성 튜브의 둘레에 배치되어, 상기 합성 튜브를 가열하기 위한 발열체와,상기 합성 튜브 내부의 온도를 측정하기 위한 온도 측정기를 포함하고, 상기 합성 튜브는 상기 발열체에 의해 가열됨에 따라, 그 중앙 부분에서 가장 높은 온도가 높은 고온대 영역을 형성하고, 상기 고온대 영역과 상기 타단부 사이에 상기 기판이 배치되는 것을 특징으로 하는 실리콘계 나노와이어 합성 장치
10 10
청구항 9에 있어서, 상기 유기실리콘 화합물 소스로서 메틸트리클로로실란(MTS)을 이용하는 것을 특징으로 하는 실리콘계 나노와이어 합성 장치
11 11
청구항 10에 있어서, 상기 고온대의 영역이 1,100~1,300℃의 온도가 되도록 상기 발열체를 통해 상기 합성 튜브를 가열하는 것을 특징으로 하는 실리콘계 나노와이어 합성 장치
12 12
청구항 11에 있어서,상기 기판이 배치되는 영역의 온도가 900~1,100℃가 되도록 상기 발열체를 통해 상기 합성 튜브를 가열하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노와이어 합성 장치
13 13
청구항 12에 있어서, 상기 고온대의 영역이 1,100~1,300℃에 도달하면, 상기 유기실리콘 화합물이 상기 합성 튜브 내부로 공급되어, 상기 합성 튜브 내의 상기 고온대 영역에서 상기 유기실리콘 화합물이 분해되고 또 화학반응에 의해 SiO 중간 화합물 기체가 형성되고, 이 SiO 중간 화합물 기체가 상기 고온대 영역을 통과한 후, 상기 기판 상에 응축되어 실리콘계 나노와이어가 합성되는 것을 특징으로 하는 실리콘계 나노와이어 합성 장치
14 14
청구항 13에 있어서, 상기 실리콘계 나노와이어는 Si와 C가 혼합된 결정성 물질로 이루어진 내부 코어와, 상기 내부 코어를 에워싸고 SiO2 형태의 실리카로 이루어지는 쉘을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘계 나노와이어 합성 장치
15 15
청구항 9 내지 청구항 14 중 어느 한 항에 있어서, 상기 합성 튜브의 양단부 부근에 배치되는 냉각 쿨러 팬을 더 포함하고, 상기 냉각 쿨러 팬을 이용하여 상기 고온대 영역과 상기 합성 튜브의 양단부 사이의 온도 구배를 증가시키는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노와이어 합성 장치
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.