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금속 나노 구조체의 형성 방법 및 상기 방법에 의하여 형성된 금속 나노 구조체

  • 기술번호 : KST2015127131
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 발명의 바람직한 실시예에 따른 금속 나노 구조체의 형성방법은: 금속 전구체 및 캡핑제인 트리소듐사이트레이트(trisodium citrate)를 소정의 용매에 용해시켜 금속 양이온과 캡핑제 음이온을 발생시키는 단계; 상기 금속 양이온과 상기 캡핑제 음이온이 형성된 용매에 자외선을 조사하여 캡핑제 음이온의 광분해 반응을 유도하여 자유전자를 발생시킨 후, 상기 광분해 반응에 의하여 형성된 자유전자로 상기 금속 양이온을 환원시켜 금속 나노 구조체를 형성하는 단계를 포함한다. 또한, 본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따른 금속 나노 구조체의 형성방법은: 상기 나노 입자에 다른 금속 전구체, 캡핑제 및 폴리비닐피롤리돈을 용매에 용해시켜 금속 양이온과 캡핑제 음이온을 발생시키는 단계; 상기 양이온과 상기 캡핑제 음이온이 형성된 용매에 자외선을 조사하여 상기 캡핑제 음이온의 광분해 반응을 유도하여 자유전자를 발생시킨 후, 상기 광분해 반응에 의하여 형성된 자유전자로 상기 금속 양이온을 환원시켜 복수의 금속 나노 입자가 결합된 나노 구조체를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC B22F 9/24(2013.01) B22F 9/24(2013.01) B22F 9/24(2013.01) B22F 9/24(2013.01) B22F 9/24(2013.01)
출원번호/일자 1020080098598 (2008.10.08)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1042605-0000 (2011.06.13)
공개번호/일자 10-2010-0039575 (2010.04.16) 문서열기
공고번호/일자 (20110620) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.10.08)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박형호 대한민국 서울 강남구
2 박형호 대한민국 서울특별시 서대문구
3 김현철 대한민국 서울특별시 중랑구
4 씬장 캐나다 **** University Driv
5 로즈 헨리 힐 캐나다 **** University Driv

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김승욱 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, ***호(서초동, 두산베어스텔)(아이피마스터특허법률사무소)
2 이채형 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 ** (대치동 동구빌딩 *층) Neo국제특허법률사무소

