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기판 상에 나노와이어를 형성하는 공정; 상기 나노와이어를 포함하도록 상기 기판 상에 코폴리머층을 형성하고, 그 상부에 전자빔 레지스트를 형성하는 공정;전자빔 리소그래피 공정을 수행함으로써 상기 나노와이어의 적어도 일부가 노출되도록 상기 코폴리머층 및 전자빔 레지스트층의 일부를 에칭하는 공정;하나의 챔버 내에서 플라즈마 에칭법을 이용하여 상기 노출된 나노와이어의 표면 산화층을 에칭하여 제거하고 상기 산화층이 제거된 나노와이어 상에 오믹 컨택트를 인시츄(in-situ)로 증착시키는 공정; 및상기 나노와이어 상의 코폴리머층 및 전자빔 레지스트층을 제거하는 공정;을 포함하는 나노와이어의 오믹 컨택트 형성방법
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청구항 1에 있어서,상기 나노와이어는 Bi, Te, Se, Pb, Sb, Sn 등으로 이루어진 그룹 중 선택된 단일 또는 둘 이상의 합금으로 이루어짐을 특징으로 하는 나노와이어의 오믹 컨택트 형성방법
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청구항 1에 있어서, Ar 가스의 플라즈마를 이용하여 상기 나노와이어의 표면 산화층을 에칭함을 특징으로 하는 나노와이어의 오믹 컨택트 형성방법
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청구항 1에 있어서, 상기 오믹 컨택트를 증착시키는 공정은,상기 나노와이어 상에 Cr 박막을 증착시키는 공정; 및상기 Cr 박막 상에 Au 또는 Pt 중 선택된 하나의 박막을 증착시키는 공정; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어의 오믹 컨택트 형성방법
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청구항 4에 있어서,상기 Cr 박막을 2~8㎚로 증착하고, 그 상부에 Au 또는 Pt 박막을 50~150㎚로 증착함을 특징으로 하는 나노와이어의 오믹 컨택트 형성방법
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청구항 1에 있어서,상기 챔버 내에서 플라즈마를 이용하여 나노와이어의 표면 산화층을 제거시, He 가스를 상기 챔버 내로 주입하는 공정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어의 오믹 컨택트 형성방법
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청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 기재된 방법에 의해 두 개의 오믹 컨택트가 형성된 나노와이어에서, 상기 오믹 컨택트에 각각 전극을 형성하는 공정;상기 기판 상의 상기 전극 주위에 열선(heater)을 형성하는 공정; 상기 열선에 전류를 인가하여 발열시켜 상기 두 전극 간의 온도차를 측정하고, 상기 두 전극에 전류를 인가하여 상기 전극 간의 전압차를 측정하는 공정; 및상기 측정된 두 전극 간의 온도차 및 전압차를 이용하여 상기 나노와이어의 제백상수(S)를 측정하는 공정;을 포함하는 나노와이어의 제백상수 측정방법
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청구항 8에 있어서,상기 오믹 컨택트 및 전극은 Au 또는 Pt 중 어느 하나로 이루어짐을 특징으로 하는 나노와이어의 제백상수 측정방법
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청구항 8에 있어서,상기 나노와이어는 Bi 또는 PbTe 중 어느 하나로 이루어짐을 특징으로 하는 나노와이어의 제백상수 측정방법
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11
청구항 8에 있어서,상기 나노와이어는 단일(individual) 나노와이어임을 특징으로 하는 나노와이어의 제백상수 측정방법
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