맞춤기술찾기

이전대상기술

칼코겐화물 반도체 박막 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015125794
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 하이드라진 모노하이드레이트 또는 알콜계 용매와, 상기 용매에 균일하게 분산된 분말로서 구리 또는 구리화합물 분말과, 아연 또는 아연화합물 분말과, 주석 또는 주석화합물 분말과, 황 또는 셀레늄 분말로 구성되는 전구체 분말을 포함하며, 상기 전구체 분말은 입자 사이즈가 300nm 이하인 것을 특징으로 하는 칼코겐화물 반도체 박막용 잉크를 제공한다. 본 발명에 따르면, 조성 분포가 균일하고 불순물이 최소화된 고품질의 결정성 CZTS 박막을 독성 물질이 배제된 안전한 액 공정으로 제조할 수 있다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) C09D 11/03 (2014.01)
CPC C09D 11/03(2013.01) C09D 11/03(2013.01) C09D 11/03(2013.01)
출원번호/일자 1020110010358 (2011.02.01)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1179010-0000 (2012.08.27)
공개번호/일자 10-2012-0089159 (2012.08.09) 문서열기
공고번호/일자 (20120831) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.02.01)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 문주호 대한민국 서울특별시 서대문구
2 우규희 대한민국 서울특별시 강동구
3 김영우 대한민국 대구광역시 북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이익배 대한민국 제주특별자치도 서귀포시 서호남로 **, ***동 ***호 (서호동)(세광특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.02.01 수리 (Accepted) 1-1-2011-0082873-04
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.12.14 수리 (Accepted) 9-1-2011-0094696-08
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0055968-91
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.03.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0203844-75
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.03.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0203803-14
8 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2012.03.22 수리 (Accepted) 1-1-2012-0231516-16
9 보정요구서
Request for Amendment
2012.03.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0032481-21
10 등록결정서
Decision to grant
2012.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0489304-18
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하이드라진 모노하이드레이트 또는 알콜계 용매와,상기 용매에 균일하게 분산된 분말로서 구리 또는 구리화합물 분말과, 아연 또는 아연화합물 분말과, 주석 또는 주석화합물 분말과, 황 또는 셀레늄 분말로 구성되며, Cu, Zn, Sn, S의 조성비가 atom%로 Cu: 20 ~ 25%, Zn: 10 ~ 15%, Sn: 10 ~ 15%, S: 45 ~ 50% 범위인 전구체 분말을 포함하며,상기 전구체 분말은 입자 사이즈가 300nm 이하인 것을 특징으로 하는칼코겐화물 반도체 박막용 잉크
2 2
제1항에 있어서, 상기 구리 화합물은 Cu2S 이고, 상기 아연 화합물은 ZnS 인 것을 특징으로 하는 칼코겐화물 반도체 박막용 잉크
3 3
제1항에 있어서, 상기 전구체 분말은 주석 분말이나 황 또는 셀레늄 분말이 구리 또는 구리화합물 분말이나 아연 또는 아연화합물 분말의 표면에 코팅된 코어 쉘 구조인 것을 특징으로 하는 칼코겐화물 반도체 박막용 잉크
4 4
구리 또는 구리화합물 분말과, 아연 또는 아연화합물 분말과, 주석 또는 주석화합물 분말과, 황 또는 셀레늄 분말로 구성되는 전구체 분말을 Cu, Zn, Sn, S의 조성비가 atom%로 Cu: 20 ~ 25%, Zn: 10 ~ 15%, Sn: 10 ~ 15%, S: 45 ~ 50% 범위가 되도록 준비하고,상기 전구체 분말을 하이드라진 모노하이드레이트 또는 알콜계 용매와 혼합하고,상기 분말과 용매의 혼합물을 기판에 코팅하고,코팅된 혼합물을 열처리하여 결정화된 박막을 얻는 것을 특징으로 하는 칼코겐화물 반도체 박막 제조 방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 혼합물을 400 ~ 550℃의 범위로 열처리하는 것을 특징으로 하는 칼코겐화물 반도체 박막 제조 방법
6 6
제4항에 있어서, 상기 전구체 분말을 입자 사이즈가 300nm 이하가 되도록 분쇄하는 단계를 더 포함하는 칼코겐화물 반도체 박막 제조 방법
7 7
제4항에 있어서, 상기 전구체 분말은 주석 분말이나 황 또는 셀레늄 분말이 구리 또는 구리화합물 분말이나 아연 또는 아연화합물 분말의 표면에 코팅된 코어 쉘 구조인 것을 특징으로 하는 칼코겐화물 반도체 박막 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.