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.10.08 수리 (Accepted) 1-1-2008-0701938-88
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.10.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.11.16 수리 (Accepted) 9-1-2010-0071021-93
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0525847-42
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.01.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0040499-57
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0040494-29
7 등록결정서
Decision to grant		 2011.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0293638-10
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
금속 전구체 및 캡핑제인 트리소듐사이트레이트(trisodium citrate)를 소정의 용매에 용해시켜 금속 양이온과 캡핑제 음이온을 발생시키는 단계; 상기 금속 양이온과 상기 캡핑제 음이온이 형성된 용매에 자외선을 조사하여 상기 캡핑제 음이온의 광분해 반응을 유도하여 자유전자를 발생시킨 후, 상기 광분해 반응에 의하여 형성된 자유전자로 상기 금속 양이온을 환원시켜 금속 나노 구조체를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 나노 구조체의 형성 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 금속 나노 구조체는 나노 입자인 것을 특징으로 하는 금속 나노 구조체의 형성 방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 금속 전구체는 하이드로젠 테트라클로로오우레이트 트리하이드레이트 [HAuCl4·3H2O], 질산은 [AgNO3], 실버 2-에틸헥사노네이트 [AgOOCCH(C2H5)C4H9], 카파 아세테이트 [Cu(CH3COO)2], 카파 클로라이드 [CuCl2], 헥사클로로플라티네이트 헥사하이드레이트 [H2PtCl6·6H2O], 징크 아세테이트 (Zinc acetate), 니클 2-에틸헥사노네이트 [Ni(OOCCH(C2H5)C4H9)2], 니클 나이트레이트 [Ni(NO3)2], 코발트 나이트레이트 헥사하이드레이트 [Co(NO3)2·6H2O], 암모늄 몰리브데이트 테트라하이드레이트 [(NH4)6Mo7O24·4H2O), 망간 2-에틸헥사노네이트 [Mn(OOCCH(C2H5)C4H9)2], 텅스텐 헥사클로라이드 [WCl6], 테트라클로로저마늄 [Cl4Ge], 세레늄 테트라클로라이드 [SeCl4], 아이언 2-에틸헥사노네이트 [C24H45FeO6], 알루미늄 2-에틸헥사노네이트 [AlOH(OOCCH(C2H5)C4H9)2], 알루미늄 트리클로라이드 [AlCl3], 티타늄 2-에틸헥사노네이트[Ti(OOCCH(C2H5)C4H9)2], 티타늄 테트라클로라이드 [TiCl4], 팔라듐 디클로라이드 [PdCl2], 인듐 2-에틸헥사노네이트 [In(OOCCH(C2H5)C4H9)2], 인듐 트리클로라이드 [InCl3]로 구성된 군에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 금속 나노 구조체의 형성 방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 금속 전구체는 에틸헥사노네이트, 디알킬이소카바메이트, 카르복실 액시드, 카르복실레이트, 피리딘, 디아민, 아라신, 디아라신, 포스핀, 디포스핀, 아레네스, 클로라이드, 아세테이트, 아세틸아세토네이트, 금속산화물, 카르보닐, 카르보네이트, 하이드레이트, 하이드록사이드, 니트레이트, 옥살레이트 및 이들의 혼합물로 구성된 군에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 금속 나노 구조체의 형성 방법
5 5
삭제
6 6
제 1항 내지 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 용매는 물, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 부탄올, 펜탄올, 헥산올, DMSO, DMF, N-메틸피롤리돈, 아세톤, 아세토니트릴, THF, 테칸, 노난, 옥탄, 헵탄, 헥산 및 펜탄으로 구성된 군에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 금속 나노 구조체의 형성 방법
7 7
제 1 금속 전구체 및 캡핑제인 트리소듐사이트레이트를 제 1 용매에 용해시켜 제 1 금속 양이온과 캡핑제 음이온을 발생시키는 제 1 단계; 상기 제 1 단계에서 발생된 상기 제 1 금속 양이온과 상기 캡핑제 음이온이 형성된 용매에 자외선을 조사하여 상기 캡핑제 음이온의 광분해 반응을 유도하여 자유전자를 발생시킨 후, 상기 광분해 반응에 의하여 형성된 자유전자로 상기 제 1 금속 양이온을 환원시켜 제 1 금속 나노 입자를 형성하는 제 2 단계; 상기 제 1 금속 나노 입자, 제 2 금속 전구체, 캡핑제인 트리소듐사이트레이트 및 폴리비닐피롤리돈(Poly vinyl pyrrolidone; PVP)를 제 2 용매에 용해시켜 제 2 금속 양이온과 캡핑제 음이온을 발생시키는 제 3 단계; 상기 제 3 단계에서 발생된 상기 제 2 금속 양이온과 상기 캡핑제 음이온이 형성된 용매에 자외선을 조사하여 상기 캡핑제 음이온의 광분해 반응을 유도하여 자유전자를 발생시킨 후, 상기 광분해 반응에 의하여 형성된 자유전자로 상기 제 2 금속 양이온을 환원시켜 제 1 금속 나노 입자와 복수의 제 2 금속 나노 입자가 결합된 나노 구조체를 형성하는 제 4 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 나노 구조체의 형성 방법
8 8
제 7항에 있어서, 상기 결합된 나노 구조체는 나노 로드 또는 나노 와이어인 것을 특징으로 하는 금속 나노 구조체의 형성 방법
9 9
제 1항 또는 7항에 있어서, 상기 나노 구조체는 500nm 이하의 평균 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 금속 나노 구조체의 형성 방법
10 10
제 1항 또는 7항에 있어서, 상기 금속 나노 구조체의 형성 방법은 반응 혼합물로부터 금속 나노 구조체를 분리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 나노 구조체의 형성 방법
11 11
제 10항에 있어서, 상기 분리 단계는 여과, 원심분리 또는 자력분리에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 금속 나노 구조체의 형성 방법
12 12
제 1항 또는 7항에 따른 금속 나노 구조체의 형성 방법에 의하여 제조된 금속 나노 구조체
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 연세대학교 산학협력단 기초연구지원기초과학(기초과학 1) 휨성 나노하이브리드 투명전도성 산화막 제조 및 직접패턴 형성기술