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게이트 전극 역할을 하는 기판과, 강유전체층과, 채널층과, 소스 및 드레인 전극을 포함하는 강유전체 메모리 소자에 있어서, 상기 게이트 전극 기판과 강유전체층 사이에 개재되어 누설 전류를 감소시켜 상기 강유전체층의 강유전 특성을 향상시키는 역할을 하는 인터레이어가 개재되어 있고, 상기 강유전체층은 P(VDF-TrEE) 고분자이며, 상기 인터레이어는 polymer brush type 유기 고분자, 전도성 고분자 type 유기 고분자, 액정성 고분자 type 유기 고분자 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 소자
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청구항 4에 있어서, 상기 인터레이어는 polymer brush type의 PMMA 유기 고분자, 전도성 고분자 type의 PEDOT:PSS 유기 고분자 또는 액정성 고분자 type의 DLC-BCP 유기 고분자인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 소자
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청구항 5에 있어서, 상기 인터레이어는 polymer brush type의 PMMA 유기 고분자이고, 그 두께는 3 nm 이하인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 소자
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청구항 4에 있어서, 상기 채널층은 펜타신(pentacene)으로 형성된 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 소자
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게이트 전극 역할을 하는 기판과, 강유전체층과, 채널층, 소스 및 드레인 전극을 포함하는 강유전체 메모리 소자의 제조 방법에 있어서, 상기 게이트 전극 기판과 강유전체층 사이에 인터레이어(interlayer)를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 인터레이어는 polymer brush type의 고분자, 전도성 고분자, 액정성 고분자 물질 중 어느 하나의 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 소자의 제조 방법
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청구항 10에 있어서, 상기 인터레이어는 polymer brush type의 고분자로 형성하고, 톨루엔(toluene)을 첨가한 PMMA 용액을 제조하는 단계;상기 PMMA 용액을 기판 상에 스핀코팅하여, PMMA 박막을 형성하는 단계 및상기 PMMA 코팅층을 기판 상에서 열처리하여 고정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 소자의 제조 방법
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청구항 11에 있어서, 상기 PMMA 코팅층을 기판 상에서 열처리하여, 고정한 후, 톨루엔을 이용하여, 상기 기판에 고정되지 않은 PMMA 코팅층을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 소자의 제조 방법
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청구항 10에 있어서, 상기 인터레이어를 형성한 후, 상기 인터레이어 상에 P(VDF-TrFE) 용액을 스핀코팅 후 열처리하여, P(VDF-TrFE) 강유전체층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 소자의 제조 방법
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청구항 13에 있어서, 상기 P(VDF-TrFE) 강유전체층을 형성한 후, 펜타신을 진공 열증착하여 채널층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 소자의 제조 방법
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청구항 14에 있어서, 상기 채널층을 형성한 후, 금속 재료를 증착하여, 상기 채널층 상부에 소스와 드레인을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 소자의 제조 방법
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청구항 10에 있어서, 상기 인터레이어는 전도성 고분자로 형성하고,PEDOT:PSS 용액을 기판 상에 스핀코팅하여, PEDOT:PSS 박막을 형성하는 단계 및PEDOT:PSS 박막을 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 소자의 제조 방법
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청구항 16에 있어서, 상기 PEDOT:PSS 박막을 열처리한 후, 메틸에틸케톤 용액을 이용하여, 상기 PEDOT:PSS 박막을 세정하고 건조하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 소자의 제조 방법
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청구항 10에 있어서, 상기 인터레이어는 액정성 고분자로 형성하고,싸이클로펜타논(cyclopentanone)이 첨가된 DLC-BCP 용액을 제조하는 단계;상기 DLC-BCP 용액을 기판 상에 스핀코팅하여, DLC-BCP 박막을 형성하는 단계 및 상기 DLC-BCP 박막을 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 소자의 제조 방법
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청구항 18에 있어서, 상기 DLC-BCP 박막을 열처리하는 단계는,상기 DLC-BCP 박막을 200℃ 이상에서 1차 열처리하는 단계 및 상기 DLC-BCP 박막을 200℃ 이하에서 2차 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 소자의 제조 방법
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