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갈륨 나이트라이드 나노와이어의 수직 성장 방법

  • 기술번호 : KST2015125727
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 갈륨 나이트라이드 나노와이어의 수직 성장방법이 개시된다. 개시된 갈륨 나이트라이드 나노와이어는, 기판 상에 제1촉매층과 제2촉매층을 순차적으로 증착하는 단계와, 상기 기판을 제1온도로 가열하고, 갈륨 전구체와 질소 전구체를 상기 기판 상으로 공급하여 상기 기판 상에 수직으로 갈륨 나이트라이드 나노와이어를 성장시키는 단계를 포함한다.
Int. CL B82B 3/00 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자 1020100086594 (2010.09.03)
출원인 삼성전자주식회사, 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0023436 (2012.03.13) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양문승 대한민국 경기도 화성
2 박영수 대한민국 경기도 용인시 수지구
3 김택 대한민국 경기도 성남시 분당구
4 김준연 대한민국 경기도 화성시 영통로**번길 *
5 최헌진 대한민국 서울특별시 성북구
6 하룡 대한민국 서울특별시 금천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.09.03 수리 (Accepted) 1-1-2010-0574691-18
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 제1촉매층과 제2촉매층을 순차적으로 증착하는 단계; 및상기 기판을 제1온도로 가열하고, 갈륨 전구체와 질소 전구체를 상기 기판 상으로 공급하여 상기 기판 상에 수직으로 갈륨 나이트라이드 나노와이어를 성장시키는 단계;를 포함하는 갈륨 나이트라이드 나노와이어의 수직 성장 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 제1촉매층 및 상기 제2촉매층은 각각 0
3 3
제 1 항에 있어서,상기 제1촉매층은 귀금속으로 형성되며, 상기 제2촉매층은 전이금속으로 형성되는 갈륨 나이트라이드 나노와이어의 수직 성장 방법
4 4
제 3 항에 있어서,상기 제1촉매층은 Au, Pt, Pd 중 선택된 어느 하나로 형성되는 갈륨 나이트라이드 나노와이어의 수직 성장 방법
5 5
제 3 항에 있어서,상기 제2촉매층은 Ni, Al, Fe 중 선택된 어느 하나로 형성되는 갈륨 나이트라이드 나노와이어의 수직 성장 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 제1촉매층의 용융 온도가 상기 제2촉매층의 용융 온도 보다 낮은 물질로 형성되는 갈륨 나이트라이드 나노와이어의 수직 성장 방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 증착은 원자층 증착법 또는 증발법으로 수행되는 갈륨 나이트라이드 나노와이어의 수직 성장 방법
8 8
기판 상에 제1촉매와 제2촉매로 혼합된 촉매층을 증착하는 단계; 및상기 기판을 제1온도로 가열하고, 갈륨 전구체와 질소 전구체를 상기 기판 상으로 공급하여 상기 기판 상에 수직으로 갈륨 나이트라이드 나노와이어를 성장시키는 단계;를 포함하는 갈륨 나이트라이드 나노와이어의 수직 성장 방법
9 9
제 8 항에 있어서,상기 2촉매층은 0
10 10
제 8 항에 있어서,상기 제1촉매는 귀금속으로 형성되며, 상기 제2촉매는 전이금속으로 형성되는 갈륨 나이트라이드 나노와이어의 수직 성장 방법
11 11
제 10 항에 있어서,상기 제1촉매는 Au, Pt, Pd 중 선택된 어느 하나로 형성되는 갈륨 나이트라이드 나노와이어의 수직 성장 방법
12 12
제 10 항에 있어서,상기 제2촉매는 Ni, Al, Fe 중 선택된 어느 하나로 형성되는 갈륨 나이트라이드 나노와이어의 수직 성장 방법
13 13
제 1 항에 있어서,상기 제1촉매의 용융 온도가 상기 제2촉매의 용융 온도 보다 낮은 물질인 갈륨 나이트라이드 나노와이어의 수직 성장 방법
14 14
제 1 항에 있어서,상기 증착은 원자층 증착법 또는 증발법으로 수행되는 갈륨 나이트라이드 나노와이어의 수직 성장 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.