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전계 효과 트랜지스터 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015125715
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 자연 산화막의 형성 및 기판 재료의 절연층으로 침투가 방지되는 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조방법이 제공된다. 본 발명에 따른 전계 효과 트랜지스터는: Ge, Si1-xGex, 또는 3-5족 화합물로 형성된 기판(단, x는 0 초과 1 미만); 상기 기판 위에 형성된 Al2O3 층; 상기 Al2O3 층 위에 형성되고, 유전상수가 10 이상인 재료로 형성된 절연층; 및 상기 절연층 위에 형성되는 메탈 게이트를 포함한다. 또한, 절연층은 HfO2, ZrO2, TiO2, 및 Ti2O5 중에서 선택된 적어도 하나로 형성되고, Al2O3 층은 3Å 내지 10Å의 두께로 형성된다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/66477(2013.01) H01L 29/66477(2013.01)
출원번호/일자 1020100088306 (2010.09.09)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1212536-0000 (2012.12.10)
공개번호/일자 10-2012-0026218 (2012.03.19) 문서열기
공고번호/일자 (20121214) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.09.09)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 고대홍 대한민국 경기도 고양시 일산서구
2 서동찬 대한민국 서울특별시 서대문구
3 조영대 대한민국 서울특별시 은평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김승욱 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, ***호(서초동, 두산베어스텔)(아이피마스터특허법률사무소)
2 이채형 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 ** (대치동 동구빌딩 *층) Neo국제특허법률사무소

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.09.09 수리 (Accepted) 1-1-2010-0586272-16
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.08.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.09.20 수리 (Accepted) 9-1-2011-0077268-26
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.01.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0047456-94
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0212037-57
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0313698-07
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-0403173-83
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0490360-32
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.06.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0490369-42
11 등록결정서
Decision to grant		 2012.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0732019-34
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
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번호 청구항
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Ge, Si1-xGex, 또는 3-5족 화합물로 형성된 기판(단, x는 0 초과 1 미만)에 원자층 증착법을 이용하여 Al2O3 층을 증착하는 단계;상기 Al2O3 층 위에 유전상수가 10 이상인 재료로 형성된 절연층을 증착하는 단계; 상기 절연층이 형성된 기판을 NH3 분위기에서 어닐링하는 단계; 및상기 절연층 위에 메탈 게이트를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터의 형성 방법
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제 5항에 있어서, 상기 Al2O3 층은 3Å 내지 10Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터의 형성 방법
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제 5항에 있어서, 상기 절연층은 HfO2, ZrO2, TiO2, 및 Ti2O5 중에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터의 형성 방법
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9 9
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 연세대학교 산학협력단 산업원천기술개발 고성능 반도체 소자용 차세대 기관 기술 개발