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Ｇｅ계 반도체층 상에 유전막을 형성하는 방법 및 이를 이용한 반도체 소자 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014039994
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 Ge계 반도체층 상에 유전막을 형성하는 방법 및 이를 이용한 반도체 소자 제조방법을 제공한다. Ge 산화물층이 형성된 Ge계 반도체층을 구비하는 기판을 증착 장치 내에 로딩한 후, 상기 기판 상에 H2O 증기를 공급하여 상기 Ge 산화물층을 식각한다. 상기 H2O 증기 공급 단계에서 상기 기판을 가열하여 안정화시킨 후, 진공 파괴없이 유전막을 증착한다. 상기 유전막이 증착된 기판을 증착 장치로부터 언로딩한다. 이와 같이, H2O 증기 공급 단계를 통해 조악한 품질을 갖는 Ge 산화물막을 용이하게 식각할 수 있어 유전막 신뢰성을 향상시킬 수 있으며, 또한 H2O 증기 공급 단계와 유전막 증착을 위한 안정화 단계를 동시에 수행함으로써 유전막 증착 속도를 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 21/28 (2006.01.01) H01L 21/311 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 21/28194(2013.01) H01L 21/28194(2013.01) H01L 21/28194(2013.01) H01L 21/28194(2013.01)
출원번호/일자 1020100091532 (2010.09.17)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1152441-0000 (2012.05.25)
공개번호/일자 10-2012-0029621 (2012.03.27) 문서열기
공고번호/일자 (20120601) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.09.17)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박인성 대한민국 서울특별시 서초구
2 안진호 대한민국 서울특별시 강남구
3 최영재 대한민국 경기도 오산시 가수로 , A

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.09.17 수리 (Accepted) 1-1-2010-0606933-57
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.07.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0061436-82
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0494508-08
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2011-0852484-41
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.10.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0852498-80
7 등록결정서
Decision to grant		 2012.04.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0220082-81
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
Ge계 반도체층 및 상기 Ge계 반도체층 상에 형성된 Ge 산화물층을 구비하는 기판을 제공하는 단계;상기 기판을 증착 장치 내에 로딩하는 단계;상기 기판 상에 H2O 증기를 공급하여 상기 Ge 산화물층을 식각하는 단계; 상기 Ge 산화물층이 식각된 기판 상에 진공 파괴없이 유전막을 증착하는 단계; 및상기 유전막이 증착된 기판을 증착 장치로부터 언로딩하는 단계를 포함하는 유전막 형성방법
2 2
제1항에 있어서,상기 H2O 증기와 더불어서 상기 기판 상에 불활성 가스를 공급하는 유전막 형성방법
3 3
제1항에 있어서,상기 기판 상에 H2O 증기를 공급하는 단계와 상기 유전막을 증착하는 단게는 상기 증착 장치의 동일 챔버 내에서 인-시츄로(in-situ) 수행되는 유전막 형성방법
4 4
제1항에 있어서,상기 기판 상에 H2O 증기를 공급하는 단계와 상기 유전막을 증착하는 단게는 상기 증착 장치의 서로 다른 챔버 내에서 진공 파괴 없이 수행되는 유전막 형성방법
5 5
제1항에 있어서,상기 유전막은 산화막인 유전막 형성방법
6 6
제1항에 있어서,상기 기판을 증착 장치 내에 로딩하기 전에,상기 기판에 대해 HF 수용액 세정과 탈이온수 세정을 반복 수행하는 단계를 더 포함하는 유전막 형성방법
7 7
삭제
8 8
제1항에 있어서,상기 기판 상에 H2O 증기를 공급함과 동시에, 상기 유전막 증착 온도로 상기 기판을 가열하는 유전막 형성방법
9 9
Ge계 반도체층 및 상기 Ge계 반도체층 상에 형성된 Ge 산화물층을 구비하는 기판을 제공하는 단계;상기 기판을 증착 장치 내에 로딩하는 단계;상기 기판 상에 H2O 증기를 공급하여 상기 Ge 산화물층을 식각하는 단계;상기 Ge 산화물층이 식각된 기판 상에 진공 파괴없이 유전막을 증착하는 단계;상기 유전막이 증착된 기판을 증착 장치로부터 언로딩하는 단계; 및상기 유전막 상에 도전막을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한양대학교 산학협력단 기술혁신사업(산업원천기술개발사업) 고성능 반도체 소자용 차세대 기판 기술